倒筒式直流溅射法生长大尺寸双面YBCO高温超导薄膜

采用倒筒式直流溅射结合辐射加热方法对无源微波器作用的Y1Ba2Cu3O7-x(YBCO）双面薄膜生长进行了研究，实验结果表明：直流非磁控溅射可以制备性能良好的薄膜，通过基片绕支撑和基片表面法线旋转，实现了在（100）LaAlO3基片两面同时原位沉积厚度均匀的BCO薄膜，生长出的φ25．4mm（linch）同质量的BCO双面薄膜，两面的Tc0分别为90．3K和90．4K，超导转变宽度均为0．8K，两面的微观表现电阻（Rs）随温度变化一致，Rs（77K，10GHz）分别为330μΩ和400μΩ，在直径30mm的基片上，薄膜的厚度均匀性良好，其厚度起伏在10％以内，薄膜面内的Tc0分布在90K附近，Rs都分布在1μΩ以内，能满足微波器件研制的需要。     

HR-1型奥氏体不锈钢镀Cr_2O_3及TiN膜复合材料的气相氢渗透研究

ＨＲ－１型奥氏体不锈钢镀Ｃｒ＿２Ｏ＿３及ＴｉＮ膜复合材料的气相氢渗透研究刘兴钊，黄秋荣，杜家驹，李言荣（电子科技大学信息材料工程学院，核工业西南物理研究院，中科院固体物理研究所）关键词氢渗透，抗氢渗透涂层１引言在聚变堆及高温气冷反应堆的设计中，氢同位...     

反应溅射法沉积氧化铈过渡层研究

采用直流磁控反应溅射法在双轴织构的镍钨合金(Ni-5%W)基带上生长CeO2过渡层。研究了沉积温度、退火时间、水分压等工艺参数对CeO2薄膜取向的影响,并获得了生长高度双轴织构薄膜的优化工艺条件。X射线面内(Φ)扫描揭示了“[100]CeO2∥[110]Ni-W”的单一外延取向关系,原子力显微镜观察到薄膜在退火处理后表面更加平整、致密。     

采用氧化物复合底电极的BTO薄膜结构和性能

用球磨法制备Bi4Ti3O1(2BTO)靶材。用PLD法在Pt/TiO2/SiO2/Si基片上先分别以三种氧化物SrRuO(3SRO)、LaSrCoO3(LSCO)、LaNiO3(LNO)和Pt生成复合底电极,再在其上生长了外延取向的BTO薄膜。分析了薄膜的结构和性能。结果表明,这种BTO薄膜的c轴取向得到抑制,其极化强度从0.45×10–6C/cm2提高到0.9×10–6C/cm2;矫顽场强从90×103V/cm下降到50×103V/cm。     

利用Ba0.65Ru0.35TiO3缓冲层制备高热释电系数的Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜

采用射频溅射,在Ba0.65Sr0.35TiO3(BST)薄膜和Pt/Ti/SiO2/Si衬底之间制备10 nm的Ba0.65Ru0.35RUO3 (BSR)缓冲层,研究了BSR缓冲层对BST薄膜结构和性能的影响.与没有BSR缓冲层的BST薄膜相比,BSR缓冲层可使BST薄膜呈高度a轴择优取向生长,改善了薄膜的介电常数,降低了薄膜的漏电流密度,使其热释电系数达到7.45×10-1 C cm-2 K-1.表明利用BSR缓冲层可以制备高热释电性能的BST薄膜.     

Au/Si基片上沉积Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜介电性能的研究

采用磁控溅射法在Au/Si基片上制备了铌酸锌铋BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7)薄膜。在基片温度200℃、本底真空1×10-3Pa条件下,BZN靶溅射0.5h,作为自缓冲层;然后在400℃下溅射1.5h,薄膜总厚度为200nm,650℃原位真空退火1h。XRD分析显示该薄膜为〈222〉单一取向,结晶良好;AFM扫描显示表面平整;测试表明不同频率下薄膜的性能没有大的改变。实验证明,选用电阻率较小的Au电极材料有利于器件性能的提高,实验得到介电常数可调率约20%、损耗为0.002~0.004。     

YBCO超导带材研究进展

简要回顾了高温超导带材的发展历史,然后系统地总结了YBCO超导带材的构成、基带、过渡层和超导层的制备方法,并介绍了当前国内外的研究水平和新近取得的进展,尤其是国内最近的重要进展.在此基础之上,对YBCO超导带材的应用和市场前景进行了展望.     

XPS谱在磁光介质可靠性分析中的应用

通过对单层结构和多层结构的磁光记录介质TbFeCo在常温环境气氛条件和高温加速应力条件下的可靠性对比实验,以及对组成元素的XPS光电子能谱分析,证明了只有经过多层结构保护处理的磁光记录介质才具有高的稳定性。     

大面积双面高温超导薄膜研究进展

大面积双面YBa2Cu3O7-δ高温超导薄膜具有优异的微波电学性能,在高端微波器件与电路中有着重要的应用。本文主要结合我们的工作介绍国内外大面积双面超导薄膜的研究工作进展,并着重结合器件应用要求进行相关讨论。     

热处理对STO铁电薄膜微结构的影响

系统研究了 CFA与 RTA两种热处理方式以及热处理温度和时间对 STO 薄膜微结构的影响。STO薄膜采用脉冲激光沉积法(PLD)制备。采用原子力显微镜(AFM)和XRD分别对薄膜的表面形貌和晶粒结构进行分析。结果表明,在热处理温度 650~800℃范围内,相对于 CFA、STO薄膜经 RTA热处理后,薄膜表面晶粒大小分布均匀、致密。两种热处理方法都使薄膜的晶粒直径随温度升高而增大,并且温度越高,薄膜的晶形越完整,同样热处理温度下,RTA与CFA相比薄膜的晶粒较小, 两种热处理方法的最大晶粒尺寸都<120nm。但XRD分析结果表明,在相同热处理温度下,CFA 热处理的结晶转化率较 RTA 热处理要高。在一定范围内,RTA热处理时间对薄膜晶粒尺寸影响不大,热处理时间越长,晶粒更加完整,表面更加均匀平整,结晶转化率越高。