基于负反馈技术的嵌套式直流失调消除电路

基于UMC 40 nm CMOS工艺,设计了一种带有直流失调消除电路(DCOC)的可编程增益放大器(PGA),该PGA采用闭环电阻反馈结构,由两级增益单元级联构成.DCOC电路基于传统的直流负反馈结构,针对多级级联的方式,提出了一种嵌套式反馈方法,可降低电路功耗和面积.仿真结果表明,DCOC在0-52 dB的增益变化范...     

SiC衬底上SiCGe薄膜组分、结构的测试与综合分析

采用低压化学气相沉积法在6H-SiC衬底上成功地生长了高Ge、C组分的SiCGe薄膜,利用XPS和XRD对样品进行了综合测试分析,研究了SiCGe薄膜的组分和结构特征,讨论了XRD峰位与薄膜的组分结构的关系,为进一步改善薄膜的性能提供了依据.结合XPS和XRD综合分析可知, 薄膜中Ge、C组分高达30.86%和9.06%,确为SiCGe相,并不是SiGe和SiC的简单结合.测试发现,SiCGe多晶薄膜为立方结构,在〈110〉和〈310〉方向上择优生长.     

SiC衬底上SiCGe薄膜的岛状机理分析

对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在6H-SiC(0001)面上外延生长的SiCGe薄膜结构进行了机理分析.SiCGe薄膜具有球形岛和三角形层状堆叠岛两种岛状结构,球形岛为金刚石型结构,而三角形层状堆叠岛则为闪锌矿型结构.认为球形岛是Ge富集后,高温析出形成的,而三角岛则是堆垛层错形成四面体的露头.生长温度的变化会引起球形岛和三角岛的相互转变,其原因主要有两方面:一方面,高温时,立方SiC相比SiCGe相更为稳定,随着温度的升高,SiCGe相逐渐向SiC相转变,替位式的Ge原子的数量会有所下降,从而使SiCGe外延层和SiC衬底间的晶格失配度减小,于是薄膜的生长模式由3D岛状变为2D生长,仅仅靠产生三角形堆垛层错释放失配应力;另一方面,生长温度越高,原子能量就越大,达到理想位置的原子比例越高,就会表现出材料本身的结构特征,而面心立方的{111}面上这种结构特征的体现就是三角形堆垛层错的产生.     

ITO与p型SiCGe的接触特性

利用直流磁控溅射系统在p型SiCGe和载玻片衬底上沉积ITO薄膜,并研究其ITO与p型SiCGe的接触特性与p型SiCGe制备条件、退火温度、退火时间的关系.结果表明:p型SiCGe制备条件的不同影响着退火使ITO/p型SiCGe的接触由线性变为非线性或者由非线性变为线性;随着退火温度的增加,接触电阻先减小后增加,这是由于退火过程中,接触界面层发生了反应以及接触势垒高度与宽度发生了变化造成的.当退火温度为500℃时,其接触电阻达到最小值,此时ITO薄膜的最高透过率高达90%,方块电阻为20.6Ω/□.