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101.
采用传统的氧化物固溶工艺制备了(Na0.51K0.44Li0.05)Nb092Ta0.08O3和助烧剂Na5.4Cu13Sb10O29.对(Na0.51K044Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3添加助烧剂Na5.4Cu1.3Sb10O29的研究表明,助烧剂能大幅度提高(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3的压电和机电耦合性能.质量百分比为4%Na5.4Cu1.3Sb10O29掺杂的(Na051K0.44Li0.05)Nb092Ta0.08O3具有高的压电应变常数(d33=266pC/N),高的机电耦合系数kt(46.7%)、k33(63.7%),较低的损耗(tanδ=1.8%),和高的居里温度(391℃).这些参数表明,Na5.4Cu1.3Sb10O29掺杂的(Na0.51K0.44Li0.05)Nb0.92Ta0.08O3是替代锆钛酸铅且具有很好的应用前景的无铅压电陶瓷. 相似文献
102.
对 Si O2 掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻非线性电学性质进行了研究 ,并对其微观结构进行了电镜扫描 ,且对其晶界势垒高度进行了测量。实验表明 x(Si O2 ) =0 .3%掺杂的 Sn O2 · Co O· Nb2 O5 压敏电阻的非线性系数 α高达 30 ,并且具有最高的击穿电场 (375 V/ mm)。采用 Gupta- Carlson缺陷模型对晶界肖特基势垒高度随Si O2 的添加而变大的现象进行了理论解释。 相似文献
103.
SnO2压敏电阻的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了Co2O3的含量对SnO2.Co2O3.Ta2O5系列压敏电阻性能的影响。实验发现,在温度为1350℃下烧成的99.2%SnO2+0.75%Co2O3+0.05%Ta2o5材料具有最大的击穿电压。应用晶界缺陷模型解释了SnO2.Co2O3.Ta2O5压敏电阻产生肖特基势垒的原因。按照这一模型,Co在肖特基势垒的的形成中起到一个关键作用。 相似文献
104.