闪锌矿GaN(110)表面原子和电子结构的理论计算

在密度泛函理论的基础上,采用平面波赝势方法计算了立方GaN(110)表面的原子和电子结构。结构优化表明最表层原子都向体内弛豫,且金属Ga原子弛豫幅度比非金属N原子大,同时各层层间距呈交错分布。表面弛豫后,最表层原子发生键长收缩的弛豫特性,表面Ga原子趋于形成sp2杂化得到的平面型构形,而表面N原子趋于形成p3型锥形结构。另外,理想立方GaN(110)表面在带隙中有两个明显的表面态,经过弛豫后,分别向价带和导带方向移动,并解释了导带底附近的表面态移动的幅度比价带顶附近的表面态大的原因主要由于表面Ga、N原子弛豫幅度不同引起的。此外,弛豫后,表面电荷重新分布,Ga原子周围的部分电子转移到N原子上。     

电光材料在光学相控阵技术中的应用

综述了光学相控阵的发展背景,对不同电光材料铌酸锂(LiNbO3)、砷化镓铝(AlGaAs)、锆钛酸铅镧(PLZT)陶瓷和液晶制作的光学相控阵进行了阐述,简要介绍了近期的一些研究成果,并对光学相控阵技术的发展前景进行了展望。     

掺杂中温烧结BaTiO_3陶瓷的壳－芯结构与组成、工艺的关系

研究了添加少量Ｎｂ，Ｂｉ，ＣＯ杂质及Ｂ，Ｚｎ玻璃相的ＢａＴｉＯ＿３系陶瓷介电性能与其组成、工艺及结构的关系。发现晶粒壳的Ｋ－Ｔ曲线为单峰，峰值在８０℃左右。陶瓷Ｋ－Ｔ曲线的双峰现象不随Ｎｂ，Ｂｉ添加量的增加而消失，但随Ｃｏ，Ｚｎ添加量增加或烧结温度的提高而向单峰过渡。研究结果表明Ｎｂ，Ｂｉ主要决定壳的成份，Ｃｏ可促进Ｎｂ，Ｂｉ离子向晶粒内部扩散，添加Ｚｎ，Ｃｏ或改变烧结工艺对壳的厚度及成份均有较大影响。     

基于Ba_xSr_(1-x)TiO_3薄膜电容的L波段可调滤波器

在蓝宝石基片上使用Ba_xSr_(1-x)TiO_3(BST)铁电薄膜电容作为可调元件制作出一种五阶梳状线可调带通滤波器。通过对BST平行板电容的材料特性(介电常数、损耗和可调率)的提取,其中40 V偏压下的可调率为43.1%,将这些特性运用于可调滤波器的制作。初步的实验结果分析表明,在20V直流偏置电压作用下,滤波器的中心频率从1.19GHz变化到1.31GHz(可调率为10.1%),带内插入损耗为13.5~13.7dB,回波损耗低于12dB。     

LSCO厚膜电阻浆料的制备与电性能研究

采用传统固相合成法制成的LSCO作为功能相,并用钙硼硅玻璃作为无机粘结相制备了厚膜电阻浆料。研究了玻璃相的含量、峰值烧结温度对厚膜方阻及电阻温度系数的影响。结果表明:当浆料固相成分中玻璃相的质量分数为3%～9%(体积分数为11.11%～28.56%)时,制备的厚膜电阻浆料方阻变化范围为1kΩ/□～10MkΩ/□。电阻温度系数为-8000×10-6/℃～-5000×10-6/℃。     

退火温度对Mn-Co-Ni-O系NTC薄膜阻温特性的影响

采用传统陶瓷工艺制作溅射靶材,通过射频磁控溅射法在Al2O3基片上制备了Mn-Co-Ni-O系NTC薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对不同退火温度下制备的NTC薄膜的结构和形貌进行表征。经过蒸发电极、内电极图形化、淀积二氧化硅钝化层等工艺,将薄膜制成0805规格NTC热敏电阻器。利用高低温试验箱等测试系统对其性能进行测试,研究了退火温度对薄膜阻温特性的影响。结果表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐长大,当退火温度为950℃时,晶粒大小均匀,成相平整致密;材料常数B随着退火温度的升高而增大。     

LCD的通用驱动电路IP核设计

本文介绍了一种新型的LCD驱动电路IP核的总体设计,采用自顶向下的设计方法将其划分为几个主要模块,分别介绍各个模块的功能,用VHDL语言对其进行描述,用FPGA实现并通过了仿真验证。该IP核具有良好的移植性,可驱动不同规模的LCD电路。     

掺杂中温烧结BaTiO3陶瓷的壳—芯结构与组成,工艺的关系

研究了添加少量Ｎｂ，Ｂｉ，Ｃｏ杂质及Ｂ，Ｚｎ玻璃相的ＢａＴｉＯ３系陶瓷介电性能与其组成、工艺及结构的关系，发现晶粒壳的Ｋ－Ｔ曲线为单峰，峰值在８０℃左右，陶瓷ＫＴ－Ｔ曲线的双峰现象不随Ｎｂ，Ｂｉ添加量的增加而消失，但随Ｃｏ，Ｚｎ添加量增加或烧结温度的提高而向单峰过渡，研究结果表明Ｎｂ，Ｂｉ主要决定壳的成份，Ｃｏ可促进Ｎｂ，Ｂｉ离子向晶粒向部扩散，添加Ｚｎ，Ｃｏ或改变烧结工艺对壳的厚度及成份均有较大     

烧结温度对YBCO陶瓷常温物理性能的影响

采用固相烧结法制备YBa2Cu3O7-x(YBCO)陶瓷,研究其在常温下电导率特性及烧结温度对电导率和热膨胀系数的影响。研究结果表明,YBa2Cu3O7-x相形成的温度为930℃、940℃烧结的YBCO陶瓷电导率最佳(达到9.742×105S/m),电导率具有随环境温度的变化呈正温度系数特点;烧结温度越高,电导率的环境热稳定性越好,烧结温度为950℃时,电导率基本不随环境温度变化而变化。不同烧结温度制备的YBCO陶瓷,热膨胀系数基本一致(为13.60~14.06μK-1),与铁素体不锈钢接近。     

Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的耐压特性研究

采用射频磁控溅射法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了基片、退火温度及膜厚对薄膜耐压特性的影响。结果显示,铝酸镧(LaAlO3)基片上制备的BST薄膜表面较平整,有较好的耐压;随着退火温度从750℃提高到850℃,BST薄膜晶粒长大,电击穿概率有所增加,750℃是一个较合理的退火温度。在优化的工艺条件下,BST薄膜耐压可达125V/μm。