超低温烧结ZTT陶瓷微结构及介电性能研究

采用传统固相反应法制备Zn2 Te3 O8-30％TiTe3O8 (ZTT,质量分数)粉体,在低于600℃的管式气氛炉中烧结,利用XRD、SEM及微波网络分析仪等手段对不同热处理后的样品进行分析,并测试介电性能.实验表明,ZTT能在超低温下烧结成瓷,且介电性能良好(低频测试下介电常数εr=19～27,损耗低于3％,高频下品质因数与频率之积Q×f=56 191 GHz,频率温度系数τf=1.66μ℃-1),为制作低成本薄膜电容提供可能.     

离子束辅助沉积MoS2复合膜的XPS和ESR特性分析

通过IBAD技术制备了MoS2 Ag(Cu)复合膜 ,并利用XPS和ESR考察了复合膜的氧化情况。发现在RH为 6 0 %的大气环境下 ,Cu的掺入加速了MoS2 的氧化 ,相反Ag的加入却使MoS2 的氧化受到抑制 ;XPS发现MoS2 Cu复合膜中存在Mo6 ,ESR却并没发现中间态Mo5 ;而XPS没有检测到MoS2 Ag膜中有Mo6 ,ESR却发现Mo5 。这说明Mo5 受化学环境影响较大     

直接键合硅片的亲水处理及其表征

硅片直接键合技术的关键在于硅片表面的亲水处理,本文分析了亲水处理之微观机理,从界（表）面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法,并测量了常用清洗液的接触角大小。     

掺杂中温烧结BaTiO_3陶瓷的壳－芯结构与组成、工艺的关系

研究了添加少量Ｎｂ，Ｂｉ，ＣＯ杂质及Ｂ，Ｚｎ玻璃相的ＢａＴｉＯ＿３系陶瓷介电性能与其组成、工艺及结构的关系。发现晶粒壳的Ｋ－Ｔ曲线为单峰，峰值在８０℃左右。陶瓷Ｋ－Ｔ曲线的双峰现象不随Ｎｂ，Ｂｉ添加量的增加而消失，但随Ｃｏ，Ｚｎ添加量增加或烧结温度的提高而向单峰过渡。研究结果表明Ｎｂ，Ｂｉ主要决定壳的成份，Ｃｏ可促进Ｎｂ，Ｂｉ离子向晶粒内部扩散，添加Ｚｎ，Ｃｏ或改变烧结工艺对壳的厚度及成份均有较大影响。     

基于Ba_xSr_(1-x)TiO_3薄膜电容的L波段可调滤波器

在蓝宝石基片上使用Ba_xSr_(1-x)TiO_3(BST)铁电薄膜电容作为可调元件制作出一种五阶梳状线可调带通滤波器。通过对BST平行板电容的材料特性(介电常数、损耗和可调率)的提取,其中40 V偏压下的可调率为43.1%,将这些特性运用于可调滤波器的制作。初步的实验结果分析表明,在20V直流偏置电压作用下,滤波器的中心频率从1.19GHz变化到1.31GHz(可调率为10.1%),带内插入损耗为13.5~13.7dB,回波损耗低于12dB。     

LSCO厚膜电阻浆料的制备与电性能研究

采用传统固相合成法制成的LSCO作为功能相,并用钙硼硅玻璃作为无机粘结相制备了厚膜电阻浆料。研究了玻璃相的含量、峰值烧结温度对厚膜方阻及电阻温度系数的影响。结果表明:当浆料固相成分中玻璃相的质量分数为3%～9%(体积分数为11.11%～28.56%)时,制备的厚膜电阻浆料方阻变化范围为1kΩ/□～10MkΩ/□。电阻温度系数为-8000×10-6/℃～-5000×10-6/℃。     

退火温度对Mn-Co-Ni-O系NTC薄膜阻温特性的影响

采用传统陶瓷工艺制作溅射靶材,通过射频磁控溅射法在Al2O3基片上制备了Mn-Co-Ni-O系NTC薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)对不同退火温度下制备的NTC薄膜的结构和形貌进行表征。经过蒸发电极、内电极图形化、淀积二氧化硅钝化层等工艺,将薄膜制成0805规格NTC热敏电阻器。利用高低温试验箱等测试系统对其性能进行测试,研究了退火温度对薄膜阻温特性的影响。结果表明,随着退火温度的升高,晶粒逐渐长大,当退火温度为950℃时,晶粒大小均匀,成相平整致密;材料常数B随着退火温度的升高而增大。     

LCD的通用驱动电路IP核设计

本文介绍了一种新型的LCD驱动电路IP核的总体设计,采用自顶向下的设计方法将其划分为几个主要模块,分别介绍各个模块的功能,用VHDL语言对其进行描述,用FPGA实现并通过了仿真验证。该IP核具有良好的移植性,可驱动不同规模的LCD电路。     

掺杂中温烧结BaTiO3陶瓷的壳—芯结构与组成,工艺的关系

研究了添加少量Ｎｂ，Ｂｉ，Ｃｏ杂质及Ｂ，Ｚｎ玻璃相的ＢａＴｉＯ３系陶瓷介电性能与其组成、工艺及结构的关系，发现晶粒壳的Ｋ－Ｔ曲线为单峰，峰值在８０℃左右，陶瓷ＫＴ－Ｔ曲线的双峰现象不随Ｎｂ，Ｂｉ添加量的增加而消失，但随Ｃｏ，Ｚｎ添加量增加或烧结温度的提高而向单峰过渡，研究结果表明Ｎｂ，Ｂｉ主要决定壳的成份，Ｃｏ可促进Ｎｂ，Ｂｉ离子向晶粒向部扩散，添加Ｚｎ，Ｃｏ或改变烧结工艺对壳的厚度及成份均有较大     

烧结温度对YBCO陶瓷常温物理性能的影响

采用固相烧结法制备YBa2Cu3O7-x(YBCO)陶瓷,研究其在常温下电导率特性及烧结温度对电导率和热膨胀系数的影响。研究结果表明,YBa2Cu3O7-x相形成的温度为930℃、940℃烧结的YBCO陶瓷电导率最佳(达到9.742×105S/m),电导率具有随环境温度的变化呈正温度系数特点;烧结温度越高,电导率的环境热稳定性越好,烧结温度为950℃时,电导率基本不随环境温度变化而变化。不同烧结温度制备的YBCO陶瓷,热膨胀系数基本一致(为13.60~14.06μK-1),与铁素体不锈钢接近。