MgO掺杂对ZnO基线性电阻陶瓷性能的影响

以ZnO为基添加Al2O3和MgO制备了导电陶瓷;研究了MgO掺杂含量对ZnO陶瓷电阻率、电阻温度系数和相对密度的影响;测试分析了ZnO导电陶瓷在室温小电流时的伏安特性.结果表明,ZnO-Al2O3-MgO系陶瓷具有线性的伏-安(V-I)特性;添加MgO能增大电阻率且可改善电阻温度系数,当x(MgO) =5％时,小电流电阻率为178 Ω·cm,电阻温度系数为－1.5×10-3/℃;适量的MgO含量有利于烧结致密化.     

钛酸锶钡(BST)薄膜的组成、结构与性能研究进展

钛酸锶钡 (BST)薄膜是一种重要的铁电薄膜 ,应用广泛 ,是高新技术研究的前沿和热点之一。简要介绍了BST薄膜的制备方法和应用 ,对此薄膜的基片、电极、晶界、界面、热处理、膜厚及组成、结构、性能等方面作了重点讨论 ,提出了研究中需要解决的一些问题     

氮化硅薄膜MIM电容器的制备与性能研究

在被釉氧化铝陶瓷基片上,采用真空电阻蒸发法和等离子体增强化学气相沉积法制备了Au/NiCr电极薄膜及氮化硅(SiNx)介质薄膜,并对薄膜进行光刻图形化,制成了Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr结构的MIM电容器。研究了所制电容器的介电性能、介温性能和I-V特性等电学性能。结果表明:所得MIM电容器具有很低的介电损耗(1MHz时tanδ为0.00192)及很高的电压稳定性;在–55～+150℃的范围内其1MHz时的电容温度系数为258×10–6/℃;另外,其I-V特性曲线显示出较好的对称性,漏电流密度较低,可承受较高的电压。     

高Q值平面螺旋电感的多电流路径结构设计

通过将平面螺旋电感器中的单股宽导线分成并联的多条细导线而在电感中形成多电流路径结构,可以降低电感的高频损耗并提高其品质因数(Q值)。利用HFSS电磁仿真软件对具有多电流路径结构的螺旋电感进行了设计与优化。结果表明,在尺寸不变的情况下,采用了多电流路径结构的平面螺旋电感的Q值提高了80%以上,这为高Q值小型平面螺旋电感的研制提供了思路。     

降温速率对Zr0.8Sn0.2TiO4陶瓷微波特性的影响

以Zr0.8Sn0.2TiO4 (ZST)作为主配方,以w(WO3)=0.25％和w(ZnO)=1％作为改性剂,采用传统的固相法工艺,在烧结环节对其进行降温速率的研究.通过对样品的线性收缩率的测量知1 340℃是最佳的烧结温度.在1 340～1 000℃的降温过程中研究了不同的降温速率对ZST微波性能的影响.对不同降温速率的样品进行了密度测量.结果表明,降温速率为10℃/h时,样品的密度5.05 g/cm3最大.通过X线衍射(XRD)分析仪及矢量网络分析仪对其样品晶体结构和微波介电性能进行了分析.实验结果表明,少量的WO3和ZnO加入可使ZST的烧结温度降低到1 340℃;降温速率的减缓会改变晶格尺寸,使晶格体积缩小.微波性能测试最佳结果为在1 340℃烧结、10℃/h降温速率处介电常数为36.88,品质因数与频率之积Q×f值为35 000 GHz(7.8 GHz).     

铁电薄膜中的电畴研究进展

铁电薄膜是一类重要的功能材料,铁电畴是其物理基础.综述了铁电薄膜中电畴的表征方法(高分辨透射电镜、扫描力显微镜、X射线衍射、拉曼光谱等)、类型(c畴和a畴、180°畴和90°畴等)、临界尺寸(单畴临界尺寸和铁电临界尺寸)等方面的研究进展,提出了研究中需要解决的一些问题.     

PST陶瓷的微结构和电性能研究

研究了Pb含量对PbxSr1-xTiO3（x=0．2～0．8）陶瓷微结构和介电性能的影响，当x＜0.45时，c/a≈1，晶体为立方顺电相；x≥0．45时，c/a＞1，晶体为四方铁电相；随着Pb/Sr比增大，PST陶瓷气孔率下降，致密度增加，晶粒尺寸逐渐增大，居里峰近似线性地向高温方向移动，并具有一致的居里外斯常数，剩余极化强度（Pt）、矫顽场强（Ec）都增大。     

铁电薄膜移相器研究进展

铁电薄膜移相器响应速度快、成本低、功耗和体积小,是一种模拟移相器,非常适合应用于相控阵天线特别是共形阵天线.介绍了4种主要的铁电薄膜移相器的结构、原理、性能和特点,指出分布型和全通网络型铁电薄膜移相器具有良好的发展前景,并进一步总结了国内外研究现状和存在的问题,提出了今后的研究方向.     

化学镀镍液自动分析仪的研制

采用连续流动分光光度的原理研制出了化学镀镍工艺过程镀液中硫酸镍和次磷酸钠在线自动分析仪,通过对标准硫酸镍和次磷酸钠浓度的测试得出了浓度与吸光度关系的回归方程.对不同镀液的测试,自动分析仪的标准偏差小于2%,与化学分析方法相比的误差小于3%,并可将分析时间缩短至6min.     

石英基片上(110)取向PLZT薄膜及其光学性能研究

在低成本的石英玻璃衬底上制备高性能电光薄膜非常有吸引力。本文采用溅射方法,并结合Pb3O4气氛退火工艺,在ITO/石英玻璃衬底上制备锆钛酸铅镧(PLZT 8/65/35)薄膜。结果表明:在优化工艺条件下,薄膜为(110)方向择优生长,表面均方根粗糙度为3.1nm,可见光范围内透过率为81.3%,消光系数为0.003。这种表面光滑和高光学性能的PLZT薄膜在集成光学和光电子器件具有重要的应用潜力。