绿色建筑设计理念在建筑设计中的应用

正一、绿色建筑设计理念概述及应用优势1.绿色建筑设计理念概述绿色建筑发展周期并不长,概念仍相对比较模糊,绿色建筑设计主要考量周边地形、环境、气候等因素,优选高效节能技术,使各类能源得到充分利用。同时,还要兼顾外观设计,注重与周围环境的协调性,实现人、自然、建筑的统一。绿色建筑设计施工要求比较高,应优选对环境污染小,并且对人体无害的加气混凝土制品、低辐射镀膜玻璃、高强钢等绿色材料,并对建筑材料的蓄热保温性     

井场用XBD5T定柱式悬臂起重机的研制

井场用XBD5T定柱式悬臂起重机是针对出口俄罗斯奥伦堡ZJ70DB低温钻机配套要求开发的一种井场起吊设备。在起吊过程中,通过电动机旋转带动固定在旋转筒上的齿圈实现旋转作业,重物的起升靠电动葫芦远程无线控制。定柱式悬臂起重机的工业试验及其在俄罗斯的现场应用表明,该产品在井场应用效率高、方便、快捷、安全,对小吨位的重物搬运是自走式起重机的理想替代品。最后指出该产品对开发俄罗斯及中东国家石油钻机市场具有很大的推动作用。     

浅论活塞环立式内外圆仿形加工车床

仿形车加工是活塞环机械加工的关键工序,其加工质量对活塞环的性能有着重要影响。立式内外圆仿形车床,起初由瑞士DIMACO公司研发,该设备是集活塞环内外圆同时仿形加工、开口于一体的组合机床。其仿形凸轮进行了系列化处理,创新设计了框式滑架车头,机床加工产品质量稳定,精度好,效率高。虽然其性能优异,但因价格昂贵,国内仅有两家活塞环企业引进了3台。近年来,国内一些设备制造厂也自主研发了活塞环立式内外圆仿形车床,并日趋成熟,将会有越来越多的活塞环生产企业采用。     

一种新型无源MEMS万向碰撞开关

采用MEMS体Si加工工艺和圆片级封装技术,开发了一种基于特种运输中的新型无源MEMS万向碰撞开关。开关选用弹簧-质量-阻尼的典型碰撞结构,对惯性加速度计敏感,以碰撞接触的形式提供导通电阻信号,并拥有500g径向360°和1000g纵向碰撞触发,单个器件可以实现多个器件的功能。经过仿真设计和工艺研究,最终完成了开关的制作,封装后体积后为6.6mm×5mm×2.4mm。经测试表明开关实现了初始的设计阈值,导通电阻约10Ω,导通时间约10μs,验证了抗5000g冲击能力,它具有体积小、重量轻、高可靠、低成本,可反复使用等特点,在可靠性跌落试验、汽车安全碰撞试验和飞行器上具有广泛的应用前景。     

SDB技术在MEMS加速度计中的应用

介绍了硅硅直接键合(SDB)技术的反应机理、实现方法和技术优势,重点阐述了SDB技术在MEMS加速度计中的应用;通过初步测试,表明利用SDB技术制作的加速度计具有很好的稳定性.     

低温硅片直接键合和界面行为

描述了低温硅片直接键合（ＬＴＳＤＢ）的实现和质量评价。通过高分辨率电子显微（ＨＲＥＭ）和表面电离质谱分析（ＳＩＭＳ）的方法对键合界面特性进行了研究。用ＨＲＥＭ图象了诸如位错和ＳｉＯ２的随机分布等界面结构，ＳＩＭＳ结果表明了靠近键合界面的分布情况和Ｓｉ－Ｈ原子团的其他特性，提出了一种新的两步ＬＴＳＤＢ机理。     

大位移、低电压驱动MEMS静电梳齿驱动器的设计与研究

分析了MEMS静电梳齿驱动工作原理,以梳齿结构和弹性梁结构为基础,综合考虑了动态特性、可靠性以及加工工艺可行性要求。提出了非等高结构、变形曲臂梁结构、位移放大驱动器、垂直Z向位移静电梳齿驱动器等四种大尺度、低电压驱动线性MEMS静电梳齿驱动器结构设计。利用CAD采用FEA法分别建模、仿真,进行了大位移、低电压驱动MEMS静电梳齿驱动器的动态与静态的研究,并获得20V直流偏置、位移80～130μm、驱动器面积小于2mm×2mm的结果。     

MEMS光开关

采用 MEMS体硅工艺 ,制作了三种结构的微机械光开关 :水平驱动 2 D(二维 )光开关、垂直驱动 2 D光开关和扭摆驱动 2 D、3D(三维 )光开关 .水平驱动光开关采用单层体硅结构 ,另外两种光开关都采用了硅 -玻璃的键合结构 .它们的工作原理都基于硅数字微镜技术 .这三种光开关均采用了静电力驱动 ,具有较低的驱动电压 ,其中扭摆式光开关的驱动电压小于 15 V.对于 2 D开关阵列 ,在硅基上制作了光纤自对准耦合槽 .对后两种光开关的开关特性进行了计算机模拟与分析 ,结果表明这两种光开关具有小于 1ms的开关时间     

硅基SiO2光波导

在硅基上通过氢氧焰淀积的SiO2,厚度达到了20μm;通过掺Ge增加芯层的折射率,折射率比小于1%,并可调;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀,刻蚀深度为6μm,刻蚀深宽比大于10;波导传输损耗小于0.6dB/cm(λ=1.55μm),并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究.另外,为实现光纤与波导的耦合,结合微电子机械系统技术,在波导基片上制作了光纤对准V形槽.     

Au/Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用

研究了Au/Sn共晶圆片键合技术在MEMS气密性封装中的应用。设计了共晶键合多层材料的结构和密封环图形,盖帽层采用Ti/Ni/Au/Sn/Au结构,器件层采用Ti/Ni/Au结构,盖帽层腔体尺寸为4.5 mm×4.5 mm×20μm,Au/Sn环的宽度为700μm,优化了键合工艺,对影响气密性的因素(如组分配比、键合前处理和键合温度等)进行了分析。两层硅片在氮气气氛中靠静态的压力实现紧密接触。在峰值温度为300℃、持续时间为2 min的条件下实现了良好的键合效果,其剪切力平均值达到16.663 kg,漏率小于2×10-3 Pa·cm3/s,满足检验标准(GJB548A)的要求,验证了Au/Sn共晶键合技术在MEMS气密封装中的适用性。