双温区合成法制备ZnGeP2多晶材料

合成高纯及化学计量比的ZnGeP2多晶材料是生长高质量ZnGeP2单晶的关键。但由于P在高温下蒸气压高,Zn和P易挥发等因素,使合成化学计量比ZnGeP2多晶材料存在一定困难。采用双温区合成法制备了ZnGeP2多晶材料,用X射线粉末衍射分析了反应过程中在炉内温度梯度区间生成的中间产物和在高温区末端石英管壁上的少量沉淀。结果表明:温度梯度区间生成的中间产物中ZnP2含量为95.45%(体积分数,下同),Zn3P2含量为4.55%。高温区末端石英管壁上的沉淀中ZnP2含量为40%,ZnGeP2含量为60%,Zn和P的挥发导致合成的ZnGeP2多晶体中富含Ge。通过调节高温区的温度和降温速率,可有效地控制组分挥发,得到化学计量比的ZnGeP2多晶材料。     

脉冲参数对镀层微观结构及性能的影响

采用脉冲电镀法在紫铜和钢制试样上制备镀镍层。用ＳＥＭ和Ｘ衍射仪观察和研究了脉冲电镀镍层的表面形貌微观结构,测试了镀层硬度,测量了试样在７ｍｏｌ／Ｌ　ＨＮＯ３溶液中的耐蚀性。用滤纸法和挠度弯曲法测试了镀层的孔隙率和内应力。研究结果表明,脉冲电镀镍层与直流镀镍层相比,结晶细密,孔隙率低,内应力和硬度提高,这主要是存在［２００］晶面择优取向的结果。     

GaAs多晶薄膜的电共沉积制备及其半导体性能研究

采用电共沉积制备ＧａＡｓ薄膜,研究了电流密度、溶液中离子浓度比、ｐＨ值等电沉积参数对膜层质量的影响,并在观察膜层莆貌的基础上,测定了膜层化学成分晶格结构和能级位置、带隙值等幸导体性能,测试结果证明膜的直接带隙材料性、带隙密度为１．４０ｅＶ,薄膜成分为Ｇａ０．９９４６Ａｓ１．００５４,接近化学计量的ＧａＡｓ。     

SRT传感器的封装热学特性研究

主要分析ＳＲＴ传感器的传热过程,建立了传热模型,从理论上分析其瞬态热响应特性,得出了理论的热响应曲线和热时间常数表达式,计算出塑封ＳＲＴ传感器典型的热时间常数值。     

Al_xGa_(1-x)As三元化合物共沉积研究

在简单盐溶液中添加络合剂——柠檬酸 ,电共沉积 Alx Ga1 - x As三元化合物。用能谱分析仪进行成分分析 ,获得化学计量比接近 Al0 .3Ga0 .7As的三元化合物半导体材料。     

钛合金的特性及未来发展趋势

本文通过总结钛合金的分类及特征,分析了未来钛合金研究的发展趋势。     

直接法合成三烷氧基硅烷的研究进展

综述了近几十年来直接法合成三烷氧基硅烷的研究成果,对直接法合成烷氧基硅烷的影响因素进行了分析,包括合成原料成分分析、硅铜触体的预处理及催化体系评价、反应媒介、产品纯化分离等;同时,对反应器类型也进行了评价,在此基础上展望了直接法合成三烷氧基硅烷的发展方向。     

有机铜催化剂催化合成三乙氧基硅烷

传统的直接法合成三乙氧基硅烷多以卤化铜为催化剂,存在产品卤素含量高,反应过程中产物易水解的问题.本文以乙酸铜和自制双二乙基磷酸铜为催化剂,对硅粉与催化剂的混合体(触体)进行微波活化处理,研究了活性触体和乙醇进行反应合成三乙氧基硅烷的工艺影响因素,主要考察了微波功率、微波处理时间、反应温度、促进剂及搅拌速度等因素对三乙氧基硅烷的选择性和硅粉转化率的影响.通过对两种有机铜催化剂的对比研究发现,双二乙基磷酸铜的催化效果较好.微波处理触体[m(Si):m(双二乙基磷酸铜)=10∶1],以氟化铵和噻吩为双重促进剂,得到三乙氧基硅烷的选择性达到99.3%,硅粉转化率为41%.     

废弃镉镍电池的再利用

引　言镉镍电池因具有高性能高价格比而得到广泛应用 ,由此必然导致废旧镉镍电池的数量越来越多 ,大量的这种固体废弃物对环境造成的危害极为严重 .为此 ,发达国家纷纷对之进行再利用 ,并将形成一个重要的高科技产业[1].但是 ,目前我国被零星抛弃的废旧镉镍电池往往是与垃圾一起混合收集 ,并通过填埋和焚烧进行处理 ,这必然导致对环境的污染 ,也不利于社会的可持续发展 .为此 ,对之再利用具有重要的意义 .尽管最近出现的金属氢化物镍电池[2 ]和锂离子电池[3]得到了迅猛的发展 ,但因镉镍电池自身的特点决定了完全取代之尚需时日 .所以 ,本文…     

寿命周期费用法在国有石油化工企业设备采购中的应用研究

国有石油化工企业的微利时代已经到来,企业在设法开源的同时,节流也是应对微利的方法之一。长期以来,国有石油化工企业往往只注重设备购置过程中的初期投入,很少考虑设备后期的使用、维修及报废所带来的隐形成本,这样就会使得企业陷入买得起用不起的窘境。本文通过对国有石油化工企业设备采购中存在的问题进行分析,结合LCC方法（Life Cycle Cost,简称LCC）,构建包括采购成本、运营成本和处置成本在内的成本分析的公式模型,并提出相应的对策和建议。