钢丝绳磁检测中漏磁场的有限元分析

为了考察钢丝绳断丝产生的漏磁感应强度大小,为磁检测系统中传感器的设计提供依据,采用有限元法计算了钢丝绳断丝产生的漏磁感应强度。结果表明:钢丝绳断丝产生的漏磁感应强度是沿着远离钢丝绳表面的方向减小的,利用有限元分析可为传感器的设计提供理论依据和参考。     

基于无线射频传输的钢丝绳无损检测系统设计

针对复杂环境下钢丝绳无损检测的要求,设计和建立了一种基于无线射频传输的分布式检测系统。首先,各数据采集节点将钢丝绳的漏磁信号通过无线射频方式传送到数据接收节点;然后,由数据接收节点将信号通过串口传送给主机;最后,由主机对各点采集的信号进行集中处理。实验结果表明:系统能准确地检测到钢丝绳附近的漏磁信号。     

光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究

本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。     

OBS网络中多重主动重调度算法

信道调度算法是光突发交换（OBS）网络的关键技术之一。在主动重调度算法的基础上,提出了一种新的多重主动重调度算法,通过搜索并重调度数据信道上所有能进行重调度的突发,使多个突发重调度后产生的间隔尽量小,从而降低突发丢失率。     

NDN中快速的贪婪名称查找策略

针对当前基于Trie的变长层次化且可以无限长度的命名的数据网络（Named Data Networking,NDN）内容名称的最长前缀匹配查找策略存在复杂性高、查找速率低且树型数据结构的更新开销高等问题,导致算法效率低,提出一种快速的贪婪名称查找机制（FGNL）来实现数据包的快速转发。快速的贪婪的组件代码分配机制复杂性较低,容易实现,支持快速更新;组件编码树本质上是一个二维状态转移表,进一步转换成快速的哈希表查找;多哈希表结构创建速度快,且压缩存储空间,能够极大地加快名称查找的速度。实验结果证明,与字符查找树相比FGNL方案减少大约48.71%的内存,与NCE相比节省26.98%的存储空间,且查找速度获得了2倍的加速。评估结果也表明,该方案可以向上扩展来适应名称集潜在的未来增长。     

面向乳腺癌图像的浅层高识别卷积神经网络研究

乳腺癌是易发生且致死率高的恶性肿瘤之一,及早诊断识别是降低致死率的关键.基于应用广泛的乳腺癌病理图像,结合卷积神经网络展开乳腺癌的识别研究.针对癌症图像细节和纹理特征难以识别的问题,采用插值处理将图像进行适当放大,以便研究分析.针对卷积神经网络参数庞大不易训练和不易硬件实现的问题,提出一种精简的5卷积层W型网络结构,具...     

时隙光突发交换网络QoS优先级保证方案研究

已有研究表明时隙光突发交换(TS-OBS)网络与常规OBS网络的性能基本一致.因此,在TS-OBS网络中有效地支持QoS(Quality of Service)是一个很重要的问题.文章从时隙分集出发,提出了一种适合TS-OBS网络的QoS算法,这种算法可以根据各个优先级业务变化情况,动态地调整各个优先级业务使用的时隙数目,能够在提供区分服务的同时更有效提高信道的利用率并降低网络的阻塞率.     

一种HEVC帧内快速编码算法

高效视频编码(HEVC)采用编码单元(CU)四叉树的 分割结构,相比H.264/AVC显著地提升了编码效 率,但却使编码复杂度急剧增加。为此,本文提出一种帧内快速编码算法。首先,根据视 频图像纹理复 杂度,提前判断是否进行最大编码单元(LCU)分割。然后,根据空域相邻CU的深度预测当前C U的深度范围, 跳过不必要的计算;最后,根据预测模式被选为最优预测模式的统计特性,去掉可能性小的 帧内预测模式。本文算法在HM14.0的基础上实现。 仿真结果表明,本文算法在全I帧模式下与HM14.0相比,帧内编码时 间平均减少38%,码率(BR)只增加1.41%,峰值信噪比(PSNR)只降低0.29dB,在保证编码性能和视频质量几乎不变的 情况下,本文算法降低了编码的计算复杂度。     

溅射工艺条件对TbFeCo/Pt薄膜磁性能的影响

采用射频磁控溅射法在玻璃基片上成功制得了TbFeCo/Pt非晶垂直磁化膜,系统研究了溅射工艺参数对TbFeCo薄膜磁性能的影响.振动样品磁强计测量结果表明:Tb含量在补偿成分点附近,采用较低的溅射氩气压与Pt底层,有利于提高TbFeCo薄膜的磁性能;当Tb含量为0.24,溅射功率为300W,溅射气压为0.53Pa,薄膜厚度为140nm时,TbFeCo/Pt薄膜矫顽力达到476kA/m,饱和磁化强度为151kA/m,剩磁矩形比超过0.8,该薄膜有望用作高密度光磁混合记录介质.     

磁控溅射制备Cu底层的实验研究

使用射频磁控溅射方法在载玻片上制备Cu薄膜,并通过调整其溅射参数来改变Cu薄膜的内部结构.实验结果表明:当基的片加热温度为100～150℃、薄膜厚度为405 nm、溅射功率为150～300 W时,所制得的沿(111)面择优生长的Cu薄膜的Ⅰ(111)/Ⅰ(200)均大于15,可作为SmCo5垂直磁化薄膜的衬底层.