光调制直接重写磁光多层膜测试方法研究

为了测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能 ,试制了磁光多层膜光调制直接重写特性测试系统。磁光信号检测采用改进差动式检测 ,检测方式仅与磁光克尔角大小有关 ,可以用来作样品的克尔角指示。同时 ,该检测方式由于不受激光功率和盘片反射率变化的影响 ,对光电探测器的温漂特性也有良好抑制作用 ,更适合静态实验的需求 ,可以较好地测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能。     

硬盘用高密度垂直磁记录薄膜研究进展

综述了硬盘用高密度垂直磁记录薄膜的研究发展状况,包括几种重要垂直磁记录薄膜的膜层结构与制备方法。垂直磁记录介质的噪声降低问题。     

磁性薄膜生长的元胞自动机模拟

采用原子嵌入势,用元胞自动机方法模拟了铁(001)面上的薄膜生长。研究了溅射原子的沉积、迁移扩散和再蒸发3个主要的过程。发现溅射功率和基底温度对薄膜表面所形成岛核的形态影响很大,定量计算了当溅射功率和基底温度变化时岛的均匀度。给出了对于实验有指导意义的结论。     

NiO/Co/Cu/Co/NiFe自旋阀多层膜研究

采用射频磁控溅射方法制备了一系列自旋阀多层膜。在Cu/NiFe界面处插入适当厚度的Co薄层,可增强界面处的自旋相关散射,增大自旋阀的MR值。用绝缘材料NiO作钉扎层,在大磁场中淀积了NiO/Co/Cu/Co/NiFe底自旋阀,其最大MR值达6％。     

超分辨近场结构光磁混合存储介质温度场模拟

为了进一步减小光磁混合存储记录位尺寸,建立了用于光磁混合存储记录介质的超分辨近场结构膜层模型、近场光场模型及温度场模型,采用有限元方法对超分辨近场结构光磁混合存储介质记录层的温度场进行了计算模拟。计算中采用的光磁混合记录介质膜层结构为C(2nm)/Sb(10nm)/SiN(10nm)/Co75Cr15Pt10(30nm). 当写入温度为550K时,随着入射激光功率的增加,光磁混合存储介质记录层温度场可写入区域面积增加。当激光功率从3.9mw增至6.9mw时,温度场可写入区域横向及纵向尺寸增加约1倍,记录密度减小至原记录密度的四分之一。     

磁光盘静态特性参数的计算机辅助测试

文中指出了这种辅助测试的基础,介绍了该测试的条件和目的,论述了系统的硬件设计和软件设计。     

晶粒尺寸对于Co基介质过渡区噪声影响的微磁学分析

采用微磁学方法分析晶粒尺寸对Co基垂直磁记录介质CoCrPt、TbFeCo和SmTbCo的磁化特征和过渡区噪声性能的影响。结果表明,随着晶粒尺寸的增加,3种Co基介质的矫顽力和矫顽力矩形比均下降,过渡区噪声(过渡区位置偏移σj)随晶粒尺寸的增加而线性增大。在以上3种材料中,TbFeCo介质具有最大的矫顽力、矫顽力矩形比和最小的噪声。因此,考虑到晶粒尺寸对介质矫顽力,矫顽力矩形比和过渡区噪声的综合影响,应该将介质的晶粒尺寸控制在较小的值。     

AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜的制备及其逆磁电效应研究

借助射频磁控溅射成功制备了AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜, 探讨了退火条件对AlN薄膜压电性能和FeCoSiB薄膜磁性能的影响, 并研究了其逆磁电响应。结果显示, 500℃退火处理的AlN薄膜具有高度(002)择优取向和柱状生长结构; 经过300℃退火后FeCoSiB薄膜的磁场灵敏度提高。该磁电复合薄膜的逆磁电电压系数(α_CME)在偏置磁场(H_dc)为875 A/m时达到最大值62.5 A/(m·V); 且磁感应强度(B)随交变电压(V_ac)的变化呈现优异的线性响应(线性度达到1.3%)。这种AlN/FeCoSiB磁电复合薄膜在磁场或电场探测领域具有广阔的应用前景。     

不同退火时间对[Ag/FePt]_(10)多层膜磁性能和微结构的影响

采用射频磁控溅射的方法,在玻璃基片上制备了不同Ag层厚度的[Ag/FePt 2nm]10多层薄膜,经550℃真空热处理后,得到L10有序结构的FePt薄膜.实验结果显示,FePt单层薄膜经550℃退火30min后其易磁化轴处于垂直方向和面内方向之间,而550℃退火60min后其易磁化轴处于垂直于膜面方向,垂直矫顽力和面内矫顽力分别为634和302kA/m;真空退火后[Ag/FePt]10多层膜表现为面内磁晶各向异性,550℃退火60min后[Ag 2.8nm/FePt 2nm]10多层薄膜垂直矫顽力和面内矫顽力分别为309和778kA/m,并且随着Ag层的加入,部分FePt颗粒已经被Ag原子隔开了,颗粒之间的交换耦合作用变弱了.     

磁编码器多极磁鼓空间磁场分布研究

本文通过对磁编码器磁鼓空间磁场分布的理论计算和定性分析,找出场点位置、磁极数、磁层厚度和磁鼓形状等因素对磁场空间分布的影响,阐明在一定条件下,磁阻探头存在一最佳空间放置点。