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介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜,实验表明金的延展性比较好,弹性比铝硅合金稍差,启动电压较高.相比较含硅4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为2 0 V时,相移量可达到3 70°/3 .5 mm以上( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量,其传输损耗为5 5~90°/ d B,比金可动膜结构要高 相似文献
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提出了一种从XDL文件中提取现场可编程门阵列(FPGA)底层逻辑和布线资源的方法.预处理阶段通过正则表达式将原有底层逻辑文件转换为待分析的有层次属性的关系型数据库.数据挖掘阶段则根据各个层次数据内部的特性不同,采用不同的算法进行聚类来得到初步知识.通过粗糙集分析初步知识间的关系和约简属性,得出初步知识间的联系同时进一步提取出决策规则和产生式规则的知识.最后,通过规则验证器和泛化器对提取出的规则进行验证和泛化.实验结果表明,对于大型的FPGA器件,wire的逻辑最高压缩比可以达到2.88×10-4.该方法相对于底层器件有较好的通用性和交互性,适用于对不同器件族FPGA底层信息的知识提取,对深入研究FPGA的拓扑架构,提高对FPGA进行动态重配置的可控性和实现更灵活的重配置很有意义. 相似文献
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本文用连续近似和半路平面模型两种近似,在考虑多根原子弦的条件下(多弦近似),计算了沟道产额角分布.在计算横向能量E_1与可进入区面积A(E_⊥)的关系曲线时,本文用随机投点的方法替代 K.Sato等人的划格子的方法,以提高计算的适应性.对于1MeV He离子入射Si<110>沟道,本文用半路平面模型和多弦热平均势算得ψ_(1/2)为0.81°,这个结果比S.T.Picraux等人用单弦静态势算得的值0.89°更为接近实验值(0.75°).本文对ψ_(1/2)和x_(min)的理论值与实验值的差别以及改进理论计算的可能方法作了讨论. 相似文献
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离子束增强沉积制备氮化硅薄膜的计算机模拟 总被引:1,自引:1,他引:0
Monte-Carlo计算机模拟程序,SIBL,用来描述离子束增强沉积(IBED)制备氧化硅薄膜的生长过程,提供薄膜组分的深度分布及界面混合等有关信息.它是TRIMSP的发展,并利用了ZBL(Ziegler,Biersack,Littmark)最新的二体势和电子阻止本领.模拟计算中,用一个间断交替的薄膜生长过程(先沉积一层硅原子,然后注入一定量的氮离子)来代替实验上一个沉积原子和离子轰击同时进行的连续过程,且在注入一定量的离子后,对每层原子的组份,密度进行修正,使模拟达到动态化.计算结果表明,薄膜组份比随离子原子到达比的变化关系以及组份的深度分布和实验符合很好. 相似文献
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为解决无人机边境侦察巡逻能力有效评估问题,采用基于可拓学的原理物元分析方法,结合无人机在高
原边境的使用,分析影响无人机侦察巡逻能力的主要因素,选取恰当的指标参数,构建无人机侦察巡逻能力指标评
价模型,最终得到无人机所属效能等级。结果表明:该方法可较好地保证评估结果的客观性和完备性,能够对高原
环境下指挥员和操作手利用无人机侦察巡逻提供一定参考。 相似文献