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Rutherford backscattering spectroscopy (RBS) with channeling technique has been used to analyze the damage and its annealing of Si+ and P+ implanted InP:Fe. 150 keV Si ions and 160 keV P ions were implanted with doses ranging from 1×1013 to 1×1015 / cm2 at room temperature, 200℃ and 77K. Thermal annealing was performed in a conventional open tube furnace under flow of pure N2 for 15 minutes. Annealing temperature was chosen from 150℃ to 800 ℃ It was found that a dose of 8×1013cm2 Si+ was sufficient to produce an amorphous layer at room temperature and its epitaxial regrowth takes place at temperature below 150 ℃. The epitaxial regrowth of amorphous layer produced by 1×1014/cm2 Si ions occurs from both substrate and surface while that produced by co-implantation of 1×1014 /cm2 Si ions with the same dose of P ions takes place from substrate only. It was also noticed that for the former sample, its amorphized layer can be nearly completely recrystallized by epitaxial growth at 650 ℃, but for the latter much residual disorder remains even after annealing at 750 ℃. As for 77K implant at dose as low as 5×1013/cm2, Si ions begin to produce an amorphous layer that can be wholly reordered at 750℃. Samples implanted at 200℃remain crystalline only with small fraction of disorder due to self-annealing effect during the implantation. The damage annealing in the implanted layer corresponds to the change of electrical parameters got from Hall measurements. 相似文献
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以Lysinibacillus fusiformis为出发菌,分别转染SigA和SigB突变基因,获得耐高乙醇和低pH胁迫的优良己酸产生菌。以pET32a(+)-SigA/SigB为模板,采用均匀试验优化SigA/SigB易错聚合酶链式反应(ep PCR)扩增体系中的Mn2+和Mg2+浓度,通过ep PCR获得ep-SigA/SigB突变基因,与载体pBE3-MCS连接后,构建L. fusiformis-pBE3-ep-SigA/SigB突变菌体库,将两种菌体库在pH值2~5和乙醇含量2%~12%条件下进行筛选。结果表明,L. fusiformis-pBE3-ep-SigB重组菌株耐受最高乙醇含量为8%左右,最低耐受pH值为2.5左右;当乙醇含量为8%、pH值为3.5时,L. fusiformis-pBE3-ep-SigB重组菌株的己酸产量达到(254.35±39.74) mg/100 mL,显著高于工程菌株L. fusiformis-pBE3-ep-SigA的己酸产量(P<0.01),且为出发菌L. fusiformis己酸产量(93.62±10.33) mg/100 mL的271.68%,表明L. fusiformis-pBE3-ep-SigB重组菌株具有较强的抗高乙醇浓度和低pH值胁迫产己酸的能力。 相似文献
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提出了一种用在FPGA上实现的片上逻辑分析仪的设计方案;随着FPGA的规模的增大,在其内部可以实现复杂的SoC设计,但是I/O端口数量有限,采用VHDL设计,可以在源代码级插入到设计中,这也使得它与FPGA的器件类型和开发软件保持独立,它可以对FPGA内部的任何信号和复杂的事件进行追踪,采样的结果保存在通过片上的同步RAM实现的循环跟踪缓存区,通过AMBAAPB总线接口完成对触发引擎控制和缓存区的读写;这种实现方案的逻辑分析仪占用资源小,可以达到的频率高,可广泛应用到基于AMBA总线的SoC设计中;最后,对可改进的方向进行了分析。 相似文献
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