新型聚合物光可变衰减器阵列

光可变衰减器是密集波分复用网络中的重要器件之一.介绍了一种新型聚合物光可变衰减器(VOA)的设计方法,利用聚合物的热光效应,动态范围可达25dB.这种新型聚合物VOA不仅体积尺寸小,插入损耗小,功耗低的优点,而且表现出良好的偏振独立性,对该器件进行了相关性能的分析和模拟.     

基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率分析

初步分析了基于GaAs/AlGaAs量子阱材料的光致折射率变化规律,利用自洽方法计算了光生载流子浓度对传输光的折射率改变量。当805nm的控制光注入强度为6×103W/cm2(8×103W/cm2)时,在垂直材料表面内1μm深度处,对1.55μm(1.31μm)的传输光可以达到-1-0 2的折射率变化量级。与GaAs体材料相比,量子阱材料所需控制光强度能够减少约20%,有助于降低全光开关与全光调制器的功耗。     

2017—2021年邵阳市餐饮自制食品质量状况分析

目的:检测湖南省邵阳市餐饮自制食品中食品添加剂的使用情况,找出其中不合格项目,分析问题存在的原因,为食品监管提供技术保障.方法:在2017—2021年度邵阳市省级食品安全监督抽检中,采集邵阳市油炸面制品、发酵面制品、酱腌菜制品、酱卤肉制品和饮料制品等5大类别385批次餐饮自制食品,按照国家标准对防腐剂、甜味剂、着色剂和...     

玻璃基掩埋式光波导堆栈的制作与表征

在硅酸盐光学玻璃基片上制作了光波导堆栈, 这种光波导堆栈通过Ag⁺/Na⁺熔盐离子交换和电场辅助离子扩散技术顺次制作了两层掩埋式光波导. 对光波导堆栈的横截面显微结构进行了观察, 并对堆栈中两层波导的损耗特性进行了测试. 所获得的光波导堆栈中的上、下两层波导芯部分别位于玻璃表面以下14和35 μm处; 上层光波导芯部尺寸约为12 μm×7 μm; 下层光波导芯部尺寸约为9 μm×8 μm. 通光测试显示两层波导在1.55 μm工作波长下均为单模光波导, 且两者之间没有相互耦合. 损耗测试分析结果显示: 堆栈中两层光波导的传输损耗均约为0.12 dB/cm,与单模光纤之间的耦合损耗分别为0.78和0.73 dB. 分析表明, 这种光波导堆栈在玻璃基集成光芯片的高密度集成方面具有很好的应用前景.     

基于单片机的电网性能参数监测系统设计

为了用电安全,提出一种基于单片机的电网性能参数监测技术设计。系统由硬件和软件两部分组成,硬件采用ATmega16单片机为核心对电网进行峰值、双路电压相位差、频率、高频干扰信号等电量参数进行在线监测,软件了解电网供电实时状况,确保电网的安全可靠运行。仿真结果表明,可对电网参数进行实时监测。系统简单可靠、实现方便。     

行波电极型BOA光开关的研制

设计了行波电极型GaAs异质结材料BOA光开关;采用谱域法分析和设计了平面微带线结构(PMS),并应用转移矩阵理论和有效折射率法计算和分析了电极结构与器件半波电压和串音度的关系。结果表明,采用PMS结构器件的3dB带宽可达到20GHz;电极位置的对称性对器件串音度起决定性的影响,采用本文提出的电极对准工艺,能够得到小于—40dB的串音度。     

用于光纤通信的光开关研究进展

针对目前光纤通信系统对光开关的迫切需求,从器件的新工艺、新材料和新机理等方面综述了光开关与光开关列阵的研究进展状况。     

非互易波导光栅的滤波特性与应用

根据磁光材料的非互易特性和波导光栅的滤波特性,介绍了一种磁光波导光栅的非互易滤波特性及其应用.该磁光波导光栅采用法拉第旋转系数为4800°/cm的掺铈钇铁石榴石(Ce:YIG)材料、单模的脊型补偿墙截面结构和cosine型变迹光栅结构的设计.利用有限差分法和等效折射率法模拟该磁光波导光栅非互易效应的大小,同时结合耦合模理论和转移矩阵法对该磁光波导光栅的非互易滤波特性进行分析.结果表明,对于TE模和1550 nm波段,该磁光波导光栅正反向传输的中心波长偏移0.8 nm,带宽0.4 nm(-20 dB).这种非互易滤波特性可以用来实现波长选择光隔离器和光分插复用器(OADM)等集成光学器件.     

一种基于微环的新型4×4非阻塞光路由开关

光互连技术因诸多特性优于电互连而成为片上多核互连最具前景的解决方案。为了提高片上光互连网络架构的性能,采取光器件模块搭建的方法,提出了一种基于微环的新型4×4光路由开关,仅用7个微环构建的拓扑结构便实现了4个双向端口的非阻塞交换,降低了功耗和面积;波导交叉的数量减少到6个,优化了插入损耗。结果表明,该结构相对于经典结构光器件的功耗节省了约8%,光互连层的插入损耗降低了约7%。     

掺杂位置对基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器的消光比的影响

在基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器中,载流子吸收会极大的影响器件的消光比。并且,不同的掺杂位置会引起注入的载流子的分布不一样,从而导致不同的消光比。从实验上研究了这一现象,实验中的器件采用0.18 μm CMOS工艺制作在SOI材料上。实验表明,掺杂位置离脊波导的边沿0.5 μm左右时,器件会获得最佳的消光比。