pin硅波导在1550 nm波段的光电流雪崩增强效应实验研究

The photocurrent effect in pin silicon waveguides at 1550 nm wavelength is experimentally investigated. The photocurrent is mainly attributed to surface-state absorption,defect-state absorption and/or two-photon absorption.Experimental results show that the photocurrent is enhanced by the avalanche effect.A pin silicon waveguide with an intrinsic region width of 3.4μm and a length of 2000μm achieves a responsivity of 4.6 mA/W and an avalanche multiplication factor of about five.     

高效液相色谱法同时测定食品中5种添加剂

采用高效液相色谱法同时测定食品中安赛蜜、苯甲酸、山梨酸、糖精钠和脱氢乙酸等5种添加剂。样品经前处理,使用C₁₈柱,以甲醇∶0.02 mol/L乙酸铵溶液(7∶93)为流动相,在波长230 nm,流速1 mL/min,柱温40 ℃的条件下测定。经多次试验,该方法线性关系好,相关系数均在0.999 9以上,平均回收率为82.6%～104.4%,相对标准偏差为1.3%～4.6%。该方法简单、快速、回收率高及精密度好,适用于食品中5种添加剂的同时检测。     

基于InP高Q值微碟谐振腔原理分析及应用

对微谐振腔Q值相关机理进行模型分析,提出利用定向耦合原理对微谐振腔和总线波导之间的耦合分析。利用微碟谐振腔的高Q值理论对基于InP半导体材料的光开关设计并进行性能分析,设计的微碟光开关自由频谱范围(FSR)为3.4nm,光开关消光比可达20dB左右。此外负耦合(negative gap)结构使微碟与总线波导耦合的效率明显提高。     

稠油常温输送现状分析

分析了稠油常温输送中目前常用的降粘方法（包括掺稀油降粘、加减阻剂及化学降粘等）的降粘原理及其优缺点,并且举出这些降粘方法在国内外的一些应用情况。     

硅基光功率监测技术的最新进展

随着集成光路复杂度的增加,需要在不影响系统正常工作的情况下,在链路内使用光功率监测器对集成光路进行实时监测,有效地进行器件行为分析。文章综述了硅基光功率监测器的最新研究进展。重点阐述了表面态吸收、双光子吸收、锗吸收以及缺陷态吸收机制下的光功率监测方案以及各自的优缺点,最后详细讨论了利用缺陷态吸收机制实现光电转换的巨大优势。     

1 ×8MMI型玻璃基光功分器的研制

针对Ag -Na 离子交换形成的渐变折射率分布,分析了多模干涉(MM I)型功分器的工作原理。在K9玻璃衬底上设计并制作了掩埋型1×8MM I功分器。测试结果表明,这种结构在具有结构紧凑、制作容差性大等优点的同时,其功分均匀性也很好,小于0.5dB。     

CYBS系列防砂卡抽油泵在百色油田的应用

在百色油田不同断块的两口油井中, 采用ＣＹＢＳ系列动筒式防砂卡抽油泵进行了携砂、防砂卡和延长有效生产周期的生产试验。试验结果表明, 使用该系列防砂卡抽油泵后, 在泵径相同的情况下, 日产液量明显增加, 泵的沉没度显著下降, 平均生产周期大幅度延长。该系列防砂卡抽油泵适用范围广, 对主要为细粉砂、泥质含量大的出砂油井均可使用, 对斜直井也有较好的适用性。可像常规管式抽油泵一样进行洗井作业, 并解决了油井出砂引起的砂卡、砂堵等采油工艺难题; 操作简便易行, 管柱、杆柱结构简单, 起下作业方便, 具有良好的工作可靠性和重复作业性。     

小孔成像的光学传递函数分析

根据光学传递函数（ＯＴＦ）,提出一种分析小孔成像最佳位置的方法,小孔成像的最佳位置可等效为一个具有“可变光焦度”的薄透镜来确定     

箱体端盖凝固过程数值模拟及工艺优化

利用Anycasting软件对箱体端盖凝固过程进行模拟,通过凝固温度分布预测了缩孔、缩松产生的位置.采用增大胃口体积的方法对原铸造工艺方案进行了优化,改进方案的模拟表明,能使铸件得到充分补缩,最终可以消除缩孔、缩松等缺陷,满足了实际生产的要求.     

硅(001)衬底上生长的ZnO薄膜的AFM研究

对采用电子束反应蒸镀方法在低温下在硅（001）衬底上外延生长的ZnO薄膜的表面构像进行了原子力显微镜（AFM）观察，分析研究不同的衬底温度对薄膜表面形貌及结构特性的影响。在250℃衬底温度下获得的ZnO薄膜，膜表面平整，结构致密，表面平均不平整度小于3nm，说明在该衬底温度下获得的ZnO薄膜是高透明度、高质量、高度取向的单晶薄膜。