基于MPC8379E加密NAS的设计

介绍了NAS的工作原理与优点,根据网络存储实际应用中的安全隐患,提出了加密NAS的应用需求.研究了以MPC8379E为主控芯片的AES加密NAS的解决方案,并详细论述了NAS加密密钥管理的实现方法.该方案能够很好地实现加密NAS的访问控制与算法密钥管理,保证了数据加密存储的安全性.     

善用哲学"五性"营造快乐课堂

本文以中等职业教育国家规划教材<哲学基础知识>的内容为例,探析如何在哲学课堂教学中充分体现哲学课堂教学的"五性":即历史性、文学性、通俗性、幽默性和兼容性.     

非有意掺杂LEC SI GaAs中EL2分布特性的研究

测量比较了不同条件下热处理后非有意掺杂半绝缘(SI)LEC GaAs中EL2浓度及其分布的变化,为了分析这一变化,还检测了位错和As沉淀的分布。在实验结果基础上,对EL2分布不均匀性的起源和热处理改善EL2分布均匀性的机理进行了讨论。     

热处理对非掺杂半绝缘GaAs本征缺陷和电特性的影响

在950℃和1120℃温度下,对非掺杂（ND）半绝缘（SI）液封直拉（LEC）GaAs单晶进行了不同砷气压条件的热处理,研究了热处理对本征缺陷和电特性的影响。在950℃和低砷压条件下进行14h热处理,可在样品中引入本征受主缺陷并导致体霍尔迁移率大幅度下降和体电阻率明显增加。这些受主缺陷的产生是由于高温和低砷压条件下GaAs晶体中发生砷间隙原子的外扩散,提高热处理过程中的砷气压。可以抑制这些受主缺陷的产生和电参数的变化,真空条件下,在1120℃热处理2-8h并快速冷却后,可使样品中的主要施主缺陷EL2浓度下降近一个数量级,提高热处理过程中的砷气压,可以抑制EL2浓度下降,这种抑制作用是由于高温,高砷压条件下GaAs晶体发生了砷间隙原子的内扩散。     

未掺杂半绝缘LECGaAs费米能级和EL2电离率温度关系

在２８４￣４５５Ｋ温度范围内,对未掺杂半绝缘ＬＥＣＧａＡｓ样品进行了霍尔－范德堡测量。根据实验数据计算了费米能级和深施主缺陷ＥＬ２电离率的温度关系。发现计算结果与标准ＬＥＣＳＩＧａＡｓ样品有明显差别。这种差别可能是由于样品中存在杂质和缺陷不均匀分布引起的长程势波动。     

医院手术室净化施工探讨

结合多年的工作经验,重点介绍洁净手术室先进的施工方案,并对其节能效果进行阐述和分析。     

用Te,Sn双掺杂改善GaAs液相外延层载流子浓度纵向分布均匀性

探索用Ｔｅ，Ｓｎ双掺杂实现掺杂剂分布正负梯度互补改善杂质纵向分布均匀性的外延工艺，讨论了有关问题，报道了主要结果。     

热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性机理的研究

根据ＥＬ２分布的热处理行为和Ａｓ沉淀分布特征的实验结果，讨论了Ａｓ沉淀对ＥＬ２分布的影响和热处理改善ＥＬ２分布均匀性的机理。     

基于FDTD的薄膜体声波谐振器的数值分析

提出了基于时域有限差分方法对薄膜体声波谐振器进行数值分析的新方法.利用时域有限差分法理论对压电材料的控制方程和牛顿方程在空间和时间上进行了离散化,通过得到的差分方程直接得出了声场传播的时域数值解.使用该数值方法对薄膜体声波谐振器的电学特性阻抗进行了分析,并将结果与一维Mason模型的解析解进行了比较验证.     

引入基态施主能级分裂的SiC基MOS电容模型

基态施主能级分裂因素被引入了SiC基MOS电容模型。考虑到能级分裂后,电容C-V特性曲线平带附近的Kink效应,得到有效减弱;并且能级分裂对C-V特性的影响,随掺杂浓度的增加和温度的降低而增强,同时也与杂质能级深度相关。对于耗尽区和弱积累区,由于能级分裂的影响,电容的表面电荷面密度将分别有所增加和降低。