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本文研究了掺类汞离子晶体(YGG:Bi~(3+)、YGG:Pb~(2+)、BeAl_2O_4:Pb~(2+)、YVO_4:Bi~(3+))的光谱性能。结果表明:类汞离子与周围晶格的耦合很强,Huang-Rhys因子s较大(~20)并有很大的stokes位移△E_3,nd~(10)(n+1)s~2→nd~9(n+1)s~2(n+1)p~1跃迁在近紫外或可见区产生宽带吸收谱和宽带发射谱(>100.0nm),并且有合适的荧光寿命(几十μs),因此,有可能开发成一类 相似文献
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处于3~5m波段的激光源在遥感、环境保护、医疗、通信和红外对抗等民用和军用领域都有广阔的应用前景。Fe2+:ZnSe晶体由于在材料特性和光学特性等方面都具有明显优势,是3~5m波段极具潜力的激光介质之一。在室温条件下利用自制非链式脉冲HF激光器作为泵浦光源,对晶体直径为10 mm,厚度1 mm,Fe2+离子掺杂浓度为31019/cm3的Fe2+:ZnSe晶体进行了研究,获得了中心波长4 295 nm、最大输出能量78.8 mJ的中红外激光输出。输出激光能量相对于晶体吸收泵浦能量的转换效率为27.7%,斜率效率达28.8%。采用小角度(3)斜入射的方案很好地解决了Fe2+:ZnSe激光器谐振腔镜镀膜问题。 相似文献
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应用环境扫描电子显微术(ESEM)和同步辐射X射线白光形貌术研究了92%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-8%PbTiO3晶体的表面形貌和缺陷,为生长高质量的该单晶材料提供重要的参考。从晶体自然显露面(111)面的ESEM缺陷形貌像中,观察并研究了诸如生长丘,位错蚀坑,小角晶界,包裹物,空洞或裂缝等生长缺陷,并分析了导致这些缺陷出现的原因是生长过程中的温度波动,过快的降温速度等因素。从该晶体的同步辐射X射线白光形貌像中也观察到了包裹物或空洞等缺陷。由该晶体表面出现的直形台阶,多层板块状台阶结构及其精细结构的ESEM形貌像可知,在PZN-8%PT晶体的高温溶液法生长中,起主导作用的生长机制为二维成核层状生长机制。 相似文献
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面对未来处突反恐作战,我们必须充分认识到装备保障人才需求的多元性,科学准确地把握未来装备保障发展的趋势,积极慎重的调整武警装备保障人才培养的布局模式和结构。走出具有武警特色的人才培养道路。 相似文献
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Growth of GaN on Magnesium Aluminate Substrate by LP-MOVPE 总被引:1,自引:1,他引:0
Epitaxial GaN films have recently attracted much attention due to their optoelectronic applications in the blue/ultraviolet region and for their high temperature stability.High-brightness blue and green light emitting diodes(LEDs) have already been made commer-ciallyava... 相似文献