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Growth of GaN on Magnesium Aluminate Substrate by LP-MOVPE 总被引:1,自引:1,他引:0
Epitaxial GaN films have recently attracted much attention due to their optoelectronic applications in the blue/ultraviolet region and for their high temperature stability.High-brightness blue and green light emitting diodes(LEDs) have already been made commer-ciallyava... 相似文献
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测量了 0 8at. %Nd3 + ∶Y0 .5Gd0 .5VO4的吸收光谱和荧光发射谱 ,光谱显示该晶体在 80 8 5nm有很强的偏振光吸收峰 ,且π偏振光 (E∥C)吸收远强于σ偏振光 (E ⊥C) 吸收 ,半高宽度分别为 4 5nm和 12nm ,吸收截面分别为 19 6 9× 10 -2 0 cm2 和 6 4 1× 10 -2 0 cm2 ;其荧光发射 (4F3 /2 → 4I11/2 跃迁 )峰值波长在 10 6 4nm ,半高宽度为 3 7nm ;4F3 /2 → 4I11/2 跃迁的荧光寿命为 110 μs;光谱特性表明Nd3 + ∶Y0 .5Gd0 .5VO4晶体是潜在的高效率激光晶体材料 相似文献
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应用中频感应提拉法生长了新型的Nd:(La,Sr)(Al,Ta)O3(Nd^3+:LSAT)晶体。运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICPAES)测定Nd^3+离子在Nd^3+:LSAT晶体中的分凝系数为0.587。X射线粉末衍射(XRPD)测试结果表明Nd^3+:LSAT晶体与LSAT晶体同构。研究了不同退火条件对晶体光谱性能的影响。分析了Nd^3+:LSAT晶体的光谱性能,Nd^3+:LSAT晶体的荧光寿命为290μs。比较了Nd^3+:LSAT和Nd^3+:YAG,Nd^3+:YVO3等晶体的光谱参数。结果表明Nd^3+:LSAT是一种适合激光二极管(LD)抽运的、有前景的激光增益介质。 相似文献
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研究了用有机染料进行抽运光光谱转移提高抽运效率的可能性。氙灯脉冲宽度从 1 81μs降到 1 1 8μs,激光输出斜效率提高了 1 7%。采用 R- 640染料光谱转移实现光谱匹配 ,斜效率提高了1 0 % ,采用 1 2 0μs的脉冲抽运光及用有机染料 R- 640对氙灯抽运光进行光谱转移 ,抽运 Cr3 浓度为 5(at- % ) ,尺寸为 6 mm× 45 mm的 Cr3 :Li SAF6激光晶体 ,中心波长为 830 nm,获得 1 J的激光能量输出 相似文献
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应用中频感应提拉法生长了新型的Nd3 ∶(La,Sr)(Al,Ta)O3(Nd3 ∶LSAT)晶体。运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)测定Nd3 离子在Nd3 ∶LSAT晶体中的分凝系数为0.587。X射线粉末衍射(XRPD)测试结果表明Nd3 ∶LSAT晶体与LSAT晶体同构。研究了不同退火条件对晶体光谱性能的影响。分析了Nd3 ∶LSAT晶体的光谱性能,Nd3 ∶LSAT晶体的荧光寿命为290μs。比较了Nd3 ∶LSAT和Nd3 ∶YAG,Nd3 ∶YVO4等晶体的光谱参数。结果表明Nd3 ∶LSAT是一种适合激光二极管(LD)抽运的、有前景的激光增益介质。 相似文献
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采用熔盐法从PbF_2—PbO—B_2O_3三元系高温溶液中生长出掺Cr~(3 )的BeAl_2O_4单晶,通过严格控制降温速率(约2℃/小时)和熔剂成份的摩尔比值(45P_bF_2:45P_bO:10B_2O_3)获得了尺寸达10×4.5×4.5mm~3的块状透明晶体。 在5K.77K和300K不同温度下测量了Cr~(3 ):BeAl_2O_4单晶的非偏振吸水谱、荧光谱和激发谱(T=300K),首次由实验确定出在C_(1h)低对称场微扰下Cr~(3 )离子的~2T_1和~2T_2能级分裂出的三个亚能级的位置。 相似文献