浅谈加工食品增塑剂污染的风险及对策

主要阐述了加工食品中被检出微量邻苯二甲酸酯类物质的概况,分析造成增塑剂污染的若干原因,并提出相关对策。     

铣削高锰钢用高性能硬质合金铣刀材料的研制

通过对硬质合金的材料成分、碳化物晶粒度、复杂碳化物相间的交互作用分析,并辅以合适匹配的刀具参数进行分析和研究,优选出固溶体、黏结相和晶粒度合理配比,研制出了新型硬质合金D16刀片材料。结果表明以该材料制成的硬质合金铣刀性能良好,完全可以替代德国维迪亚TN35M铣刀,经试验,其寿命超过进口铣刀一倍,超过国内同类刀片材料(自贡767,YC30S)寿命4~6倍,是一种比较理想的铣削高锰钢用高性能硬质合金铣刀材料。     

利用MapX实现的组件式GIS技术

简要介绍了组件式技术对地理信息系统的影响，同时还针对地图组件MapX的开发，阐述了组件式GIS的主要特点及实现。     

实验教学质量监控体系的构建

建立和优化实验教学质量监控体系,是规范实验教学管理,提高实验教学质量,形成良好的教学环境与教学秩序的重要保障。本文主要论述了实验教学质量监控体系的涵义及其构建的重要意义,在借鉴其它院校实验教学改革经验上,我校结合实际,提出实验教学质量监控体系的构建与实施的具体措施。     

彝文网页敏感信息监测系统的研究

为解决互联网上彝文内容安全的问题，提出了一种互联网彝文内容安全检测过滤系统。通过对彝文字词组合形式和基本特点的深入研究，主要包括彝文的预处理、彝文字词的分解、词条的的字典排序、字词的频度统计等。本文还对安全检测过滤系统的框架进行了描述，并针对彝文编码、彝文分词方法等问题进行了讨论，提出了彝文编码的判定转换方法以及格语法与词典相结合的彝文分词方法。     

128×128短波/中波双色红外焦平面探测器

首次在国内报道了128×128面阵短波/中波(SW/MW)双色碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器(infraredfocal plane arrays,IRFPAs)的研究成果.基于由采用分子束外延(MBE)和原位掺杂技术生长的p-p-P-N型碲镉汞(Hg1-xCdxTe)多层异质结材料,通过B+注入、台面腐蚀、台面侧向钝化和爬坡金属化,以及双色探测芯片与读出电路(Readout Integrated Circuit,ROIC)混成互连等工艺,得到了128×128面阵双色焦平面探测器.通过湿化学腐蚀方法的优化,将光敏元尺寸为(50×50)μm2的双色微台面探测器的占空比提高了一倍.该面阵双色红外焦平面探测器具有较好的均匀性和正常的光电特性.在液氮温度下,二个波段的光电二极管截止波长λc分别为2.7μm和4.9μm,对应的峰值探测率Dλ*p分别为1.42×1011cmHz1/2/W和2.15×1011cmHz1/2/W.     

128×128短波/中波双色红外焦平面探测器

首次在国内报道了128×128面阵短波/中波（SW/MW）双色碲镉汞（HgCdTe）红外焦平面探测器（infrared focal plane arrays, IRFPAs）的研究成果.基于由采用分子束外延（MBE）和原位掺杂技术生长的ppPN型碲镉汞（Hg1-xCdxTe）多层异质结材料,通过B+注入、台面腐蚀、台面侧向钝化和爬坡金属化,以及双色探测芯片与读出电路（Readout Integrated Circuit,ROIC）混成互连等工艺,得到了128×128面阵双色焦平面探测器.通过湿化学腐蚀方法的优化,将光敏元尺寸为（50×50）μm2的双色微台面探测器的占空比提高了一倍.该面阵双色红外焦平面探测器具有较好的均匀性和正常的光电特性.在液氮温度下,二个波段的光电二极管截止波长λc分别为2.7μm和4.9μm,对应的峰值探测率D*λp分别为1.42×1011cmHz1/2/W和2.15×1011 cmHz1/2/W.     

气相色谱法测定水溶性美味牛肝菌多糖中单糖的组成

用糖氰乙酸酯衍生物气相色谱法测定了美味牛肝菌多糖中单糖的组成,为美味牛肝菌的结构和功能的研究提供更有用的信息。     

配合比参数对自密实混凝土早期收缩及开裂性能的影响研究

研究了配合比参数（水胶比和砂率）对自密实混凝土早期收缩及开裂性能的影响,结果表明,自密实混凝土的水分蒸发速率随水胶比增加而增加,随砂率的提高而减小;而配合比参数对开裂及早期收缩的影响较为复杂,水胶比小于0.45时,随着水胶比增加自密实混凝土开裂面积提高,而混凝土3d收缩应变与之相反,当水胶比超过0.45后,开裂面积随之减小而混凝土3d收缩应变随之增加;随着砂率由48％增至55％时,砂率在51％时,自密实混凝土开裂裂缝面积达到最大值;随着砂率增加,混凝土3d应变收缩逐渐增大.     

中短波HgCdTe金属接触的退火研究

为制备良好的碲镉汞金属接触,研究了热退火处理对中短波Hg空位掺杂碲镉汞金属接触的影响。对中短波HgCdTe-Sn/Au接触及中波HgCdTe-Cr/Au接触经不同条件退火后的接触进行了测量。对于短波碲镉汞,p型HgCdTe-Sn/Au接触经95 ℃,30 min退火可降低比接触电阻2个量级,而经125 ℃,30 min退火可降低3个量级;离子注入的n型HgCdTe-Sn/Au接触则容易形成欧姆接触。对于中波碲镉汞,退火前p型HgCdTe-Sn/Au接触平均比接触电阻为10-1 Ωcm2量级,经适当条件退火可以降低3个量级;此外,Sn/Au比Cr/Au更适合作为中波HgCdTe的接触金属。因而HgCdTe金属接触可通过一定退火处理得到改善。