12.5 μm长线列碲镉汞焦平面杜瓦组件

256×2碲镉汞焦平面模块由2个256×1元芯片和2个光伏信号硅读出电路模块平行对称组成,并分别与2个不同波段的微型滤光片以架桥式结构直接耦合后封装在全金属微型杜瓦内,形成了长波256×2长线列碲镉汞红外探测器件组件。基本解决了256×2焦平面杜瓦组件的关键技术,即高精度的组装技术、器件在冷平台上的热失配设计技术和高可靠性封装技术。对抑制杂散光、降低背景辐射、提高组件的可靠性等方面采取了一系列措施,使研制的碲镉汞焦平面器件获得了良好的性能,并进行了一系列空间适应性实验,实验前后的组件性能未发生明显变化,满足工程化应用的要求。     

砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能

采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5 μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3 μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而-0.5v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流.     

基于B／S结构的汉一彝舆情信息库的建立

汉-彝舆情信息库的主要技术利用了B／S结构,系统设计为浏览器／服务器模式（B／S）,--N架构体系,便于在互联网上以网站形式发布和提供服务,用户界面通过不断成熟的WWW浏览器技术实现,结合浏览器的Script语言,实现了原来需要复杂专用软件才能实现的强大功能,并节约了开发成本。     

丙酮肟水解可逆反应的进程分析和过程工艺

以丙酮肟、盐酸为原料,经水解反应合成盐酸羟胺,研究建立了对水解可逆反应进程作定量检测的HPLC-氧化还原滴定组合分析方法,分析结果的平均回收率达99.64%,相对标准偏差≤2.04%（n=6）。建立了反应-蒸馏耦合工艺装置,研究和优化了丙酮肟水解反应制备盐酸羟胺的反应-蒸馏过程工艺条件,结果表明,当丙酮肟与盐酸的摩尔比为1∶2,盐酸质量分数为38%,加热温度为130℃,反应时间为3h时,丙酮肟原料转化率达到89%左右,盐酸羟胺产品收率达到84%左右。     

雷莫司琼降低幼鼠内脏痛觉敏感性

目的: 采用行为学和电生理学评价方法,探讨应用5-羟色胺3(5-HT₃)受体拮抗剂雷莫司琼对幼鼠内脏痛觉敏感性影响。方法: 新生期反复结直肠刺激(colorectal irritation,CI)建立幼鼠内脏痛觉高敏感性模型。32只SD新生大鼠按2×2析因设计分成4组,每组8只,A₁B₁组:新生期反复CI,15~21 d 腹腔注射雷莫司琼;A₁B₂组:新生期反复CI,15~21d 腹腔注射生理盐水;A₂B₁组:新生期未接受CI,15~21 d 腹腔注射雷莫司琼;A₂B₂组:新生期未接受CI,15~21 d 腹腔注射生理盐水。常规饲养到幼鼠期(6周龄),通过观察幼鼠在不同压力结直肠扩张(colorectal distension,CRD)刺激后的腹壁撤退反射(AWR)评分、内脏痛阈和腹外斜肌放电测量进行内脏痛觉敏感性评价。结果: 幼鼠痛阈受建立内脏痛敏化模型和早期雷莫司琼干预两因素影响。建立内脏痛敏化模型可使幼鼠痛阈降低 11.56 mm Hg,早期雷莫司琼干预则使幼鼠痛阈提高 9.06 mm Hg,两者存在交互作用。应用雷莫司琼使AWR评分及腹外斜肌放电幅值降低,对于AWR评分的主效应在各个CRD压力下有统计学意义;对腹外斜肌放电幅值的主效应在各不同CRD压力下亦有统计学意义。结论:应用5?HT3受体拮抗剂雷莫司琼能够降低幼鼠内脏痛觉的高敏感性。     

PTT纤维鉴别方法研究

文章分析PET和PTT2种纤维的结构特征,通过燃烧法、显微镜法、溶解法、熔点法、核磁共振光谱分析试验,提出了对PTT纤维进行准确鉴别的方法。     

山核桃叶提取物的抗氧化活性比较

采用1,1-二苯基-2-三硝基苯肼(DPPH)自由基清除能力、还原能力、超氧阴离子清除能力评价不同山核桃叶提取液的抗氧化活性,采用F0lin酚法测定提取液的总酚质量浓度.结果表明,山核桃叶提取物具有较强的抗氧化活性,并以甲醇和蒸馏水提取物的抗氧化活性最强;60%甲醇溶液的提取物具有最高的DPPH自由基清除能力,总酚得率最高,达到(10.63±0.31)mg/g山核桃叶.     

HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰

报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列阵的低能氢等离子体修饰、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了氢等离子体修饰的n+-on-p型HgCdTe长波光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现经过低能氢等离子体修饰的HgCdTe红外长波光电二极管列阵动态阻抗极大值比未经过修饰处理的提高了1～2倍,并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时动态阻抗得到更为明显的提升.这表明低能氢等离子体修饰可以抑制HgCdTe光电二极管列阵暗电流中的带带直接隧穿电流Ibbt和缺陷辅助隧穿电流Itat,从而能提高长波红外焦平面探测器工作的动态范围和探测性能的均匀性.     

配网分线路线损统计探讨

对配网分线路线损统计展开探讨,分析了通过技术手段实现配网分线路线损管理所必须具备的条件,并着重从统计方法方面对实现配网分线路线损统计的手段进行了探讨。     

碲镉汞光子计数型线性雪崩探测器(特邀)

单光子计数技术在弱信号探测和时间测距中具有重大的应用前景。自从20世纪70年代可见光的光子计数系统研发以来,国际上该领域内的研发小组在不断地发展完善光子计数技术,充分放大光子信号,以降低电子设备的读出噪声。电子倍增电荷耦合器件(Electron Multiplying Charge Coupled Devices, EMCCDs)具有更高的量子效率,可替代传统的可见光光子计数系统,但较大的雪崩噪声阻碍了倍增下入射光子数的准确获取。碲镉汞线性雪崩器件(HgCdTe APD)的过剩噪声因子接近1,几乎无过剩噪声;相对于盖革模式的雪崩器件,没有死时间和后脉冲,不需要淬灭电路,具有超高动态范围,光谱响应范围宽且可调,探测效率和误计数率可独立优化,开辟了红外波段光子计数成像的新应用领域,在天文探测、激光雷达、自由空间通信等应用中具有重要价值。美国雷神(Raytheon)公司和DRS技术公司、法国CEA/LETI实验室和Lynred公司、英国Leonardo公司先后实现了碲镉汞线性雪崩探测器的单光子计数。文中总结了欧美国家在碲镉汞光子计数型线性雪崩探测器研究方面的技术路线和研究现状,分析了吸收倍增...