ZXY1井太原—山西组泥页岩压裂层段优选

压裂层段优选是钻井完成后压裂排采之前的重要工作。为解决河南温县页岩气勘查区ZXY1井太原—山西组泥页岩压裂层段优选问题,在其小层划分的基础上,以划分的7层泥页岩层为主要研究对象,对其物性、含气性和可压性进行系统评价;在泥页岩层段优选原则的指导下,结合ZXY1井地质情况,拟定压裂层段优选指标,综合物性、含气性和可压性指标,优选出较好的泥页岩小层。结果表明,2层泥页岩层物性、含气性和可压性各参数均满足层段优选指标,是最好的一层;4层泥页岩层除泊松比稍差于层段优选指标,其余参数均满足层段优选指标,是次好的一层。考虑到泥页岩压裂层段需要有较大的厚度,以满足较大资源量的要求,将最好的2层泥页岩层和次好的4层泥页岩层以及二者之间的灰岩层合并,作为最终优选的压裂层段,深度为3337.5~3365.2m,厚度为27.7m。     

Load-pull measurement analysis of AlGaN/GaN HEMT taking into account number of gate fingers

This paper investigates load-pull measurement of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) at different numbers of gate fingers. Scalable small-signal models are extracted to analyze the relationship between each model''s parameters and the number of device''s gate fingers. The simulated S-parameters from the small-signal models are compared with the reflection coefficients measured from the load-pull measurement system at X-band frequencies of 8.8 and 10.4 GHz. The dependency between the number of device''s gate fingers and load-pull characterization is presented.     

Y2Co8Fe9/PDMS复合材料的微波吸收性能研究

随高频电子器件快速发展,GHz频段电磁污染成为严重问题.本文旨在研究用稀土软磁材料为微波吸波材料.以稀土软磁材料Y2Co8Fe9为填料,制备Y2Co8Fe9/PDMS复合吸波材料,研究不同质量分数的Y2Co8Fe9/PDMS复合材料在2～18 GHz内的微波吸收性能及机理.结果表明:质量分数为70％时,复合材料综合吸波性能最好.在厚度为1.6 mm,频率为13.9 GHz处具有-57.5 dB的最低反射损耗,有效带宽为7.62 GHz,表明Y2Co8Fe9/PDMS复合材料的GHz高频吸收前景好.其反射损耗峰的变化趋势可由1/4波长抵消模型解释,最佳反射损耗峰主要由阻抗匹配和1/4波长相消共同决定.     

基于AlGaN/GaN HEMT的C波段混合集成功率合成放大器的设计

研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120 μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS=40V,IDS=0.9A时,输出连续波饱和功率在5.4GHz达到41.4dBm,最大的PAE为32.54%,并且功率合成效率达到69%.     

一种新的AlGaN/GaN HEMT半经验直流特性模型

在EEHEMT1模型的基础上给出一种新的A1GaN/GaN HEMT半经验直流特性模型,考虑了栅源电压对膝点电压的影响,得到描述AlGaN/GaN HEMT器件I-Ⅴ特性的方程.此模型可以应用于蓝宝石和SiC两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的I-Ⅴ特性模拟.仿真结果和实验测量结果拟合误差小于3%.     

fT为77GHz的蓝宝石衬底0.25μm栅长AlGaN/GaN高电子迁移率功率器件

在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨导为250mS/mm,特征频率为77GHz.功率器件的最大电流密度达到1.07A/mm.8GHz频率下在片测试80×10μm栅宽器件的输出功率为27.04dBm,同时功率附加效率达到26.5%.     

凹栅槽AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理效应

研究了如何减小等离子体干法刻蚀导致的大肖特基漏电. 用X射线光电能谱（XPS）分析刻蚀前后的AlGaN表面,发现刻蚀后AlGaN表面出现了N空位,导致肖特基栅电流偏离热电子散射模型,N空位做为一种缺陷使得肖特基结的隧穿几率增大,反向漏电增大,肖特基势垒降低. 介绍了一种AlGaN/GaN HEMTs器件退火处理方法,优化退火条件为400℃, N2氛围退火10min. 退火后,栅金属中的Ni与Ga原子反应从而减少N空穴造成的缺陷,器件肖特基反向漏电减小三个量级,正向开启电压升高,理想因子从3.07降低到了2.08.     

退火工艺对Al离子注入的4H-SiC表面形貌的影响

通过应用多次Al离子注入和CVD中的高温退火技术,在SiC片表面形成了p型层。p型层中各深度下Al的浓度均为110¹⁹cm^-3,层厚为550nm。本文应用三种不同的退火工艺对注入后的SiC进行退火。通过测量和比较表面粗糙度,发现通过石墨层覆盖来保护表面的退火工艺可以很好的阻止SiC表面在高温退火下的粗化,粗糙度保持在3.8nm。通过其他两种(在氩气保护下、在SiC保护片的覆盖下)退火工艺退火所得到的表面有明显的台阶,粗糙度分别为12.2nm和6.6nm。     

生活就是生活

走进bEnsHop＋，也许就因为那句最简单的英语：Lifeshouldbe life（生活就是生活）。bEnsHop＋是一间好玩的创意生活店，位于广州市建设六马路，共200多平方米，分上下两层。店主Ben曾经有着很复杂的身份，知名广告公司的创意总监、某创意企业的老板、知名媒体的专栏作家……不过，他更喜欢现在的身份，一个小小创意店的店主，以自己的名字命名，卖着各种创意商品，推广着自己的生活美学。     

Vista搜索效率提高的极速之术

第5期《提高Vista搜索效率我有妙招》一文提及的方法,虽然算妙,但是用起来感觉很麻烦。应对搜索其实可以用下面三招,不仅快,而且还非常方便。