多晶La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3的磁电阻研究

采用四探针法测量多晶La0.49Sr0.51(Mn1-xNbx)O3(x=0,0.05,0.15和0.25)在磁场下的电阻率温度曲线.实验结果显示:①在0.45T磁场下,对于x=0和x=0.25的样品,几乎观察不到磁电阻(Magnetoresistance,MR)效应,而对于x=0.05和x=0.15的样品,磁电阻效应较明显.这种差异可能与样品中铁磁相是否占主导作用有关;②比较x=0.05和x=0.15这两种样品的MR机制,前者可能与载流子在弱连接晶界上的自旋相关散射有关,且其主要是非本征的;而后者主要是本征的.     

柔性衬底上AZO薄膜的附着力特性研究

使用脉冲激光沉积(PLD)方法在柔性衬底PMMA和PET上制备了具有高c轴择优取向的AZO(ZnO∶Al)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、紫外可见分光光度计(UV-Vis)和纳米划痕仪,研究了在不同衬底下生长的薄膜样品的晶体结构、光学性能和附着力。结果表明,两种柔性衬底上生长的AZO薄膜都是单一的ZnO六方相,可见光范围内光学透过率均大于85%;PMMA、PET衬底上AZO薄膜的临界载荷数值分别为31.31mN和16.97mN,PET衬底上ITO薄膜的临界载荷数值为40.55mN。     

第三代半导体氮化镓材料单晶制备技术及应用前景

随着科技的发展,半导体材料与人们的生活息息相关。氮化镓作为第三代半导体材料的代表,具有宽禁带、介电系数小、高电子迁移率、高热导率和耐辐射的优点,广泛用于光电器件、微电子领域中。本文详细阐述了氮化镓一维纳米线、单晶衬底的制备方法的原理及优缺点(如VLS法、HVPE法、氨热法等)、简述了在光电、射频、电子电力领域中的应用,并展望了未来的发展前景。     

纳米ZrO2的性能及其气敏性的研究

本文用沉淀法制备出平均晶粒尺寸在１８ｎｍ的单斜相ＺｒＯ２纳米粉末。并对其的开头和大小进行了透射电镜及激光散射分析,确认ＺｒＯ２粒子为球形,分散性较好,平均粒径为７０￣８０ｎｍ。本文着重了纳米级ＺｒＯ２细粉对乙醇的乞敏性能,结果表明,用纳米级ＺｒＯ２粒子制备的气敏元件对乙醇气体有好的敏感性,并且随着纳米粒子尺寸降低,对气体敏感性增强。     

小型水利工程管理体制改革的实践与完善

旧的农村水利管理体制已严重滞后于新的农村经济体制，成为了农业和农村经济发展的一大障碍，改革势在必行。文章就此提出了正确实施水利工程管理体制改革的方法，并对小型水利工程改制的巩固和完善进行了一番探讨。     

多晶La0.49Sr0.51MnO3中的铁磁反共振

采用谐振腔微扰技术测量了多晶La0.49Sr0.51MnO3的微波吸收（PMA）,观察到在居里温度TC 或奈尔温度TN附近发生PMA呈现极小值即铁磁反共振（FMAR）现象. 基于朗道-利弗希茨-吉尔伯特模型,磁化强度μ0M对温度的依赖关系可以从FMAR得到. 发现当外加直流磁场μ0H = 0时,不同微波频率下得到的磁化强度μ0M对温度的依赖关系与标度律符合. 然而,当μ0H ≠ 0且μ0H＜120 mT时,不同μ0H下得到的磁化强度μ0M对温度的依赖关系与标度律不符合. 在μ0H平行最大微波磁场hrf时,在TC 附近随μ0H增加发生FMAR的PMA值增加,且随μ0H增加发生FMAR的温度下降,但此时在TN 附近未观测到FMAR. 在μ0H垂直hrf时在TC 附近随μ0H增加发生FMAR的PMA值减少,且随μ0H增加发生FMAR的温度很少变化,但此时在TN 附近发生FMAR的PMA值和温度均几乎不随μ0H变化. 这些结果可归因为：①多晶La0.49Sr0.51MnO3是一种由铁磁（FM）和反铁磁（AFM）等多态微区组成的密切合物,是一个包含多个状态和取向互不相同的畴壁的复杂系统;②在μ0H增强或温度下降的过程中,都存在导致PMA增加或减少的两种机制的竞争.     

Al-Al2O3-铁磁金属隧道结界面的表征

用梯形势垒模型计算偏置Al Al2 O3 铁磁金属 (Fe ,Co ,Ni和Ni80 Fe2 0 )隧道结的I V曲线 ,通过与结在 77K温度下的实验I V曲线拟合决定了结的势垒参数 .拟合结果表明 ,对于上电极为不同铁磁金属的 4种结 ,Al Al2 O3 界面处的势垒高度差别很小 ,而Al2 O3 Fe ( Co , Ni, Ni80 Fe2 0 )界面处的势垒高度以及势垒宽度则分别为 1 72eV ,1 76eV ,1 86eV ,1 6 9eV以及 1 7 6 0 ,1 1 2 2 ,1 2 2 8 ,1 3 4 0 .势垒高度和宽度因铁磁金属上电极不同而改变的现象可归因为铁磁金属原子向Al2 O3 势垒层渗透 ,以及在界面区域铁磁金属原子与Al2 O3 的氧化反应导致附加氧化势垒层的形成 .     

Al-Al2O3-Ni隧道结中的表面粗糙度效应

用真空蒸发镀膜法在光滑的玻璃基片和粗糙的CaF2薄膜表面上制备了Al-Al2O3-Ni隧道结，观测了CaF2薄膜的表面粗糙度对隧道结伏安特性的影响，首次观测到这种界面粗糙结的光发射．采用梯形势垒模型计算伏安特性，并与实验伏安特性拟合，得到了结的有效势垒参数．结果表明，与界面光滑的结比较，界面粗糙的结的有效势垒宽度较窄，有效势垒面积较小．这可归因为在粗糙的Al2O3表面投射式的沉积Ni原子时，在Al2O3-Ni界面留下了空隙．同时分析了结的发光机理，讨论了影响发光效率的因素．     

高取向碳纳米管薄膜和碳纳米管束薄膜的场发射性质研究

采用热解二茂铁/三聚氰氨混合物方法合成了高取向碳纳米管薄膜和碳纳米管束薄膜.二氧化硅基底上生长的碳纳米管具有一致的外部直径约22 nm和一致的长度约40μm;陶瓷基底上生长的碳纳米管具有变化的外部直径为10～90 nm和不同的长度约20～100 μm;合成的纳米管为多壁纯碳管并存在大量的缺陷和石墨断层;高取向碳纳米管薄膜的开启电场为3.9 V/μm,场增强因子为3000;碳纳米管束薄膜的开启电场为2.9 v/μm,场增强因子为5200.     

不同氧流量条件下ZnO纳米棒阵列的形成及机理分析

采用脉冲激光沉积结合化学气相沉积方法在p-Si(111)衬底上制备了呈直立生长的ZnO纳米棒阵列,并且研究了氧流量对ZnO纳米棒尺寸、结晶特性等性质的影响。研究结果表明,在没有氧气的环境下无法生长ZnO纳米棒;随氧流量减小,不同晶面上ZnO生长速率的不同导致ZnO纳米棒长度减小、直径变粗、结晶质量变差、纳米棒面密度减小。氧流量的减小使得ZnO纳米棒中的氧空位缺陷含量增加,导致位于约520nm处的绿光峰增强。