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讨论了谐振腔中的 DBR对 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED面阵光反射特性的影响 .采用 In Ga As/ Ga As作为多量子阱 SEED器件的有源区 ,从而获得了 980 nm工作波长 .设计和分析了 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构 .多量子阱材料是用 MOCVD系统生长 ,利用微区光反射谱、PL 谱以及 X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析 ,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量 ,证明了器件结构的设计和分析是准确的 相似文献
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随着LTE网络的大规模建设,LTE终端的市场占有率也在逐步提升。而LTE终端在使用过程中的表现,是影响用户感知的重要因素之一。终端感知不仅仅是终端本身质量问题,还包括与网络匹配问题。文章从LTE终端评估和测试规范两个角度阐述了LTE终端质量评测问题,对于运营商终端营销、终端厂商质量评测、以及运营商业务推广起到一定的借鉴作用。 相似文献
45.
利用微层共挤出设备,制备了导电层(炭黑(CB)填充聚丙烯(PP)-20%CB)和绝缘层PP叠合的层状复合物,同时制备了PPCB普通共混物。比较了层状材料与普通共混材料在结构形态、电学性能、力学性能和电磁屏蔽性能方面的差异。研究发现,层状材料的导电性和电磁屏蔽性能均优于普通共混样,前者的体积电阻率和屏蔽峰值分别为1.96×103Ω·cm和48 dB,后者相应值分别为12.53×106Ω·cm和28 dB。力学性能测试表明,层状材料的断裂伸长率和拉伸强度(分别为654.52%,26.37 MPa)也优于普通共混材料(188.11%,24.78 MPa)。 相似文献
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介绍了一种新的发光三极管(LED)芯片的检测方法及应用.该方法利用自行研制的掩埋双pn结(BDJ)光波长探测器同时测量LED芯片的有效波长及辐射强度,具有简单、快捷、动态范围宽、探测器体积小和便于系统集成的优点,在半导体照明最感兴趣的398~780 nm波长范围内,波长测量的重复精度及分辨率优于1 nm.据此方法,对红、绿、蓝、紫四种LED芯片发光的波长及辐射强度进行了实际测量,对红绿蓝三基色发光二极管合成白光的偏色进行了检测,并与光纤光谱仪测量得到的结果进行了比较. 相似文献
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采用相同生长结构的MOCVD外延片,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵,发射及接收波长相同,由谐振腔模式决定.采用双氧化电流限制结构,优化串联电阻,提高电光转换效率,制备980nm波段发光器件及1×16列阵芯片,发射谱线半宽≤4.8nm,注入电流为50mA时,发射功率为0.7mW.对列阵芯片用探针进行在线检测,器件均有良好的发光特性.接收器件光电响应具有良好的波长和空间选择特性,谐振接收波长可利用不同角度光入射实现简单易行的调节.通过腐蚀器件顶部DBR的方法调节入射镜反射率,可以分别实现具有单片集成结构的谐振增强型发射和接收器件的优化设计. 相似文献
50.
明暗恢复形状法是计算机视觉领域的热门问题。明暗恢复法是通过一张照片的灰度信息恢复物体表面形状的一种方法。本文从数学角度度分析了SFS问题,并提出了三种解法:直接法求解,变分法求解和采用优化理论理论求解。并分析比较了这三种方法的适用范围和各自的典型算法。最后分析了SFS问题的发展趋势和难点问题。 相似文献