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阐述了LIGA技术的组成及特点。对LIGA工艺掩膜、X射线光刻、电铸及塑铸等进行了朱理分析。用一次成型法制作了以聚酰亚胺为衬基、以Au为吸收体的X射线光刻掩膜。简单介绍了这种掩膜的制作工艺过程,并用这种掩膜在北京电子对撞机国家实验室进行了同步辐射X射线光刻,得到了深度为500μm,深宽比达8.3的PMMA材料的微型电磁马达联轴器结构。给出掩膜和X射线光刻照片。同时,对Au、Ni等金属材料的厚膜电铸进行了工艺研究。 相似文献
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以乙炔(C2H2)为碳源,N2为载气,二茂铁为催化前驱物,采用浮动催化法,在碳纤维衬底上制备了垂直定向的碳纳米片阵列.利用SEM,EDX和Raman光谱对所得产物进行了表征.结果表明经十二烷基磺酸钠(SDS)和二茂铁的丙酮溶液煮沸和浸泡处理后的碳纤维表面所生长的碳纳米片长度约为600 nm,宽度约为50 nm.Raman光谱分析表明所制备的碳纳米片为石墨结构.碳纤维的预处理不仅活化了表面,而且避免了催化剂向其内部的渗透和吸收.基于以上结果,碳纤维/碳纳米片在场发射领域很可能有重要的应用. 相似文献
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微显示器件的研究进展 总被引:4,自引:0,他引:4
微小显示和虚拟显示研究得比较多的显示器件有微CRT、LCD、OLED、微LED、LCOS、MEMS等,由于原理不同,每一种微显示器工作的场合和环境也不同,各种器件各有用武之地。LED型微显示器件作为一种全固体的主动发光器件,拥有许多优点:工作电压低、发光效率较高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽等。在同一芯片上集成LED阵列技术可以很好地满足应用需求。 相似文献
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利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的电场,随着离纳米线顶端表面距离的增大,电场迅速下降;纳米线突出栅孔的长度(L-d1)越大,纳米线半径r0、栅孔半径R以及栅极与阳极间距d2越小,则纳米线顶端表面电场越强,而d2较大时d2对表面电场的影响很弱;纳米线顶端边缘电流密度J随着阳极与栅极电压的增加而指数增大. 相似文献
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随着光通信技术的发展,特别是光波分复用(WDM)技术的广泛应用,光交叉连接技术(OXC)和光分插复用技术(OADM)受到了越来越多的关注。波长选择器件因具有对不同波长自由选取的功能而在以上两种技术中起到了十分重要的作用。本文介绍了目前研究的几种典型的波长选择器件,对它们的特点进行了分析和比较。 相似文献
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A type of spatial modulating micro Fourier transform spectrometer (FTS) based on micro multi-step mirrors (MMSMs) is designed and manufactured in this paper. The interference system is based on Michelson interferometer, using two MMSMs instead of plane mirrors in two arms. The recovered spectrum is simulated with different distances between MMSMs and the detector, and the influence of diffraction on the recovered spectrum is analyzed. The edge-enlarging method for the MMSMs is proposed to eliminate edge noise, and the influence of surface roughness of MMSMs on the recovered spectrum is also analyzed. Moreover, the way of manufacturing the MMSMs is investigated. 相似文献
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准分子激光刻蚀技术在微机械中的应用研究 总被引:6,自引:1,他引:5
准分子激光刻蚀技术在微机械领域有着十分广泛的应用前景,用该技术制作的聚合物微结构深宽比大、精度高,并且工艺简单。我们分析了准分子激光刻蚀原理,探索了这种技术的工艺方法和技术条件,特别对掩膜的结构和制作工艺进行了较为深入的研究。本文采用简易的实验装置,用自行研制的三种结构掩膜进行了准分子激光刻蚀实验,得到了50μm 深的聚合物材料微机械构件。 相似文献
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栅极调制纳米线的场发射特性 总被引:1,自引:1,他引:0
建立一个理想的带栅极纳米线模型,利用静电场理论计算出纳米线顶端电场增强因子,进一步分析了栅孔半径以及栅极电压等参数对电场增强因子和纳米线顶端表面电流密度的影响.结果表明,在加较大的栅极电压的情况下栅孔半径越小,电场增强因子就越大,且随着栅极电压的增加电场增强因子近似地线性增加;而当栅极电压等于零(或接近于零)时栅孔对纳米线表面电场的屏蔽效应较显著,栅孔半径越大,电场增强因子反而越大;电流密度在纳米线顶端边缘处最大,而且随着栅极电压的增加而呈指数增加. 相似文献