一种基于功能覆盖率的验证环境的构建方法

首先介绍了功能覆盖率和层次化Testbench,然后将两者结合起来介绍了一种基于功能覆盖率的验证环境的构建方法。论文结合作者设计的“龙腾R2”总线接口单元的验证平台,对这一方法作了详细的介绍。通过与“龙腾R1”总线接口单元的验证方法比较显示,笔者搭建的验证平台的验证时间缩短25%。     

利用排队论分析嵌入式多任务系统的性能

最长响应时间、最短响应时间和平均响应时间是嵌入式系统的几个性能指标,对一些不要求满足实时要求的应用(如打印机、路由器等),其平均性能更重要。拟利用排队论来分析嵌入式多任务系统的平均性能,为系统设计、验证、决策和优化提供参考依据。     

多核多线程处理器二级Cache预取结构的设计

合理的设计二级Cache是有效地减少多核多线程处理器存储器访问延迟的方法。针对现有的多核多线程处理器,讨论了二级Cache的混合预取结构设计方案。通过详细设计和仿真分析,结果表明混合预取结构可有效提高处理器的整体性能。特别是采用不命中混合预取结构的二级Cache性能更佳,适合满足此类结构的多核多线程处理器需求。     

iPAS系统IP承载网流量的研究

采用方差时间图方法分析了一个大型商用iPAS系统IP承载网流量数据,得出IP承载网流量呈弱自相似过程的结论,这意味着从不同的时间尺度来看,IP承载网流量具有突发性,但突发性并不是很强。而对IP承载网流量分布的分析,表明IP承载网流量呈比较复杂的分布,不能用常用的分布表示。流量峰值反映了流量的突发情况,该文研究发现,对同一流量过程,采样时间粒度不同,则采样得到的流量峰值不同。所以,为了得到必要的流量特征细节,必须合理选择采样时间粒度。     

手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计

内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法。在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右。采用0.25μmCMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418kbits。NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,当访存时钟频率为3.8MHz时,静态功耗为0.9mW,动态功耗小于3mW。     

32位RISC微处理器Load/Store部件的设计

简要介绍了一个32位RISC微处理器芯片ARS03的体系结构,阐述了处理器内部各个模块的功能。着重讨论了其中的Load/Store部件的设计,以及对关键路径的优化措施。Verilog仿真、综合和静态时序分析的的结果表明设计达到了预定要求。目前ARS03微处理器已经进入后端流程,不久就将使用0.25微米的工艺进行流片。     

SoC可测性技术研究

超深亚微米工艺和基于可复用嵌入式IP模块的系统级芯片(SoC)设计方法使测试面临新的挑战,需要研究开发新的测试方法和策略.介绍了可测性设计技术常用的几种方法,从芯核级综述了数字逻辑模块、模拟电路、内存、处理器、第三方IP核等的测试问题,并对SoC可测性设计策略进行了探讨,最后展望了SoC测试未来的发展方向.     

i960微处理器性能模型设计

本文讨论了系统性能模型在体系结构设计中的作用,研究了高性能微处理器的性能仿真模型设计技术。系统是基于i960KA指令集,以超标量流水线技术为基础,取代i960KA的原有的5级流水线,采有高层次硬件描述语言实现。     

面向SMT体系结构的片上资源分配策略研究

SMT处理器通过同时执行来自多个线程中的指令来提高性能,所有线程通过竞争共享的方式来最大化片上资源的利用率.然而,SMT处理器的集中控制结构所固有的线延迟约束和多个线程对片上资源持有的不均衡性使得设计者不得不考虑在线程间进行资源分配,来减少通信延迟和可能出现的线程饥饿.本文介绍了针对SMT体系结构片上资源分配的基本原理、研究内容;分析了片上资源分配对SMT体系结构造成的影响;从显式和隐式两个角度讨论了SMT体系结构片上资源分配策略的运行机制和设计方法;举例分析了POWER5处理器的动态资源平衡策略;最后,展望了SMT处理器片上资源分配的未来发展趋势.     

高增益超宽带低噪声放大器设计研究

设计了一种适用于3.1～ 5 GHz的超宽带(UWB)低噪声放大器(LNA).该LNA具有平展高增益特性.设计采用两级结构,每一级采用不同的谐振负载,第一级谐振频率为3.1 GHz,第二级为5 GHz,进而产生平展高增益.设计中,采用前馈技术消除输入MOS管的沟道热噪声.电路采用65 nm CMOS工艺实现.测试结果表明,该LNA增益高达21.3 dB,功耗仅为8 mW.