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91.
本文讨论了系统性能模型在体系结构设计中的作用,研究了高性能微处理器的性能仿真模型设计技术。系统是基于i960KA指令集,以超标量流水线技术为基础,取代i960KA的原有的5级流水线,采有高层次硬件描述语言实现。  相似文献   
92.
一种基于Petri网通信协议的分析和验证   总被引:2,自引:0,他引:2  
王晶  樊晓桠  曹清 《计算机应用》2005,25(1):165-167
基于一个PDA项目,介绍了自行设计的利用固定电话网进行信息传输的一套通信协议。用Petri网抽象描述了一系列代表性链路层协议模型,并借助Petri网模拟工具对模型进行修正和改进,得到可实际工程应用的协议模型。  相似文献   
93.
论文针对现有的移动代理系统对移动代理的控制能力较差的弱点,提出了基于策略的移动代理的控制方式,采用这种方式不但可以提高代理的可控性,同时还由于代理的功能部分和管理部分的分离而提高了代理的重用性。文中提出了一个基于策略的移动代理系统的框架,并对策略的声明、MA的重用和策略的执行等进行了重点阐述。  相似文献   
94.
修改芯片中的电路拓扑结构以及版图结构实现抗辐射性能,并最终通过商用半导体工艺制造线生产抗辐射芯片是目前抗辐射设计的一个重要思路。论文结合双互锁单元技术(DICE)、空间冗余技术(TMR)、时间滤波技术(TS)和RC滤波技术4种加固技术,完成抗辐射D触发器单元设计。最后通过理论分析和模拟仿真验证其抗辐射性能。  相似文献   
95.
多核多线程处理器二级Cache预取结构的设计   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
合理的设计二级Cache是有效地减少多核多线程处理器存储器访问延迟的方法。针对现有的多核多线程处理器,讨论了二级Cache的混合预取结构设计方案。通过详细设计和仿真分析,结果表明混合预取结构可有效提高处理器的整体性能。特别是采用不命中混合预取结构的二级Cache性能更佳,适合满足此类结构的多核多线程处理器需求。  相似文献   
96.
采用方差时间图方法分析了一个大型商用iPAS系统IP承载网流量数据,得出IP承载网流量呈弱自相似过程的结论,这意味着从不同的时间尺度来看,IP承载网流量具有突发性,但突发性并不是很强。而对IP承载网流量分布的分析,表明IP承载网流量呈比较复杂的分布,不能用常用的分布表示。流量峰值反映了流量的突发情况,该文研究发现,对同一流量过程,采样时间粒度不同,则采样得到的流量峰值不同。所以,为了得到必要的流量特征细节,必须合理选择采样时间粒度。  相似文献   
97.
手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计   总被引:2,自引:9,他引:2  
内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法。在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右。采用0.25μmCMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418kbits。NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,当访存时钟频率为3.8MHz时,静态功耗为0.9mW,动态功耗小于3mW。  相似文献   
98.
基于嵌入式微处理器的VxWorks系统移植*   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出一种以嵌入式微处理器为核心,移植VxWorks操作系统的方法.通过对VxWorks输入/输出系统的分析以及中断处理和异常处理过程的研究,设计了相应的外围器件,成功实现了VxWorks操作系统的移植.  相似文献   
99.
SMT处理器通过同时执行来自多个线程中的指令来提高性能,所有线程通过竞争共享的方式来最大化片上资源的利用率.然而,SMT处理器的集中控制结构所固有的线延迟约束和多个线程对片上资源持有的不均衡性使得设计者不得不考虑在线程间进行资源分配,来减少通信延迟和可能出现的线程饥饿.本文介绍了针对SMT体系结构片上资源分配的基本原理、研究内容;分析了片上资源分配对SMT体系结构造成的影响;从显式和隐式两个角度讨论了SMT体系结构片上资源分配策略的运行机制和设计方法;举例分析了POWER5处理器的动态资源平衡策略;最后,展望了SMT处理器片上资源分配的未来发展趋势.  相似文献   
100.
高增益超宽带低噪声放大器设计研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
设计了一种适用于3.1~ 5 GHz的超宽带(UWB)低噪声放大器(LNA).该LNA具有平展高增益特性.设计采用两级结构,每一级采用不同的谐振负载,第一级谐振频率为3.1 GHz,第二级为5 GHz,进而产生平展高增益.设计中,采用前馈技术消除输入MOS管的沟道热噪声.电路采用65 nm CMOS工艺实现.测试结果表明,该LNA增益高达21.3 dB,功耗仅为8 mW.  相似文献   
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