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101.
粉末冶金法制备SiC颗粒增强AZ81镁基复合材料性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了粉末冶金法制备SiC颗粒增强AZ81镁基复合材料的力学性能及力学性能变化的机理。实验结果表明,与AZ81基体相比,通过加入一定合适体积的SiC颗粒,SiCp/AZ81复合材料的拉伸强度、断裂韧性、硬度均有了较大提高,其最大值分别达到271.61MPa,5.96MPa·m^1/2,2.52GPa。 相似文献
102.
基于STEP的网络化制造框架系统初步研究 总被引:2,自引:0,他引:2
基于网络的STEP和XML数据共享技术不断发展,STEP-NC数控系统也日益兴起,但都限于网络制造的某个层次.文章针对这两方面的缺点,从两者结合的角度出发,提出了一种新的网络化制造框架系统方案,对其实现原理和应用过程进行了介绍,对系统的特点进行了总结,阐述了其对制造业的影响. 相似文献
103.
104.
105.
使用电磁搅拌、变质处理及其复合工艺分别成功制备了过共晶Al-20Si半固态浆料,研究了电磁搅拌和变质的复合作用对过共晶Al-20Si合金中初生Si长大和形貌的影响。研究结果表明:复合作用可以获得比单种变质处理和电磁搅拌的过共晶Al-20Si合金更加细小、更加圆整的初生Si组织。复合作用获得的初生硅比单一处理尺寸平均减小25.19%,圆整度平均提高8.40%。而且共晶Si组织也得到球化。复合作用细化组织的机理为:变质后施加旋转磁场,促进了变质剂的扩散,更多的初生Si与共晶Si组织相互打碎,深化了变质和电磁搅拌效果,细化显微组织。 相似文献
106.
Effects of Cu underlayer on the structure of Fe50 Mn50 films were studied. Samples with a structure of Fe50 Mn50 (200 nm)/Cu(tcu) were prepared by rnagnetron sputtering on thermally oxidized silicon substrates at room temperature. The thickness of Cu underlayer varied from 0 to 60 nm in the intervals of 10 nm. High-vacuum annealing treatments, at different temperatures of 200, 300 and 400℃ for 1 h, respectively, on the Fe50Mn50 (200 nm)/Cu(20 nm) thin films were performed. The surface morphologies and textures of the samples were measured by field emission scan electronic microscope (FE-SEM) and X-ray diffraction(XRD). Energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX) and Auger electron spectroscopy(AES) were used to analyze the compositional distribution. It is found that Cu underlayer has an obvious induce effect on (111) orientation of Fe50 Mn50 thin films. The induce effects of Cu on (111) orientation of Fe50 Mn50 changed with the increase of Cu layer thickness and the best effect was obtained at the Cu layer thickness of 20 nm. High-vacuum annealing treatments cause the migration of Mn atoms towards surface of the film and interface between Cu layer and substrate. With the increasing annealing temperature, migration of Mn atoms is more obvious, which leads to a Fe-riched Fe-Mn alloy film. 相似文献
107.
108.
用天然石英粉制备氮氧化硅粉末 总被引:5,自引:1,他引:5
以天然石英粉为原料,先进行活化预处理,然后在1350℃左右进行碳热还原氮化,制备了氮氧化硅粉末。实验结果表明:氮化过程中SiO2的转化率及产物中氮氧化硅(Si2N2O)的含量与SiO2的活化程度、氮化温度及添加剂等因素有关,其中氮化温度以1350℃为佳;随着SiO2活化程度的提高,其转化率也提高;添加少量的SrO,可以进一步提高SiO2的转化率。此外,还分析了SiOCN系统中气体分压对Si2N2O形成的影响。 相似文献
109.
针对瞬时悬浮力与瞬时转矩非线性强耦合的特点,分析了单绕组磁悬浮开关磁阻电机的运行机理,以提高电机动态运行性能为目标,提出瞬时悬浮力与平均转矩分相产生的控制策略。构建单绕组磁悬浮开关磁阻电机悬浮力与平均转矩的数学模型,运用等效电流法,将实际控制电流等效为转矩电流和悬浮电流。引入超前角θm,考虑磁饱和因素,分析推导出θm计算流程,得到电机运行控制策略。有限元和simulink仿真的结果表明当电机转子发生偏心时,采用所述控制策略,转子可以在极短的时间内恢复到平衡位置,闭环系统具有良好的动静态性能。 相似文献
110.