基于全息模型的悬浮填料设计

悬浮填料在水环境治理中发挥着重要的作用,在设计中关键是确定比表面积、结构间隙对微生物附着的影响,以及悬浮填料的加工性,以优化悬浮填料的结构。全息建模技术融合悬浮填料的功能、几何、加工、工况分析、工艺等全部设计信息,达到了CAD/CAM/CAE/CAPP一体化,为产品设计一次成功率提供有力保证。结合设计实践,给出悬浮填料全息模型的实现方法及设计实例。     

悬浮填料转笼式生物反应器的研制与应用

为了有效治理日益严重的河流、湖泊水污染,研制了一种悬浮填料转笼式生物反应器。其工作原理是:利用水流推动转笼转动,中心轴微孔曝气提升悬浮填料、转笼体内叶片搅拌悬浮填料,形成一个均匀混合的高效处理河流、湖泊污水的流化态微环境。将该反应器进行了应用实验研究,结果表明,该悬浮填料转笼式生物反应器处理低浓度污水比传统处理方式的处理效果高10%。     

弯曲性分叉河道中污染物扩散性的初步研究

弯曲性分叉河道中水流特征复杂,对污染物扩散有很大影响。为了定量分析其水流特征对污染物扩散的影响,采用有限元方法求解弯曲性分叉河道中的污染物扩散数学模型,研究其中污染物扩散的状况。主要针对河道回流、绕流对污染物扩散的影响进行了详细数值模拟计算,并分别给出了可视化结果及平均的扩散距离。计算结果表明:边界层稍微减弱污染物的扩散,弯道分离使污染物扩散呈现多向扩散,而回流和绕流尾迹区使污染物很难扩散,从而有利于泄漏污染物的收集和集中治理。     

体目标条件下的鱼雷攻击效果评估仿真方法研究

为了进行精确制导仿真,文中将目标体视为椭球体的几何体目标,建立了鱼雷攻击目标的脱靶量和命中角等命中要素的计算模型,并采用蒙特卡罗法进行统计仿真试验,得到命中概率、脱靶量均值、均方差、置信区间等统计结果.本方法对于提高鱼雷攻击效果的仿真统计精度具有应用价值.     

在线图文包装浅谈

电视包装是对电视节目、栏目、频道．甚至是电视台的整体形象,进行一种外在形式要素的规范和强化。这些外在的形式要素包括声音（语言、音响、音乐、音效等）、图像（固定画面、活动画面、动画）、颜色等诸多要素。     

2014年5月龙岩市一次暴雨过程诊断分析

该文利用龙岩市区域自动站资料和常规气象资料,从天气形势、物理量场演变特征分析研究出现于2014年5月21-23日龙岩暴雨过程的成因。结果表明:此次暴雨天气过程主要影响系统有高空西风槽和南支槽、中低层切变和西南急流及地面弱冷空气,这种地面、中低空系统的有机结合,加上高空的良好配置,造就了这次强降雨过程。物理量诊断分析表明:低层辐合、正涡度区、高层辐散、中低层垂直上升运动都在我省中南部一带,正好与我市境内实况降水区相对应。     

CDIO教学柔性化管理策略及其评价

将柔性管理引入到CDIO教学管理中,探讨柔性化激励机制、柔性化决策机制、柔性化评价机制、柔性化沟通机制的具体实施方案。并采用TRIZ理论理想化水平评估柔性化教学管理的理想化水平,通过问卷调研知识理解度、知识传授度、管理成本、资源的损害、管理方便性五个指标,计算出柔性化教学管理理想化水平大于1,表明柔性化教学管理效果较好,有较大的推广价值。     

认知无线网络中基于业务区分的多信道MAC协议

为了满足认知无线网络中认知用户的业务服务质量需求,提出了一种基于业务区分的多信道媒体接入协议(SD-MAC).根据授权用户的信道使用模型以及认知用户的业务类型,实时业务采用基于预约的接入机制,而非实时业务则通过采用基于竞争的接入算法实现信道共享.理论分析和仿真结果表明,所提出的MAC协议能够有效提高实时业务的吞吐率,保证较低的接入时延,从而有效地提升系统性能.     

Effect of wafer size on the film internal stress measurement by wafer curvature method

Wafer curvature method has been applied to determine the internal stress in the films using Stoney’s equation. During the film deposition, the wafer fixation on the sample holder will restrict the deformation of the rectangle-shaped wafer, which may result in the stress datum difference along length and width direction. In this paper, the effect of wafer size and the wafer fixation on the TiN film internal stress measured by wafer curvature method was discussed. The rectangle-shaped wafers with different length/width ratios (L/W=1:1, 2:1, 3:1 and 4:1) were fixed as a cantilever beam. After the TiN films deposition, the profiles of the film/wafer were measured using a stylus profilometer and then the internal stress was calculated using the Stoney equation in the film. The results showed that the fixed end of the wafers limited to some degree the curvature of the wafers along the width direction. For film internal stress measured by wafer curvature method, the wafer profile should be scanned along the length direction and the scan distance should be greater than or equal to half of wafer length. When the length/width ratio of the wafer reached 3:1, the wafer curvature and the calculated stress were basically the same at different positions along the length direction. For film internal stress measured by wafer curvature method, it was recommended that the length/width ratio of wafer should be considered to be greater than or equal to 3:1, and the deformed profile was scanned along the length direction.