GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱

采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的MOVPE生长的GaN样品进行综合测试.它们在表征GaN单晶膜质量方面结果一致.     

Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究

用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KoH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AIN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.     

Ag掺杂ZnO的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究.研究表明,掺Ag导致晶格膨胀;在ZnO晶格中,杂质Ag最可能以替代Zn位出现,此时将形成一个深受主能级.文中的计算结果与其他研究者的实验结果相吻合.     

烘干温度对氮掺杂二氧化钛光催化剂性能的影响

以Ti(SO4)2为原料,通过氨水水解法制备氮掺杂二氧化钛前驱体,煅烧前驱体制备氮掺杂纳米二氧化钛。用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱、透射电镜、热重-差热分析和比表面等方法对制备的样品进行表征。以蓝色发光二极管为光源,用甲醛降解反应考察了光催化剂的活性。结果表明,制备的样品均为锐钛矿,氮掺杂使二氧化钛在可见光区的光吸收明显增强;低温烘干制备的催化剂相对高温烘干的具有较小的粒子尺寸和较大的比表面。烘干温度显著影响光催化性能,低温烘干的催化剂活性较高。     

刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响

在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片.本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性.在切割成单个芯片之前,对尺寸为200μ×200μm的芯片分别通高达500mA的大电流在测试台上加速老化.结果表明:刻蚀深度为0.8和1.2μm的芯片相对于刻蚀深度为0.5μm的芯片,其正向电压更低且光强衰减更慢,抗静电性能随老化时间变得更稳定,刻蚀深度为0.8μm的芯片抗静电性能强于刻蚀深度为1.2μm的芯片.     

MgSe薄膜的相结构研究

我们采用ＭＯＣＶＤ外延技术首次在ＧａＡｓ（１００）和（１１１）衬底上成功地生长了ＭｇＳｅ单层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术观察到了它的ＮａＣｌ结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构，并首次实验测量出了闪锌矿结构ＭｇＳｅ的晶格常数     

Effect of second introduced phase on magnetotransport properties of La2/3Sr1/3MnO3/0.33（CuO,ZnO, Al2O3） composites

The structure, magnetic and magnetotransport properties of La2/3Sr1/3MnO3（LSMO）/0.33（CuO, ZnO, Al2O3） composites were investigated to explore the role of second introduced phase. The microstructural analysis shows two kinds of grain boundaries： LSMO/LSMO and LSMO/second phase/LSMO. Two maximal resistivities appear in LSMO/0.33CuO and LSMO/0.33ZnO composites while the resistivity of LSMO/0.33Al2O3 decreases monotonically with increasing the temperature from 200 K to 400 K. Moreover, the temperature dependence of magnetoresistance（MR） of LSMO/0.33A1203 that decreases monotonically with increasing the temperature is different from that of LSMO/0.33CuO and LSMO/0.33ZnO. A developed two-channel model consisting of scattering model and tunneling model was proposed to fit the resistivity—temperature curves of these composites. The role of second introduced phase and the magnetotransport mechanism of these composites were elucidated.     

化学计量比的偏离对GaN的结晶品质及光电性能的影响

用 X射线光电子能谱对 MOCVD生长的未故意掺杂 Ga N单晶薄膜进行 N、 Ga组份测试 ,同时用 RBS/Channeling、 Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究 .结果表明 N含量相对低的 Ga N薄膜 ,其背景载流子浓度较高 ,离子束背散射沟道最小产额比 χmin较小 ,带边辐射复合跃迁较强 .在 N含量相对低的 Ga N薄膜中易形成 N空位 ,N空位是导致未故意掺杂的 Ga N单晶薄膜呈现 n型电导的主要原因 ;N空位本身对离子束沟道产额没有贡献 ,但它能弛豫 Ga N与 Al2 O3之间的晶格失配 ,改善生长的 Ga N薄膜的结晶品质     

两步镀膜Ti/Al/Ti/Au的n型GaN欧姆接触研究

报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀Ti(30nm)/Al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3min,最后蒸镀Ti(100nm)/Au(1000nm)用于保护Al层不被氧化。该接触电极有良好的欧姆接触特性,比接触电阻率为8.8×10-5Ωcm2,表面平坦、稳定、易焊线,可应用于制作高性能的GaN器件.     

江风益:技术方、投资方需摆正各自位置

对于许多高校、研究所等研发部门来说，高新技术转化成生产力一直都是很难的事情。一方面，我国目前还缺少风险投资的良好机制；另一方面，国内很多风险投资公司对高新技术向产业转化的长期性、艰苦性理解的并不深入，投资方、技术方很容易产生矛盾。