ASP.NET中EXCEL导出构件设计

主要研究了在B/S架构下的MIS系统中,生成报表的几种方案,同时在实践项目中提出了一个导出EXCEL报表的通用方法的设计和实现过程。     

出口轻纺企业如何应对产品召回

目前,出口轻纺产品召回事件日益增加,召回的产品多为玩具和奄装,其召回的主要问题是化学伤害和小零件引起的窒息伤害.出口轻纺企业应加强对出口国技术法规的学习,严格控制好生产过程的质量安全,强化风险防范意识.     

DOS下ADS程序与AutoCAD R12for windows间的通讯,连接

本文介绍了ＡＤＳ程序的组成，工作流程，并详细阐述了把ＤＯＳ下ＡＤＳ程序移植到Ｗｉｎｄｏｗｓ平台上与ＡｕｔｏＣＡＤ Ｒ１２ ｆｏｒ ｗｉｎｄｏｗｓ进行通讯、连接的方法和步骤。     

对工科教学中使用CAI的思考

结合工科课程教学和使用CAI的经验,探讨CAI在工科课程教学中的重要性,并分析了目前使用CAI教学存在的一些问题,提出了一些解决办法。     

n+多晶硅/n+SiC异质结欧姆接触

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n+多晶硅/n+SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术. 模拟结果表明n+多晶硅/n+SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触，具有工艺简单、性能优良的优点.     

基于WTK的虚拟装配技术研究

以实例论述了基于高端PC的隧道凿岩钻臂虚拟装配环境制作过程，说明利用CAD设计软件建立几何及物理模型，再将VC 中的OpenGL技术和WTK(WorldToolKit)相结合，可以在较低的成本下实现良好的虚拟装配效果，具有极大的实用和推广价值。     

N型Ni基SiC欧姆接触比接触电阻的精确求解

精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,用其代替WKB近似计算的隧穿几率精确提取比接触电阻．针对N型Ni基SiC欧姆接触的实验结果进行了计算比较,结果表明采用该方法提取的比接触电阻比采用WKB近似计算的传统方法更加精确和符合实际情况．     

一种利用层错无损测量4H-SiC外延层厚度的方法

介绍了一种利用层错无损测量4H-SiC半导体材料外延层厚度的方法。该方法是根据4H-SiC同质外延生长中堆垛层错(stacking fault,SF)和外延层厚度的几何关系,通过测量在场发射扫描电子显微镜下观测到的SF沿[1100]方向边长的长度,计算出外延层厚度。与常用外延层厚度测量方法(红外干涉法)相比,这种无损测量方法更为简易精确。     

n+多晶硅/n+ SiC异质结欧姆接触

采用器件仿真软件ISE TCAD模拟了n 多晶硅/n SiC异质结形成欧姆接触的新的SiC欧姆接触制造技术.模拟结果表明n 多晶硅/n SiC异质结接触可以形成良好的欧姆接触,具有工艺简单、性能优良的优点.     

表面态密度分布和源漏电阻对6H-SiC PMOS器件特性的影响

建立了一个价带附近的界面态密度分布模型,并用该模型较好地模拟了6H-SiC PMOS器件的阈值电压随温度变化的趋势、C-V特性以及转移特性.理论C-V特性曲线是用数值解泊松方程的方法得到的,在解泊松方程的过程中考虑了场致离化效应.由于SiC PMOS器件的源漏电阻比较大,因此,在计算强反型情况下的漏电流时,同时考虑了源漏电阻的影响.结果表明,源漏电阻对漏电流的影响很大.