Fe2O3/SnO2和SnO2/Fe2O3双层薄膜的XPS分析

用X光光电子能谱(XPS),结合Ar~+刻蚀对Fe_2O_3/SnO_2及Fe_20_3/SnO_2双层薄膜进行分析.结果表明:Fe_2O_3/SnO_2膜表面,晶格氧的结合能为529.85eV,热处理前有大量吸附氧存在,在600℃退火后,大部分羟基、羰基形态的吸附氧解吸;SnO_2/Fe_2O_3膜表面,热处理前后都只有少量的吸附氧,经热处理后表面吸附氧却略有增加.双层薄膜中锡向氧化铁层的扩散较铁向氧化锡层的扩散强.扩散的结果,形成了一个数十纳米的过渡层,对元件的气敏性质产生一定的影响.     

PCVD法超微粒α-Fe_2O_3的敏感特性

普通的α-Fe_2O_3,由于其所具有的高稳定性,对气体是不够敏感的。加入硫酸根或四价金属离子后,α-Fe_2O_3得到了微细化,从而使α-Fe_2O_3,的灵敏度显著提高,达到了实用化要求。研究发现采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法,合成出颗粒尺寸在nm级的超细α-Fe_2O_3。用这种材料制成的气敏元件具有低的工作温度(250℃)、较好的气敏选择性(C_2H_5OH)和良好的气敏稳定性。若将超微粒α-Fe_2O_3的热处理     

钛掺杂的α-Fe2O3-K2O纳米湿敏陶瓷结构与性能研究

采用硬脂酸凝胶法新工艺在α－Fe₂O₃－K₂O复合体系中掺入TiO₂.XRD、BET比表面吸附、Archimede排水法等手段对掺钛α－Fe₂O₃－K₂O纳米陶瓷分析表征结果表明,适量掺杂TiO₂,材料仍保持α－Fe₂O₃的刚玉结构,且具有很高的热稳定性,但抑制了主晶相晶粒成长,增大了材料比表面积及孔隙率．电性能及湿敏特性测试结果表明,适量掺杂TiO₂,降低了材料固有电阻,显著减小了材料湿滞;认为钛掺杂使材料晶粒细化;从而使K+更加分散地沉积在α－Fe₂O₃晶粒表面非晶壳层中,是改善材料湿滞的主要原因．     

α—（SbxFe1—x）2O3半导体的固溶与导电机制的相关性

用化学共沉淀法，经热处理制得ｎ型半导体α－（ＳｂｘＦｅ１－ｘ）２Ｏ３。ＸＲＤ分析确证０≤ｘ≤０．２是固溶体。实验发现在ｘ≤０．０３区间内材料电阻降低幅度很大，而在ｘ＝０．０３￣０．２区间的电阻却缓慢上升，根据体系中存在ＳｂＦｅ＾ｘ→ＳｂＦｅ＾－＋２ｅ缺陷平衡，讨论其原因和导电机制；相应於此缺陷平衡的Ｓｂ＾３＋和Ｓｂ＾５＋的含量由ＸＰＳ分析予以证实。     

锌,锡复合氧化物的制备,相组成与气敏性能的关系

ZnO-SnO_2复合氧化物粉料是采用化学共沉淀和固相反应相结合的方法合成的,用XRD和XRF等手段研究了Zn/Sn摩尔比及烧结温度对物相组成的影响。有目的地合成一系列不同相组成的粉料,并探讨与材料电导及气敏性能之间的关系。     

PCVD法制备高敏感非晶氧化铁气敏材料

本文研究了沉积工艺条件对超微粒形成的影响,用PCVD法成功合成出具有良好气敏效应的纳米级非晶氧化铁气敏材料。并且采用ED,XRD,TEM,IR,XPS,DTG等现代化仪器对材料的结构与组成进行了研究。表明初始产物的表面有大量吸附杂质,可通过热处理而将之除去。热处理后,材料表面仍有大量的吸附氧,非晶的晶化温度在270—280℃之间。对元件的测试结果表明:超微粒元件具有工作温度低(250℃),气体灵敏度高(C_2H_5OH,200ppm,25倍),响应速度快以及选择性和稳定性良好的优点,其气敏机理显示出表面控制型气敏机理的特点。这些与传统材料和传统机理不同,有待进一步研究。     

等离子体化学气相淀积SnO_2气敏材料

用等离子体激活的化学气相淀积(PCVD)方法在比表面大的多孔玻璃上淀积纯 SnO_2,得到稳定性好、工作温度低及选择性较好的气敏薄膜元件。研究了该元件对 H_2、C_2H_5OH、LPG(液化石油气)等气体的气敏效应,对元件的检测机理作了一些探讨,并与用烧结法制备的元件的气敏性能进行了比较。