全文获取类型
收费全文 | 498篇 |
免费 | 10篇 |
国内免费 | 47篇 |
专业分类
电工技术 | 17篇 |
综合类 | 44篇 |
化学工业 | 29篇 |
金属工艺 | 158篇 |
机械仪表 | 26篇 |
建筑科学 | 2篇 |
矿业工程 | 2篇 |
轻工业 | 6篇 |
石油天然气 | 1篇 |
武器工业 | 14篇 |
无线电 | 17篇 |
一般工业技术 | 172篇 |
冶金工业 | 65篇 |
原子能技术 | 2篇 |
出版年
2016年 | 1篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 12篇 |
2013年 | 6篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 9篇 |
2009年 | 29篇 |
2008年 | 24篇 |
2007年 | 31篇 |
2006年 | 46篇 |
2005年 | 69篇 |
2004年 | 75篇 |
2003年 | 42篇 |
2002年 | 26篇 |
2001年 | 25篇 |
2000年 | 24篇 |
1999年 | 22篇 |
1998年 | 13篇 |
1997年 | 6篇 |
1996年 | 9篇 |
1995年 | 22篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 2篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 11篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 5篇 |
1988年 | 4篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 2篇 |
1981年 | 1篇 |
1966年 | 4篇 |
排序方式: 共有555条查询结果,搜索用时 31 毫秒
491.
492.
493.
纳米ZnO掺杂对压敏阀片电性能和组织的影响 总被引:3,自引:2,他引:3
研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理。研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高。在质量分数为0~30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势。当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149。在0~10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%~30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高。当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6 mA。 相似文献
494.
添加剂对注射成型钕铁硼粘结磁体性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
为了制备出高性价比的注射成型粘结钕铁硼磁体,采用国产的快淬钕铁硼磁粉和尼龙6混合、挤出造粒后,注射成型制备钕铁硼磁体。通过对硅烷系列的偶联剂、硬脂酸系列的润滑剂等添加剂对注射磁体性能的影响研究,并结合微观分析优化出了各种添加剂的最佳添加量,制备出了磁性能为Br:0.5158T,Hcb:321kA/m,Hcj:730kA/m,(BH)m:40kJ/m3的注射钕铁硼磁体,磁体的性能与日本Mate公司的RNI—50产品性能相当,而价格却低得多。 相似文献
495.
496.
多层片式陶瓷电容器MLC研发进展 总被引:20,自引:0,他引:20
介绍了多层陶瓷电容器MLC产品的国内外生产与研发状况,尤其是国外先进厂家的湿法印刷技术与Soufill陶瓷介质膜制造工艺,讨论当前常压MLC的发展趋势和高压MLC的技术水平,指出我国MLC行业存在的问题和发展方向。 相似文献
497.
498.
钕铁硼—铝镍钴粘结永磁的复合效应 总被引:1,自引:1,他引:1
本文比较系统地研究了钕铁硼-铝镍钴粘结永磁的复合效应,结果表明在塑料含量一定时NdFeB-AlNiCo5复合永磁的剩余磁感应强度Br随NdFeB含量变化基本不变;剩磁温度系数αBr随NdFeB含量增加而线性增大;内禀矫顽力jHc,矫顽力bHc,最大磁能积(BH)m均随NdFeB含量x增加呈指数函数增大,并具有下列数学关系式:jHc=150e^4.15x 440,bHc=149e^3.37x 400,(BH)m=0.172e^3.61x 0.4。 相似文献
499.
时效工艺对Fe-14Mn-5Si-8Cr-4Ni-0.2C合金形状记忆效应的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了时效工艺对Fe-14Mn-5Si-8Cr-4Ni-0.2C合金形状记忆效应和微观组织的影响,研究结果表明,变形后再时效对合金形状记忆效应的提高比不变形直接时效的显著得多,变形后时效将合金的形状回复率提高了190%,而直接时效只提高了83%,经SEM和TEM分析发现,同样时效时间下,与直接时效相比,变形后再时效一方面不仅减少了碳化物的析出数量,抑制了碳化物粒子的长大;另一方面还使第二相粒子主要在晶界上析出,而不是在晶内,正是这两方面的原因导致变形后时效对合金形状记忆效应的提高比不变形直接时效的高得多。 相似文献
500.