一种1.8 V低功耗2 GHz预分频电路的设计

描述了一个应用于高集成度2 GHz频率综合器的预分频电路的设计,预分频电路中D触发器采用了源极耦合逻辑电路结构,可以提高电路工作频率,同时有效减小开关噪声和电路功耗.预分频电路采用TSMC 0.25 μm IPSM CMOS工艺实现,Spectre仿真表明,在1.8 V的电源电压下,经过优化的预分频电路能够在各种工艺条件和温度下正常工作,整体功耗为6.2 mw(单个D触发器功耗仅为1.8 mW),满足手持设备的要求.     

基于UT的混合粒子滤波单站无源定位算法

为利用无源固定单站对运动辐射源快速定位,将粒子滤波和UT(unscented transformation)应用于单站无源定位,给出了一种基于UT的角度约束采样混合粒子滤波无源定位算法,该算法从UKF滤波得到建议分布,从该建议分布采样时引入角度测量对状态变量的约束,可以减少粒子滤波用于高维情况时所需的粒子数目,改善滤波性能.与EKF、UKF(unscented kalman filter)以及基于EKF的混合粒子滤波算法的仿真比较表明,本文算法在滤波收敛速度、跟踪精度以及稳定性方面优于其它算法,估计误差可以接近Cramer-Rao下界.     

用于非圆信号二维测向的扩展Root-MUSIC算法

利用双平行线阵的阵列结构,提出了用于非圆信号二维测向的扩展root-MUSIC(ERM)算法.ERM算法估计得到的俯仰角与方位角一一对应,自动配对,无需搜索,其可测向信号数大于子阵阵元数,方位测角精度优于同样基于双平|亍线阵的二维测向波达方向矩阵法(DOAM),俯仰测角精度在低信噪比下优于DOAM算法,俯仰角兼并时算法仍有效.     

基于快速子空间分解的宽带非相干DOA估计快速算法

总结了快速子空间分解在窄带阵列到达角估计中的应用,给出了几种构造参考信号的方法。将快速子空间分解与宽带非相干信号子空间方法相结合,得到了宽带到达角估计快速方法。在性能基本保持不变的同时,新方法大大降低了运算量。仿真结果证明了算法的有效性。     

一种基于Bessel函数的宽带DOA估计方法

提出了一种基于Bessel函数的宽带相干信号子空间DOA(Direction-of-Arrival)估计方法,新方法不需要角度预估,避免了角度预估误差对DOA估计结果的影响。仿真结果证明了方法的有效性。     

一种不需要特征值分解的ESPRIT方法

多级维纳滤波是一种降维算法,本文提出了一种将多级维纳滤波引入到ESPRIT算法的预处理模型,提出了一种构造预处理滤波器的方法,提出了适合于ESPRIT方法的多级维纳滤波的结构。本文提出的方法避免了采样数据二阶统计的特征值分解,降低了运算量。本文方法具有一般性,适合于基于子空间方法的一大类DOA估计。仿真结果证明了方法的有效性。     

一款深亚微米ASIC芯片的后端设计

采用0.18μm及以下工艺设计高性能的VLSI芯片面临着诸多挑战,如特征尺寸缩小带来的互联线效应、信号完整性对芯片时序带来的影响、时序收敛因为多个设计变量的相互信赖而变得相当复杂,使芯片版图设计师需深入介入物理设计,选用有效的EDA工具,结合电路特点开发有针对性的后端设计流程。文章介绍了采用Cadence公司Soc Encounter后端工具对基于0.18μm工艺的ASIC芯片后端设计过程,分为后端设计前的数据准备、布局规划、电源设计、单元放置及优化、时钟树综合、布线等几个阶段进行了重点介绍。同时考虑到深亚微米工艺下的互联线效应,介绍了如何预防串扰问题,以及在整个布局布线过程中如何保证芯片的时序能够满足设计要求。     

基于DDS技术的正弦交流信号源的设计

以设计和实现可以进行功率输出的正弦波信号源为目的,提出了一种基于DDS技术,以单片机为控制核心、AD9850芯片为频率合成器的正弦交流电流信号源的设计方法。该正弦交流电流信号源可以产生频率稳定且频率范围为1～100Hz,电流幅值可调的正弦电流信号,具有一定的带负载和功率输出能力。该产品创造性地运用单片机向D/A写入电压控制字的方式间接控制和改变AD公司生产的AD603芯片对正弦波信号电压幅值的增益,实现对于同一负载输出交变电流的有效值可调节的功能,为同类信号源产品的功能改进开辟了新的思路。     

基于阵列流型替换的宽带非相干DOA估计方法

提出了一种基于阵列流型替换的宽带非相干 DOA 估计新方法.比较了宽带非相干(ISSM)方法与本文方法在分辨两个相邻较近信号源时的性能.仿真表明,本文方法大大降低了信噪比门限,其它性能也优于 ISSM 方法.     

碲镉汞红外探测器的前沿技术综述

红外光电探测器件在军事、民用和科学研究方面具有非常重要的应用。而碲镉汞(HgCdTe)由于自身的诸多优点在红外光电探测器的发展中起到了至关重要的作用,至今仍然是重要的战略战术应用中首选的材料体系。首先分析了针对新一代红外探测器所提出的SWaP3(Size,Weight,and Power,Performance and Price)概念,然后简略介绍了第三代红外焦平面研究背景下HgCdTe薄膜的衬底水平与材料生长情况,最后总结了大规模阵列器件、甚长波红外器件、高工作温度(High Operating Temperature,HOT)器件、超光谱探测器件、双色器件以及雪崩光电器件等前沿技术方面的研究进展。