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在铁薄膜的催石墨化作用下研究了用氢等离子体刻蚀由微波等离子体化学气相沉积(MPCYD)制备的多晶金刚石厚膜的表面。其工艺为:自支撑的金刚石厚膜浸入饱和的三氯化铁水溶液中,然后平放在大气环境中干燥,将处理过后的金刚石膜放入MPCVD装置中,先用氢等离子体将氯化铁还原成铁,然后在800℃左右的温度下,利用铁对金刚石的催石墨化作用及氢等离子体的刻蚀作用将其表面刻蚀。刻蚀完后的金刚石用酸清洗,在丙酮溶液中漂洗,然后用SEM观察刻蚀效果,用Raman光谱对表面碳的结构进行了表征。最后用机械研磨法对金刚石样品表面进行研磨,并对研磨结果进行对比。实验结果表明,这种方法能够有选择地快速刻蚀金刚石膜的表面,破坏表面晶粒的完整度,降低表面耐磨性,从而提高对粗糙金刚石膜表面研磨的效率。 相似文献
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金刚石薄膜具有优异的性能,作为切削工具表面的保护性涂层,可以大幅度提高工具的使用寿命以及加工精度。硬质合金是一种广泛使用的工具材料,在其表面沉积高附着力的金刚石薄膜时存在着困难。等离子体中离子、原子或分子具有高的反应活性,等离子体技术在金刚石薄膜的制备中有着广泛应用。利用等离子体技术可以极大的消除因金刚石薄膜与硬质合金基体之间存在热应力以及由硬质合金中的钴粘结剂在化学气相沉积金刚石薄膜过程中的促石墨化作用而产生的不利影响,提高金刚石薄膜与硬质合金基底之间附着力。本文综述了等离子体技术在提高硬质合金工具表面金刚石薄膜附着力方面的研究进展。 相似文献
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Effect of Plasma Boronitriding on Diamond Nucleation and Growth onto Cemented Carbide Substrates 总被引:4,自引:0,他引:4
Plasma boronitriding has been successfully employed to overcome the difficulty in diamond growth on ferrous-based substrates,Commercial cobalt-sintered,tungsten-cemented carbides(WC (Co) were pretreated by a plasma boronitriding method,diamond was then deposited by microwave-enhanced chemical vapor deposition (MPCVD) ,The deposited films were characterized by scanning electron microsopy and Raman spectroscopy,Conitinuous diamond films with a sharp characteristic Raman Peak of 1334 cm^-1 were grown and adhered well on the boronitrided region of the cemented carbide substrates,On,the other hand,a mixture of diamond crystallites,amorphous carbon and graphitic carbon was loosely deposited on the unboronitrided region A cobalt inert thin layer formed after plasma bornitriding pretreatment enabled the subsequent nucleation and growht of a high-quality CVD iamond. 相似文献
39.
基片温度对金刚石厚膜生长的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备了ф60 mm的金刚石厚膜,通过对沉积过程和结果的观察发现,由于所用沉积气压较高,基片不同区域温度不均匀,导致不同区域沉积的金刚石厚膜晶型差距较大.通过对不同区域的结果进行比较,发现850℃为较好的沉积温度,并在对沉积工艺进行优化后,采用该温度在ф60mm的基片上制备了厚度为0.6 mm取向性很好的金刚石厚膜. 相似文献
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