基于混沌“微变异”自适应遗传算法

遗传算法可以较好地解决复杂的组合优化问题,但也存在两方面不足:一是搜索效率比其他优化算法低;二是容易过早收敛,陷入局部最优.对此,提出一种混沌“微变异”遗传算法.利用混沌优化算法具有随机性和遍历性的特点,解决遗传算法容易陷入局部最优解的早熟问题,使得新算法同时具有较强的局部搜索能力和完成全局寻找最优解的能力.同时,对遗传算法的选择算子增加了混沌扰动,对交叉算子和变异算子进行自适应调整,对适应度函数进行改进,使遗传算法整体性能得到提高.最后,通过经典函数验证表明,混沌“微变异”遗传算法比一般的混沌遗传算法和经典遗传算法的进化速度更快,搜索精度更高.     

中国盾构机是怎样“炼”成的

<正>伴随着全国各重大工程建设的推进和中国制造加快走向世界,近期,国产盾构机频传好消息。7月26日,江西首台超小转弯半径矿用TBM“江铜一号”（中铁1299号）成功下线,将用于江西贵溪银珠山矿区铅锌银矿;7月14日,我国自主研制的大直径双护盾土压组合式盾构机“铁兵广花6号”在广花城际铁路2号盾构井始发;6月28日,国产最大直径盾构机“京华号”出洞,标志着北京东六环改造工程西线隧道贯通;5月9日,世界首台绿色盾构机“中国中铁1237号”下线,出口用于意大利西西里岛高速铁路隧道建设,等等。     

马来酸双聚乙二醇单甲醚酯合成影响因素分析

由马来酸酐与聚乙二醇单甲醚合成马来酸双聚乙二醇单甲醚酯,对其影响因素进行分析,通过试验确定在自制复合催化剂条件下,当聚乙二醇单甲醚∶马来酸酐摩尔比为2.1-2.15∶1时,控制温度100-110 ℃,选用反应物质量4倍的甲苯作为带水剂,合成的马来酸双聚乙二醇单甲醚酯产率可以达到98%.     

一种用于图像篡改定位的半脆弱数字水印算法

设计并实现了一种用于数字图像内容认证的半脆弱水印方案。算法中,图像块的水印选择Logistic映射作为混沌系统从该图像块本身产生一系列混沌序列,作用于水印的嵌入;每个图像块产生的水印按照Torus,自同构映射嵌入另一个映射块的LSB(Least Significant Bit),对应关系通过密钥来确定,这样建立起图像块之间的相关性;利用混沌对初值极端敏感性的特点,能够定位检测对加入水印图像的篡改,且水印提取不需要原始图像。实验结果表明,嵌入水印后的图像的视觉好;算法具有图像内容局部篡改检测的有效性、敏感性以及良好的篡改定位能力。     

TGARCH模型预测高炉铁水硅质量分数

为了更好地反映高炉铁水硅质量分数序列的高波动特性,利用门限广义自回归条件异方差（TGARCH）模型对硅质量分数序列进行预测.应用Portmantea Q检验、拉格朗日乘子检验以及非对称项系数显著性检验,验证了高炉铁水硅质量分数序列存在异方差性和非对称性.在此基础上将TGARCH模型应用于高炉铁水硅质量分数预测,采用极大似然估计法确定参数,建立TGARCH(1,1,1)预测模型,并采用命中率和误差率2种评价准则对预测结果进行分析.这种方法克服了以往模型没有考虑序列非对称性影响的缺陷,更加适合于高炉铁水硅质量分数的预测.将预测模型应用于包钢6号高炉,取得了较好的预测效果.     

高压电力电缆接头劣化分析

分析了某型号高压电力电缆接头频繁发生击穿故障的产生原因,并提出改进措施.利用统计学方法、COMSOL有限元分析软件与物质成分测试方法,统计中间接头内部缺陷类型,开展膨胀力分析并建立中间接头有限元力学模型,分析铝护套腐蚀成分.研究结果表明:电缆未进行蛇形敷设致使热膨胀力难以释放,造成搪铅处与羊角终端受力过大,导致接头羊角...     

光伏系统中Boost变换器的研究

在光伏发电系统中,前级升压变换器多采用Boost变换器,传统电压控制方式存在动态响应速度慢,系统稳定性差的缺点,针对上述问题,对原电路连续工作下的两种工作状态进行小信号建模,然后通过仿真得到Bode图,根据bode图设计了该控制环路的反馈补偿网络。最后,仿真和实验验证了小信号模型和补偿网络的正确性和有效性。     

磁场分析在"电机学"教学中的应用

针对"电机学"磁场分析这一教学难点,以交流电机绕组为例,使用电磁场有限元分析软件ANSYS对单相、三相绕组电流产生的磁场分别进行仿真,结果直观展示了磁场的时间、空间分布,加深学生对脉振磁势、旋转磁势等专业概念的感性认识,激发学生对"电机学"课程的学习热情.     

锌锰干电池正极粉料中氯化铵含量的测定

采用离子选择电极法对锌锰干电池中正极粉料氯化铵含量进行测定。氨气敏选择电极使用一个疏水的气体渗透薄膜 ,把样品溶液和内电极的氯化铵溶液分开。用强碱把样品的 pH值提高到 11以上 ,溶解的氨 [NH3 (aq)和NH+ 4 ]转化为NH3 (aq)。NH3 (aq)通过薄膜扩散并改变内部的 pH值 (由一个pH电极检测 )。内电极溶液中固定的氯化物浓度由一个氯离子选择电极 (作为参比电极 )来检测。本方法具有操作简便、快速、重现性好的特点     

α-Si3N4晶须的制备与分析

采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料.通过在1450℃氮气气氛下,2h的热处理,使无定型氮化硅转为α相氮化硅,并生长出α-Si3N4晶须.试验分析证明所得到的α-Si3N4晶须直径为50～200nm,无明显缺陷,其晶须生长方向为〈0110〉.