聚酞菁锗氧烷的晶格条纹及其晶格缺陷的电子显微像

聚酞菁锗氧烷是一种刚性链聚合物。其主链呈直线状,由锗与氧二种原子以共价键交替结合而成。而其中的每一个锗原子又分别位于和主链垂直相交的酞菁环的中心。所以整个分子是锗氧链轴从中心贯穿一组相互平行的酞菁环平面。它的晶体属于简单四方晶系,具有板条状的结晶习性。板条的大平面是ac平面,c的方向正好是分     

聚碳酸酯和聚丙烯断口瞬时断裂区的阻抗形态

近几年来对材料断裂问题的研究,趋向于将宏观力学性能与微观组织结构结合起来进行。应用扫描电子显微镜进行断口分析是使两者结合起来进行研究的有效手段。在高分子材料的断口上,一般可划分为起裂区、裂纹扩展区和瞬时断裂区三个区域。本文着重论述了聚碳酸酯和聚丙烯材料在瞬时断裂区上的材料抵抗破断的阻抗形态。     

高质量SEM象获得及象缺陷处理(综述)

高质量扫描图象的特征是分辨能力高、象质好(衬度适中、象面平滑)、焦深大(图象边缘及深度方向清晰)。为了获得高质量SEM图象除对仪器工作条件(加速电压、入射电子束流、二次电子检测和放大、工作距离、象散校正、物镜光阑孔径、试样倾斜、扫描速度和线数、拍照时间等)作精心选择外,还必须充分考究观察试样的性质、形状及其制备方法。实际观察中,由于试样性质和观察目的不同,所选的仪器工作条件不一定是理论上的最佳条件(如电子束斑直径与入射电子束流之间的关系、工作距离与焦深的关系、分辨能力与象质的关系等)。本文列举大量实验事实(附有照片)著重探讨导电试样和非导电试样(无重金属蒸涂膜或有重金属蒸涂膜)     

聚丙烯弯曲断口银纹

本文应用扫描电镜摄获了存留在聚丙烯厚试件断口上的银纹——裂纹形态。由于银纹是由拉应力作用产生的,所以一般最大主应力σ_1造成的断面上很难观察到。银纹是高分子材料的一种准断裂行为。银纹研究的文献报导不少,Kambour作了大量工作。然而,绝大多数文献是对薄膜和薄板进行研究的,研究断口银纹工作的报导很少。本文观察研究了聚丙烯弯曲断品银纹。从材料力学得知,当试件承受弯矩作用时,中性面的一侧沿纵轴方向受拉应力σ_1的作用,另两个主应力σ_2和σ_3位于横截面上。本文拍摄的银纹——裂纹形态就是由σ_2的作用造成的。     

外延生长聚酞菁硅氧烷晶体的分子像

本文利用高分辨电子显微术(HREM)研究了酞菁硅氧烷单体Si(PC)(OH)_2及其聚合物[Si(PC)O]_n分别升华到氯化钠或溴化钾两种衬底上形成的聚合物薄膜晶体的分子像。红外吸收光谱证明,不能是用单体升华,还是用聚合物升华,得到的都是[si(PC)O]_n聚合物的分子像,且都能观察到两种分子链堆积方式,α型和β型,并以β型为主。表明由四种样品得到的分子像具有共同的特征。图中给出的是用[Si(PC)O]_n聚合物作为蒸发源,在NaCl单晶体(100)晶面上外延生长的晶体薄膜的分子像。图中A处附近分子链以β方式堆积,即以正方形方式堆积。可以看出有较多的晶体缺陷存在。箭头所指之处,在图上是一个点缺     

掺杂与不掺杂〔Ge(Pc)O〕n的HREM象研究

用H-600TEM拍摄到掺杂与不掺杂的电子导电聚合物[Ge(Pc)O]n晶体的晶格条纹象。条纹象显示出在[Ge(Pc)0]n晶体中的缺陷形式有位错偶极、位错群和小角晶界。分子链位何不同的二类晶体具有不同的缺陷密度。[Ge(Pc)O]n用碘掺杂以后,晶面间距发生了变化,出现了条带结构和取何差晶粒间界。