化学细化技术的进展及在高温合金中的应用

综述了化学细化技术的发展现状,并重点评述了该方法在高温合金领域的最新发展。指出利用以高熔点金属化合物为基本添加剂的细化方法是对高温合金一类复杂合金进行细化的有效手段,强调了进行形核细化机理研究的迫切性。     

非定向熔模铸造过程中高温合金叶片晶粒组织的计算机模拟

论述了近年来发展起来的非定向凝固高温合金叶片熔模铸造过程中晶粒组织形成的计算机模拟方法，包括凝固过程中晶粒组织形成的物理模型，模拟中所采用的二维和三维胞状自动机（CA）技术。     

Effects of NH3 annealing on interface and electrical properties of Gd-doped HfO2/Si stack

Effects of NH3 rapid thermal annealing(RTA) on the interface and electrical properties of Gd-doped HfO2(GDH)/Si stack were investigated.The process of NH3 annealing could significantly affect the crystallization,stoichiometric properties of GDH film and the interface characteristic of GDH/Si system.NH3 annealing also led to the decrease of interface layer thickness.The leakage current density of Pt/GDH/p-Si MOS capacitor without RTA was 2×10-3 A/cm2.After NH3 annealing,the leakage current density was about one order of magnitude lower(3.9×10-4A/cm2).The effective permittivity extracted from the C-V curves was～14.1 and ～13.1 for samples without and with RTA,respectively.     

玻璃粉粘结剂对丝网印刷Zr-V-Fe吸气剂薄膜吸气性能的影响

利用丝网印刷技术制备Zr-V—Fe吸气剂薄膜。以Pb玻璃粉作为薄膜与基片的粘结剂，研究了三种不同退火温度下制备的Zr—V—Fe吸气剂薄膜的吸气性能，通过XRD，FESEM，EDS及吸气性能测试，分析讨论了薄膜的相组成、表面形貌和表面成分对吸气性能的影响。结果表明，退火温度变化会使薄膜表面Pb含量发生改变，从而引起吸气剂薄膜的吸气性能发生变化，在玻璃粉的熔点温度（350℃）进行退火，所得的薄膜具有更多清洁有效的表面，此时玻璃粉对薄膜的吸气性能影响最小，薄膜的吸气性能最佳。     

CeO2掺杂对HfO2栅介质电学特性的影响

采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计量比及结合能,制备MOS结构并对漏电流及电容等电学性能进行表征。结果表明,掺入CeO2后,整个体系的氧空位生成能增大,氧空位数目减少,漏电流较纯HfO2下降了一个数量级,满足作为高k材料的要求。     

铸造工艺参数和细化剂对K4169高温合金铸态组织的影响晶粒组织及晶粒细化机理

研究了K4169高温合金在各种工艺条件下及向熔体中加入复合细化剂时的晶粒组织．结果表明．降低浇注温度和加入复合细化剂可以明显细化冷凝后基体的晶粒和提高铸件断面等轴晶的比例。在通常的浇注温度1400℃下加入复合细化济．对合金熔体进行或不进行过热处理时．可使圆柱锭的品粒分别细化至ASTM11.7级和ASTM3．2级：断面等轴晶的比例分别达96％和99％以上．当浇注温度为1420℃，加入复合细化利并对合金熔体进行过热处理时，可使圆住锭晶粒细化至ASTMM10．5级，断面等轴晶的比例达90％以上，提出了晶粒细化的机理并对晶粒细化后断面等轴晶比例增大的现象进行了分析。     

Influence of doping effect on structure and superconducting properties of MgB_2

1　INTRODUCTIONTherecentdiscoveryofsuperconductivityinthebinaryintermetalliccompoundMgB2 [1] hasstimulatedworldwideexcitementinthescientificcommunityandresultedinaflurryofbothexperimentalandtheoreti calwork[2 8] .Thesuperconductingtransitiontemper atureTcofMgB2 is 39K ,whichisalmosttwiceaslargeastherecordvaluesofTcfortheconventionalintermetallicsuperconductors .Itsstructureisverysimple ,consistingofalternatinglayersofMgatomsandBatoms .HalleffectmeasurementsshowthattheHallcoefficientof…     

Al—Cu合金凝固冷却曲线及晶粒组织特征的计算机模拟

利用宏观－微观耦合的模型和热焓法处理结晶潜热,用外节点直接差分法数值计算技术,模拟了Ａｌ－２ｗｔ％Ｃｕ合金凝固过程的冷却曲线和晶粒组织特征,并与实验结果进行了比较。结果表明：冷却速率越大的凝固区域,再辉出现得越早,平台凝固段越短。模拟所得冷却曲线和晶粒组织特征同实测值吻合较好。     

Nd_2O_3掺杂的HfO_2高k栅介质薄膜ALD制备及性能研究

采用原子层沉积技术(ALD)制备了Nd_2O_3掺杂的HfO_2高k栅介质薄膜(Hf-Nd-O),通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的成分、结合能及化学计量比,分析了Nd_2O_3掺杂后薄膜中氧空位浓度和界面层成分的变化;通过测量薄膜的光致发光(PL)图谱,比较了Nd_2O_3掺杂前后铪基薄膜中的氧空位浓度变化,分析了Nd_2O_3掺杂对HfO_2薄膜中氧空位浓度的影响;通过高分辨率透射电子显微镜(HR-TEM)研究了薄膜厚度及形态;制备了Pt/HfO_2(Hf-Nd-O)/IL/n-Si/AgMOS结构,应用半导体参数测试仪得到薄膜的电容-电压(C-V)和漏电流密度-电压(J-V)特性曲线。结果表明,Nd_2O_3掺入HfO_2薄膜后,整个铪基薄膜体系的氧空位减少,Hf-O键的结合能提高,Hf和O的原子比更接近理想的化学计量比(1∶2);在同样物理厚度与界面制备工艺条件下,Nd_2O_3的掺入使得MOS结构的饱和电容值提高,EOT降低,V_g=(V_(fb)+1)V时,Nd_2O_3掺杂的HfO_2薄膜的漏电流密度为8.7×10~(-3)A·cm~2,相比于纯HfO_2薄膜的3.5×10~(-2)A·cm~2有明显降低,电学性能整体得到提高。     

Epitaxial growth and characterization of Gd2O3-doped HfO2 film on Ge （001） substrates with zero interface layer

The GHO （Gd2O3-doped HfO2） films were epitaxially grown on Ge （001） substrates adopting cube-on-cube mode with zero interface layer using pulsed laser deposition （PLD）. Reflection high-energy electron diffraction （RHEED） and high-resolution transmission electron microscopy （HRTEM） observation revealed a sharp interface of GHO/Ge and orientation relationship corre-sponding to （001）GHO//（001）Ge and [011] GHO//[011]Ge. The band offset for GHO/Ge stack was evaluated to be 3.92 eV for va-lence band and 1.38 eV for conduction band by X-ray photoelectron spectrum. Small equivalent oxide thickness （0.49 nm） and inter-face state density （7×1011 cm-2） were achieved from Au/Ti/GHO/Ge/Al capacitors.