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21.
给出了矩阵同构变换、简单无向图距离矩阵、距离矩阵列和向量以及图的距离谱的定义, 将基于邻接矩阵的同构判定条件推广到简单无向图距离矩阵. 针对简单无向连通图的同构判定问题: 给出了基于距离矩阵特征多项式的同构判定条件; 进一步, 为避免计算误差对判定结果的影响, 给出了基于距离矩阵的秩与列和向量的同构判定条件. 上述两个判定条件均是充要条件且均具有多项式时间复杂度. 相似文献
22.
DDM实现的关键是更新区域和订购区域的匹配判断,其匹配算法的设计决定着分布式仿真的效率和性能.针对直接匹配算法需要维护的区域相交索引表和相交信息表的存储空间不断扩大的问题,首先提出区域聚合的基本思想及其实现方式,然后提出将历史信息排序加入到区域匹配算法中,以使算法在有效利用历史信息的基础上,提高区域匹配的运行效率.给出了算法的基本思想和具体步骤,通过应用实例详细解释了算法的具体实现过程,最后通过仿真实验,对比分析了所提算法的优缺点. 相似文献
23.
H布尔函数的相关免疫性与重量的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
将布尔函数的导数和与导数一起便可直接明确刻画布尔函数的重量而定义的e-导数一起作研究工具,深入到布尔函数取值的内部结构中去,讨论了在H布尔函数存在的一个大重量范围内,所有不同重量的H布尔函数的一阶、任意m阶相关免疫函数存在与否的问题。对存在m阶相关免疫性的H布尔函数,它的相关免疫阶数m与维数n的具体关系,以及m的最大值问题。给出了m阶相关免疫H布尔函数只存在于2种重量的H布尔函数中,其相关免疫阶数m的最大值为n-2,以及其余重量的H布尔函数中不存在二阶以上(包括二阶)相关免疫函数等一系列结果。同时,也给出了一些判断布尔函数相关免疫性的方法。 相似文献
24.
25.
针对超薄层高压SOI线性变掺杂(Linear Varied Doping,LVD)LDMOS器件,进行了耐压模型和特性的研究。通过解泊松方程,得到超薄高压SOI LVD LDMOS的RESURF判据,有助于器件耐压和比导通电阻的设计与优化。通过对漂移区长度、厚度和剂量,以及n型缓冲层仿真优化,使器件耐压与比导通电阻的矛盾关系得到良好的改善。实验表明,超薄层高压SOI LVD LDMOS的耐压达到644 V,比导通电阻为24.1 Ω·mm2,击穿时埋氧层电场超过200 V/cm。 相似文献
26.
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28.
29.
在等截面直管绝热有壁面摩擦一维可压缩管道流动模型的基础上,推导以管道进口截面速度因数为自变量的气动管道流量特性参数函数S/A(管道有效截面积与横截面积之比)和临界压力比b的基本表达式。采用基于当地摩擦因数求解管道平均摩擦因数的新方法,直接计算出总压为0.6MPa、总温为300K、长度为1~50m、内径为2.5~9mm尼龙管的流量特性参数S和b,并与经验值进行了比较。S和b的理论计算值与经验曲线变化趋势相同,且计算值与经验值相吻合,表明新方法可以在相当程度上反映气动管道流量特性参数变化的物理本质。将新方法得到的有效截面积S的理论计算值下跌20%、临界压力比b的理论计算值上浮40%,即可作为同等条件下选用气动系统尼龙管的经验推荐值使用。 相似文献
30.
为研究钢筋的不均匀锈蚀对RC框架柱性能的影响.推导了钢筋锈蚀过程中混凝土裂缝扩展规律以及锈蚀产物沿钢筋环向的分布规律,建立了基于表观裂缝宽度的纵筋锈蚀程度评估模型.通过引入锈蚀影响系数提出了考虑不均匀锈蚀分布的锈蚀纵筋等效强度模型.基于已有试验结果分析了纵筋锈蚀和箍筋锈蚀的关系,建立了箍筋和纵筋锈蚀程度的关联模型.基于... 相似文献