换热器内漏判定及泄漏量计算

目前,我国石油化工生产中,由于换热器内漏影响生产的问题是较普遍的,所以及时查明泄漏点和测算出泄漏量,为装置检修决策提供依据,是装置安、稳、长、满、优运行的重要保证。     

CMOS存储器瞬时辐照效应规律实验研究

对超深亚微米存储器(32 k SRAM)激光辐照下的剂量率效应进行了初步研究,实验测量了SRAM激光辐照下的效应规律,比较了零时SRAM的状态(读状态和片选无效状态)对效应规律的影响,得到了一些初步的效应规律.     

0.18 μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18 μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18 μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。     

商用三端稳压器的中子辐射效应

实验研究了两种型号(CJ79L05011和CJ7905011)的商用三端稳压器在不同负载情况下中子辐射效应,得到了输出电压随中子注量的变化曲线。借助三端稳压器的简化模型,分析认为中子辐射下晶体管放大倍数的减少是造成三端稳压器输出电压变化的关键因素,并理论推导了输出电压和晶体管放大倍数的关系,利用PSPICE软件进行了模拟仿真,结果表明理论曲线和实验现象是基本一致的。     

基于辐射回避的SRAM型FPGA瞬时电离辐射效应测试系统研制

介绍了瞬时电离辐射环境中SRAM型FPGA配置存储器测试的实现方法,提出了将辐射回避应用于FPGA瞬时电离辐射效应测试的方法,设计了可辐射回避的在线测试系统,并对FPGA进行了瞬时电离辐射效应实验。结果表明,测试系统能准确、可靠地进行配置存储器测试,辐射回避是实现大规模集成电路瞬时电离辐射效应测试的有效手段。     

二缩三丙二醇的合成工艺研究

以环氧丙烷和1,2-丙二醇为原料,用三苯基膦等作催化剂合成二缩三丙二醇,同时副产一缩二丙二醇,对其合成及精馏工艺条件进行了初步研究。通过正交实验得出最佳合成工艺条件。该工艺反应平稳,可控性好,二缩三丙二醇含量高,可以达到45%～55%,并讨论了对合成底物精馏提纯的最佳工艺条件。     

酯交换法合成碳酸甲乙酯工艺研究

以MgO/SiO2复合催化剂用于碳酸二甲酯与碳酸二乙酯酯交换合成碳酸甲乙酯反应,对其合成工艺进行了初步研究。通过正交实验得出最佳合成工艺条件。在最佳条件下进行验证,产物的收率最高可以达到61.02%且重复性好。     

酯交换法合成碳酸二甲酯工艺探讨

通过酯交换法,以甲醇和碳酸丙烯酯为原料,反应精馏合成碳酸二甲酯,用CHS作催化剂,考察了原料配比、催化剂用量等因素对反应转化率的影响,以及催化剂用量对丙二醇收率的影响。通过双塔联用进一步提高碳酸丙烯酯的转化率。     

用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算

用一种比较简单的Jaffe近似方法计算了质子在SiO2中的电子空穴对的逃逸率,讨论了辐照偏置、电场、质子入射角度、质子能量等对逃逸产额的影响.得到了电子空穴对复合逃逸率与质子能量、电场成正比的结果.计算结果与实验结果的比较,说明了Jaffe近似方法可以比较正确地描述质子在二氧化硅中的总剂量效应.