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102.
分别设计制备了基于石英衬底和硅衬底的16通道200 GHz二氧化硅可调复用器/解复用器.该器件由一个16通道200 GHz的阵列波导光栅(AWG)和Mach-Zehnder干涉型热光可调光衰减器(VOA)阵列构成.在衰减量达到20 dB的时候,基于石英衬底的器件的外加偏压和功耗分别是11.7V和110 mW;而基于硅衬底的器件的外加偏压和功耗分别是22V和380mW.分析了基于不同衬底的器件性能出现差别的原因,并设计了新的结构,提高了器件性能. 相似文献
103.
Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了AlxGa1-xAs/GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400~500℃与水汽(携带气体为N2)发生化学反应的氧化特性.其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的.AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa1-xAs中x值、层厚、水汽通量、氧化温度等4个因素有关;根据不同温度下AlAS层氧化反应速度常数,计算出了一定厚度AlAs层与水汽发生化学反应的活化能. 相似文献
104.
105.
106.
107.
108.
利用光电流谱 ,结合 X射线双晶衍射研究了快速退火对 Si1 - x Gex/ Si多量子阱 p- i- n光电二极管的影响 .由于应变 Si Ge的部分弛豫和 Si- Ge互扩散 ,退火后的二极管的截止波长有显著的减小 .但是 ,在 75 0— 85 0℃范围内 ,波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢 ,而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强 ,这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的 . 相似文献
109.
110.
Si-Ge interdiffusion in Si1-xGex/Si multiple quantum-wells (MQW) is investigated by photocurrent spectroscopy, which is induced by ion implantation of Si+ and thermal annealing. The band gap energy of the Si1-xGex/Si samples implanted plus annealed has a blue shift up to 97meV compared to the annealed-only samples. The blue shift may be caused by the SiGe interdiffusion and the relaxation of the SiGe quantum wells. 相似文献