基于不同衬底的二氧化硅可调复用器/解复用器的单片集成芯片研究

分别设计制备了基于石英衬底和硅衬底的16通道200 GHz二氧化硅可调复用器/解复用器.该器件由一个16通道200 GHz的阵列波导光栅(AWG)和Mach-Zehnder干涉型热光可调光衰减器(VOA)阵列构成.在衰减量达到20 dB的时候,基于石英衬底的器件的外加偏压和功耗分别是11.7V和110 mW;而基于硅衬底的器件的外加偏压和功耗分别是22V和380mW.分析了基于不同衬底的器件性能出现差别的原因,并设计了新的结构,提高了器件性能.     

Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层异质材料中Al_xGa(1-x)As层氧化特性的实验研究

本文报道了AlxGa1-xAs／GaAs多层异质外延材料中高Al组份的AlxGa1-xAs层在400～500℃与水汽（携带气体为N2）发生化学反应的氧化特性．其氧化反应是沿着AlxGa1-xAs层从其刻蚀出的台面边界开始横向进行的．AlxGa1-xAs层的氧化速度与AlxGa1-xAs中x值、层厚、水汽通量、氧化温度等4个因素有关；根据不同温度下AlAS层氧化反应速度常数，计算出了一定厚度AlAs层与水汽发生化学反应的活化能．     

SiO2/Si波导应力双折射数值分析

采用有限元法对SiO2/Si掩埋光波导制备工艺中的应力变化进行了系统的分析，在此基础上，应用有限差分束传播法(FDBPM)对应力光波导的双折射进行了计算．结果表明上包层的玻璃化过程是SiO2/Si波导形成水平方向和垂直方向应力差的主要原因，相应的应力双折射系数Ｂ在10~－4量级．进一步的分析表明上包层B，P重掺杂可明显减小波导的双折射系数．     

室温连续工作的GaAs／AlGaAs垂直腔面发射激光器列阵

报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功率大于ｌｍＷ，发散角小于７．８°，高频测量脉冲上升沿达１００ｐｓ，并由此器件制成了２×３二维列阵。     

旋转防喷器锁块式锁紧机构研制

通过对国外旋转防喷器锁紧机构的研究,从中发现不足之处;研制了新型的锁块式锁紧装置。该装置采用液控操作,由活塞带动嵌在壳体上的锁块完成锁紧和解锁功能,且具有显示机构和机械锁紧功能。克服了现有锁紧机构外形庞大、费时费力的缺点。厂内试验及现场应用表明:该机构结构合理,操作方便,能可靠地锁紧和解锁。     

带压堵漏技术在飞行化工公司的应用

不停车带温、带压堵漏技术（upls）是20世纪80年代发展起来的先进设备维修技术之一,因其显著的优越性,在现代工业尤其是石油化工行业得到了广泛的应用,较好地解决了石油化工连续生产中的跑、冒、滴、漏,最大限度地降低企业损失,为企业效益最大化提供可靠保障。     

快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响(英文)

利用光电流谱 ,结合 X射线双晶衍射研究了快速退火对 Si1 - x Gex/ Si多量子阱 p- i- n光电二极管的影响 .由于应变 Si Ge的部分弛豫和 Si- Ge互扩散 ,退火后的二极管的截止波长有显著的减小 .但是 ,在 75 0— 85 0℃范围内 ,波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢 ,而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强 ,这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的 .     

用于光电子器件的低成本、高反射率SOR衬底

报道了一种包含一薄层单晶硅和隐埋Si／SiO2布拉格反射器的SOR衬底．这种可用于光电子器件的衬底是由硅基乳胶粘接和智能剥离技术研制而成的．在垂直光照条件下,这种SOR衬底在1.3μm处的反射率接近100%。     

Photocurrent Measurement of Si1-xGex/SiMultiple Quantum Wells With Ion Implantation and Thermal Annealing

Si-Ge interdiffusion in Si1-xGex/Si multiple quantum-wells (MQW) is investigated by photocurrent spectroscopy, which is induced by ion implantation of Si+ and thermal annealing. The band gap energy of the Si1-xGex/Si samples implanted plus annealed has a blue shift up to 97meV compared to the annealed-only samples. The blue shift may be caused by the SiGe interdiffusion and the relaxation of the SiGe quantum wells.