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103.
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提出了一种新结构的低温多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFT).该poly-Si TFT由一超薄的沟道区和厚的源漏区组成.超薄沟道区可有效降低沟道内陷阱密度,而厚源漏区能保证良好的源漏接触和低的寄生电阻.沟道区和源漏区通过一低掺杂的交叠区相连接.该交叠区使得在较高偏置时,靠近漏端的沟道区电力线能充分发散,导致电场峰值显著降低.模拟结果显示该TFT漏电场峰值仅是常规TFT的一半.实验结果表明该TFT能获得好的电流饱和特性和高的击穿电压.而且,与常规器件相比,该TFT的通态电流增加了两倍,而最小关态电流减少了3.5倍 相似文献
106.
高速SOIMOS器件及环振电路的研制 总被引:2,自引:2,他引:0
设计了一种 1 0位 50 MS/s双模式 CMOS数模转换器 .为了降低功耗 ,提出了一种修正的超前恢复电路 ,在数字图象信号输出中 ,使电路功耗降低约 30 % .电路用 1μm工艺技术实现 ,其积分线性误差为 0 .46LSB,差分线性误差为 0 .0 3LSB.到± 0 .1 %的建立时间少于 2 0 ns.该数模转换器使用 5V单电源 .在 50 MS/s时全一输入时功耗为 2 50 m W,全零输入时功耗为 2 0 m W,电路芯片面积为 1 .8mm× 2 .4mm. 相似文献
107.
108.
本文提出适用于短沟道薄膜全耗尽SOI器件的大信号电容模型。该模型除考虑了SOI短沟道器件中出现的速度饱和效应、DIBL效应及源漏耗尽层电荷分享效应外,还包括了SOI器件中特有的膜厚效应、正背栅耦合效应等对电容特性的影响。通过与体硅器件的二维模拟和实测电容特性以及已报道的薄膜SOI器件电容模型相比较可知,本文模型可较好地描述短沟道SOI器件的电容特性。另外,所建电容模型形式简洁,参数提取方便,因而可做为薄膜全耗尽SOI器件大信号电容模型移植到电路模拟程序(如SPICE)之中。 相似文献
109.
利用薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺成功地研制了沟道长度为1.0μm的薄膜抗辐照SIMOXMOSFET、CMOS/SIMOX反相器和环振电路,N和PMOSFET在辐照剂量分别为3x105rad(Si)和7x105rad(Si)时的阈值电压漂移均小于1V,19级CMOS/SIMOX环振经过5x105rad(Si)剂量的电离辐照后仍能正常工作,其门延迟时间由辐照前的237ps变为328ps。 相似文献
110.