加强科技创新是发展我国集成电路产业的关键

1生产工具的创新驱动生产力发展 纵观人类的历史进程,在逾5000年的农业社会中,驱动生产力发展的主要因素是劳动力和手工工具,在没有能源的介入下,生产力发展缓慢;在近200年的工业社会中,驱动生产力发展的主要生产工具是以能源为基础的动力机械,机械的诞生使得纺织、钢铁、电力、化工、汽车等产业迅速发展,大大提高了社会生产力;21世纪,人类社会向信息社会迈进,集成电路和软件作为驱动生产力发展的工具,     

SIMOX结构及杂质的二次离子质谱分析

用二次离子质谱方法，测量了ＳＩＭＯＸ样品的各层结构和杂质分布。讨论了测量的方法。说明了ＳＩＭＯＸ材料顶部硅层的捩缺陷和杂质的施主作用。要制作适合器件需要的ＳＯＩ材料，必须控制工艺过程中顶部硅层的杂质污染和损伤。     

SOI栅控混合管(GCHT)集电极电流的分区模型

本文提出了栅控混合管（GCHT）集电极电流的分区模型，在不同的基极电压范围时器件输出特性进行了讨论，与以前提出的精确全区模型[10]相比，分区模型将端电流与端电压联系起来，物理意义更为清晰，在计算效率得到提高的同时，也便于快速参数提取．本模型计算结果与全区模型计算结果及实验结果吻合较好．     

改进的电迁移独立失效元模型

当前被广泛采用的描述电迁移失效的独立失效元模型存在很多缺陷．本文根据电迁移失效的物理机制和一些必要的假设，对其进行了一些改进．主要是以三叉点代替晶粒作为独立失效元，并不再假设单个失效元的中值失效时间与晶粒大小无关．对连线宽度、晶粒大小与电迁移寿命的模拟结果都比传统的独立失效元模型更符合实验事实．     

高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究

体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连.由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容,所以形成高深宽比的深隔离槽(宽约3 μm,深20～100 μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题.本文采用MEMS微加工的DRIE(Deep Reactive Ion Etching)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术,形成了高深宽比的深电隔离槽(宽3.6 μm,深85 μm).还提出了一种改变深槽形状的方法,使深槽的开口变大,以利于多晶硅的填充,避免了空洞的产生.     

数字家庭控制网络SOC及平台（上）

本文首先分析数字家庭控制网络的体系结构，介绍了此类网络的作用及国内外数字家庭网络的发展趋势及动态。接着，我们对家庭网络协议进行了分析和介绍。之后，我们给出了SOC平台的架构及性能分析并简要介绍了SOC平台软件的开发。最后，针对SOC设计过程中可能遇到的挑战，提出了独到的见解。     

深亚微米薄膜全耗尽SOI MOSFET的强反型电流模型

本文在分析ＦＤＳＯＩＭＯＳＦＥＴ特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型．模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移率下降、沟道调制、载流子速度饱和、漏致电导增强（ＤＩＣＥ）和串联Ｓ／Ｄ电阻等．该模型最大的优越性在于线性区和饱和区电流可以用同一个简单的表达式描述，确保了电流及其高阶导数在饱和点连续．将模型模拟计算结果与实验结果进行了对比，当器件的沟道长度下降到深亚微米区域时，二者吻合得仍然很好     

历史机遇和我国微电子发展之路

第一章经济背景 §1,1 21世纪中叶我们将迎接中华民族的伟大复兴 二十一世纪中叶,我们将迎来中华民族的伟大复兴.这是邓小平总设计师提出的目标.这也是自1840年鸦片战争以来,无数中华民族的优秀儿女为之奋斗不止、孜孜以求的目标.