微纳电子学科/产业发展历史及规律

本文从历史的视野和宏观的角度研究了农业社会、工业社会和信息社会的进程及相关发展规律,并分别从集成电路的技术、产品、市场、产业结构、产业投资等方面剖析了微纳电子学科和产业发展的脉络,介绍了今后微纳电子技术在各个领域的发展趋势.在信息产业成为当今经济主要驱动器的背景下,在目前纷繁复杂的国际竞争环境下,本文解读了中国集成电路学科和产业发展的历史和现状.在此基础上,为今后中国集成电路产业的发展提出了相应的方向和举措.     

多晶硅发射极晶体管（PET）Gummel－Poon模型

本文建立了能直接用于ＳＰＩＣＥ电路分析程序中的ＰＥＴ－ＧＰ模型。研究表明：可以采用两种方法来使用ＰＥＴ－ＧＰ模型。本文利用所研究器件的结构参数计算了ＰＥＴ－ＧＰ模型参数β＿Ｆ和特征频率ｆ＿Ｔ，ｆ＿Ｔ的计算和实验结果符合较好。β＿Ｆ的计算表明，所研究器件的多晶硅／硅界面复合较强，复合速度Ｓ＿ｐ达到１０￣６ｃｍ／ｓ。     

薄膜全耗尽CMOS／SOI—下一代超高速Si IC主流工艺

本文较为详细地分析了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术的优势和国内外ＴＦ ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和电路的发展状况，讨论了ＳＯＩ技术今后发展的方向，得出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。     

多晶硅发射极晶体管的集电区补偿注入技术

本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法，通过对器件外基区下对应的外延层区域进行离子补偿注入，降低相应外延层中的净掺杂浓度，有效地减小了外基区－集电区单位面积的集电结电容，有利于器件和电路速度的提高．由于内基区下对应的外延层浓度不变，对器件的直流特性无不良影响．本文给出了补偿注入研究结果和器件特性．     

SIMOX技术及CMOS／SIMOX器件的研究与发展

SIMOX技术是最具有发展前途的SOI技术之一。在发展薄硅层、深亚微米OMOS/SOI集成电路中,SIMOX技术占有极其重要的地位。本文综述了SIMOX基片的形成、高质量SIMOX基片的制备方法。阐述了薄硅层OMOS/SIMOX器件的工艺特点以及器件的性能特点。本文也就SIMOX技术及GMOS/SIMOX器件的研究现状及发展趋势进行了讨论。     

加强科技创新是发展我国集成电路产业的关键

1生产工具的创新驱动生产力发展 纵观人类的历史进程,在逾5000年的农业社会中,驱动生产力发展的主要因素是劳动力和手工工具,在没有能源的介入下,生产力发展缓慢;在近200年的工业社会中,驱动生产力发展的主要生产工具是以能源为基础的动力机械,机械的诞生使得纺织、钢铁、电力、化工、汽车等产业迅速发展,大大提高了社会生产力;21世纪,人类社会向信息社会迈进,集成电路和软件作为驱动生产力发展的工具,