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3—6nm超薄SiO_2栅介质的特性 总被引:1,自引:0,他引:1
采用栅氧化前硅表面在 H2 SO4/ H2 O2 中形成化学氧化层方法和氮气稀释氧化制备出 3.2、 4和 6 nm的 Si O2超薄栅介质 ,并研究了其特性 .实验结果表明 ,恒流应力下 3.2和 4nm栅介质发生软击穿现象 .随着栅介质减薄 ,永久击穿电场强度增加 ,但恒流应力下软击穿电荷下降 .软击穿后栅介质低场漏电流无规则增大 .研究还表明 ,用软击穿电荷分布计算超薄栅介质有效缺陷密度比用永久击穿场强分布计算的要大 .在探讨软击穿和永久击穿机理的基础上解释了实验结果 相似文献
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采用电化学腐蚀的方法成功地制备了厚膜p型宏孔多孔硅。氢氟酸和二甲基甲酰胺按体积比1:4组成电化学腐蚀的溶液。通过在不同条件下制备的多组样品,得出了多孔硅生长速度与电流密度以及腐蚀厚度与腐蚀时间的函数关系。通过ESEM对所制样品进行了表面的截面形貌分析,得出30mA/cm^2-50mA/cm^2的阳极电流密度是制备高质量厚膜p型宏孔多孔硅的最佳条件。 相似文献
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采用二维TMA Medici模拟软件对SOI结构的串扰特性进行了分析.模拟发现随着频率的增加,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用,同时,连接SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰的影响.还对减少串扰的沟槽隔离工艺、保护环及差分结构的有效性进行了比较分析,对一些外部寄生参数对串扰的影响也进行了研究.并给出了SOI结构厚膜和薄膜结构体掺杂浓度对噪声耦合的影响,所得到的结果对设计低噪声耦合的SOI数模混合集成电路具有指导性的作用. 相似文献
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高深宽比深隔离槽的刻蚀技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
体硅集成MEMS器件中的一个非常重要的技术就是微结构与电路部分的电隔离和互连。由于体硅工艺与传统CMOS工艺不兼容,所以形成高深宽比的深隔离槽(宽约3μm,深20~100μm)是体硅集成中急待解决的工艺难题。本文采用MEMS微加工的DRIE(Deep Reactive Ion Etclaing)技术、热氧化技术和多晶硅填充技术,形成了高深宽比的深电隔离槽(宽3.6μm,深85μm)。还提出了一种改变深槽形状的方法,使深槽的开口变大,以利于多晶硅的填充,避免了空洞的产生。 相似文献
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