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从微电子集成电路技术发展的趋势,介绍了集成电路技术发展对光刻曝光技术的需求,综述了当前主流的DUV光学曝光技术和新一代曝光技术中的157nm光学曝光、13nm EUV曝光、电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光和纳米印制光刻技术的发展状况及所面临的技术挑战.同时,对光学曝光技术中采用的各种分辨率增强技术如偏轴照明(OAI)、光学邻近效应校正(OPC)、移相掩膜(PSM)、硅片表面的平整化、光刻胶修剪(resist trimming)、抗反射功能和表面感光后的多层光刻胶等技术的原理进行了介绍,并对不同技术时代可能采用的曝光技术作了展望性的评述. 相似文献
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超深亚微米集成电路中的互连问题--低k介质与Cu的互连集成技术 总被引:1,自引:1,他引:0
半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战,其中Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一,也是互连集成技术的解决方案之一.在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上,重点介绍和评述了低k介质和Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等Cu互连集成技术之后的可能的新一代互连集成技术和未来互连技术的发展趋势给予了评述和展望. 相似文献
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建设产前技术研发联盟,自主创新,增强核心竞争力 总被引:3,自引:0,他引:3
从经济学观点讲,一个国家的经济发展阶段大致可以分为人均GDP〈1000美元,≌3000美元和≥10000美元三个阶段。当人均GDP小于1000美元时是处于贫困的阶段,在这个阶段中,工业的形态是比较落后的,现代制造业也主要以装配业为主。我国已于2003年达到了1090美元,脱离了贫困阶段,步入了一个新的发展期。人均GDP达到或超过3000美元,经济将进入高速发展期,被认为是国家进入现代化的门槛。而达到10000美元,则可以认为进入中等发达国家行列。我们的奋斗目标就是在2020年人均GDP达到3000美元,进入小康设会,而在21世纪中叶则要达到中等发达国家水平。 相似文献
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