用于控制RFID－NVM中电荷泵电流冲击的电路结构

本文提出了一种新的电路结构用于控制RFID非挥发存储器中电荷泵启动阶段的电流冲击。通过引入一个由参考电流源和电流镜组成的电路模块,此结构可以把电荷泵的周期平均电流恒定控制在任何想要的值之下,例如2.5微安。因此它可以防止RFID标签芯片的整流输出电压在电荷泵的启动阶段不被破坏。此结构可以有效地把整流输出上多于50％的压降减小到几乎为0,然而却占用更少的芯片面积。另外,用于计算此结构中电荷泵启动时间的理论公式也一并被提出。     

低压高速CMOS/SOI器件和电路的研制

采用全耗尽CMOS／SIMOX工艺成功地研制出了沟道长度为0．5μm的可在1．5V和3．0V电源电压下工作的SOI器件和环形振荡器电路．在1．5V和3．0V电源电压时环振的单级门延迟时间分别为840ps和390ps．与体硅器件相比，全耗尽CMOS／SIMOX电路在低压时的速度明显高于体硅器件，亚微米全耗尽CMOS／SOI技术是低压低功耗和超高速集成电路的理想选择．     

凹陷沟道SOI器件的实验研究

本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽ＳＯＩ器件的性能．采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为７０ｎｍ、源漏区硅膜厚度为１６０ｎｍ、有效沟道长度为０．１５～４．０μｍ的高性能凹陷沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，它与常规薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ相比，跨导及饱和漏电流分别提高了约４０％．     

我国集成电路产业和微电子科学技术发展目标及建议

中国要加速发展集成电路产业。集成电路作为战略性基础产业，在国际竞争中具有威慑力量，又是经济发展的基石，它的产业规模和科学技术水平是21世纪一个国家综合实力的重要标志之一。这也是无线通信事业发展的基础。     

多晶硅发射极超高速集成电路工艺

报道了具有先进双极     

多晶硅发射极超高速集成电路工艺

报道了具有先进双极关键技术特征的多晶硅发射极集成电路的工艺 ,重点介绍了用难熔金属氮化物 (Zr N )作为新的刻蚀掩模实现器件的硅深槽隔离 ;E- B间自对准二氧化硅侧墙隔离 ;快速热处理实现多晶硅发射区浅结及薄基区 ;E、 B、 C区自对准钴硅化物形成 ,明显地减少串联电阻和双层金属 Al间可靠互联等先进的工艺研究 .用此套工艺技术研制出工作频率达 3.1GHz的硅微波静态分频器实验电路 ,集成度为 6 0 0门的双层金属 Al的ECL移位寄存器电路 ,最高移位频率达 45 0 MHz. 19级环振电路平均门延迟小于 5 0 ps     

SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移

首次报道了辐照所引起的 SOI/ MOS器件 PD (部分耗尽 )与 FD (全耗尽 )过渡区的漂移 .基于含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 ,模拟了 FD与 PD过渡区随辐照剂量的漂移 .讨论了辐照引起 FD与 PD器件转化的原因 ,进一步分析了 FD与 PD器件的辐照效应     

栅控二极管正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性

使用半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE,对侧向的P＋P－N＋栅控二极管的正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究．通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布,得出了相应的P＋P－N＋栅控二极管的正向R-G电流的变化．同时,表征硅膜结构的参数如沟道掺杂和硅膜厚度的变化也使器件从部分耗尽向全耗尽方向转化,分析了这种转化对R-G电流大小和分布的影响．