SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移

首次报道了辐照所引起的 SOI/ MOS器件 PD (部分耗尽 )与 FD (全耗尽 )过渡区的漂移 .基于含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 ,模拟了 FD与 PD过渡区随辐照剂量的漂移 .讨论了辐照引起 FD与 PD器件转化的原因 ,进一步分析了 FD与 PD器件的辐照效应     

栅控二极管正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性

使用半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE,对侧向的P＋P－N＋栅控二极管的正向R-G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的研究．通过系统地改变硅膜体陷阱的密度和能级分布,得出了相应的P＋P－N＋栅控二极管的正向R-G电流的变化．同时,表征硅膜结构的参数如沟道掺杂和硅膜厚度的变化也使器件从部分耗尽向全耗尽方向转化,分析了这种转化对R-G电流大小和分布的影响．     

GeSi Source/Drain Structure for Suppression of Short Channel Effect in SOI p-MOSFET's

提出在SOI p-MOSFET中采用GeSi源／漏结构,以抑制短沟道效应．研究了在源、漏或源与漏同时采用GeSi材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低(DIBL)效应的影响,并讨论了Ge含量及硅膜厚度变化对短沟道效应及相关器件性能的影响．研究表明Ge含量应在提高器件驱动电流及改善短沟道效应之间进行折中选择．对得到的结果文中给出了相应的物理解释．随着器件尺寸的不断缩小,GeSi源／漏结构不失为p沟MOS器件的一种良好选择。     

SOI MOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移

首次报道了辐照所引起的SOI/MOS器件PD(部分耗尽) 与FD(全耗尽) 过渡区的漂移．基于含总剂量辐照效应的SOI MOSFET统一模型,模拟了FD与PD过渡区随辐照剂量的漂移．讨论了辐照引起FD与PD器件转化的原因,进一步分析了FD与PD器件的辐照效应．     

扫描电子束在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜(SOI)的实验研究

在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO2上的多晶硅薄膜进行改性的实验。采用籽晶液相外延形成单晶硅薄膜。本实验的重点在于摸索电子束的功率密度、扫描速度、衬底的温度和样品结构等因素对形成单晶硅薄膜质量的影响。实验取得了较好的结果,获得了20025m2的单晶区。     

一种大厚度的三轴差分电容式硅微加速度计

介绍了一种新型三轴全差分电容式加速度计的设计和制备。设计的加速度计采用了三个共用同一玻璃衬底的大厚度差分电容式微结构，分别用于检测三个垂直方向的加速度。同时，对所设计的微结构从理论和数值上进行了详细的分析。用有限元分析工具ANSYS对器件进行了模拟，模拟结果显示出器件设计的合理性。最后，给出了制备工艺和测试结果。