知识产权是高科技核心

知识产权始终是工业发展的核心要素，所以，自主知识产权始终是高科技的核心。后发国家进入“国际俱乐部”的主要障碍是技术，如果不拥有一批自己的知识产权就永远难以掌握主动权。     

Novel multipath routing protocol integrated with forward error correction in MANET

In order to improve the data transmission reliability of mobile ad hoc network, a routing scheme called integrated forward error correction multipath routing protocol was proposed, which integrates the techniques of packet fragmenting and forward error correction encoding into multipath routing. The scheme works as follows： adding a certain redundancy into the original packets; fragmenting the resulting packets into exclusive blocks of the same size; encoding with the forward error correction technique, and then sending them to the destination node. When the receiving end receives a certain amount of information blocks, the original information will be recovered even with partial loss. The performance of the scheme was evaluated using OPNET modeler. The experimental results show that with the method the average transmission delay is decreased by 20% and the transmission reliability is increased by 30%.     

基于单元故障模型的树型加法器的测试

首先分析了树型加法器的原理，总结了其运算特性．其次在介绍单元故障模型的基础上分析了树型加法器的测试向量生成．分析结果表明，5n-1个测试向量可以实现树型加法器中所有单元故障的检测．这些测试向量具有很好的规则性，能够利用片上测试向量生成器实现，适合于应用内建自测试技术测试．基于此，作者提出了一种内建自测试的测试结构，测试时只需存储7个籽测试向量，其它测试向量可以在这7个籽测试向量的基础上通过循环移位实现．最后给出了实验分析结果．     

微电子科学技术和集成电路产业 技术讲座 第二章 集成电路产业和微电子科学技术的战略地位

(2.1)信息社会经济发展的基石[2]19世纪末,现代物理学的一系列发现(包括1895年德国科学家伦琴的 x 射线的发现,1896年贝克勒尔的放射线发现,1897年英国科学家汤姆逊发现电子,1898年居里和居里夫人镭的发现,1900年普郎克量子论的建立和1905年爱因斯坦的狭义相对论、1915年广义相对论的提出)揭示了微观世界     

非相干光退火技术与非晶硅薄膜的固相外延

本文介绍了一种新的退火技术——非相干光脉冲加热退火。它与激光退火技术相比,效率高,设备简单;与传统热退火相比,对离子注入杂质的激活率高,≈100％,不引起杂质再分布,且能有效地避免离子注入损伤层对重金属离子的收集,在超大规模集成电路工艺中有着多方面应用的可能性。作者应用这一退火技术于LPCVD非晶硅薄膜的再结晶研究。用RBS结合电子沟道技术研究了再结晶化的动力学过程。实验发现,在硅衬底上淀积的非晶硅薄膜(1600(?))能在600℃、35秒和700℃、15秒时间内完成再结晶化过程,结晶化结构属柱状。     

SOI MOSFET的失真行为

采用幂级数方法对基于全耗尽(FD)SOI MOSFET和凹陷(RC)沟道SOI MOSFET的失真行为进行了研究，发现随着沟道长度的减小失真行为变坏，且RC SOI器件较FD器件具有更好的失真行为．同时，从实验数据可以看出，不理想的体接触会由于体分布电阻的增加而使失真行为变坏．该结果可以为低失真混合信号集成系统的设计提高指导方向．     

在大注入下多晶硅发射极晶体管特性模拟与理论分析

本文利用经适当修改的Ｙｉｈ－Ｆｅｎｇ Ｃｈｙａｎ等人的ＰＥＴ大注入模型编制了程序，结合实例模拟了在大注入条件下具有发射区、基区指数掺杂分布的ＰＥＴ的输入特性，输出特性，电流增益和频率特性，并对一些特性曲线进行了分析，此程序可用于研究ＰＥＴ特性与器件结构参数之间的关系。     

新生界面陷阱对Fowler-Nordheim电压漂移的影响

用陷阱俘获模型和恒流方法研究了新生界面陷阱对薄氧化层MOS电容器的F-M(Fow-ler-Nordheim)电压(V_(FN))的影响,得到了电压漂移量△V_(FN)随时间变化的解析表述式.分析结果表明:(d△V_(FN))/(dt)vs △V_(FN)曲线可以用几段直线描述.采用线性化技术,可以方便地识别多陷阱现象.并分别提取原生陷阱及新生陷阱参数.实验结果表明:在恒流隧道电子注入的初始阶段,F-N电压漂移量主要由新生界面陷阱的电子俘获过程所决定,紧接着是原生氧化层体陷阱的电子俘获,然后是新生氧化层体陷阱的电子俘获.     

电场调制效应对氧化层电流弛豫谱的影响

本文用单陷阱电荷俘获模型研究了电场调制效应对氧化层电流弛豫谱(Oxide CurtentRelaxation Spectroscopy)——简称 OCRS的影响.给出了精确的 OCRS谱函数及其各级近似表述式;给出了确定陷阱参数(俘获截面,荷心及面密度)的精确公式及各类简化式;给出了各类近似成立的直观实验判据式.对实验结果进行了电场修正,得到了更为满意的结果.     

等价掺杂转换理论预示扩散-外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度

基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算扩散-外延穿通P-N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果．介绍了等价掺杂转换方法的基本理论,然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击穿电压和击穿峰值电场强度计算公式,并正确地预示了最大击穿电压和击穿峰值电场强度的位置．理论结果显示出与以前的数值分析结果很好的一致性．