薄栅SiO_2相关击穿电荷的研究

在恒流应力条件下,用时间相关介质击穿(TDDB)特性,研究了Ar-O_2热生长SiO_2的时间相关击穿的电荷性质。研究结果表明:(1)相关击穿电荷(Q_(BD))不是常数,而是与氧化层电场强度(E_(OX))有关;(2)阳极相关击穿电场(E_(BD))近似为常数;(3)电场加速因子( β)不是常数,它亦不是与E_(OX)~(-2)成正比,而是呈更为复杂的电场依赖关系。     

SOI栅控混合管（GCHT）集电极电流的解析模型

本文在分析栅控混合管物理机制的基础上，提出了一种新的计算ＳＯＩ／ＧＣＨＴ集电极电流的解析模型。在同时考虑扩散及漂移电流的基础上，建立了栅控电流模型，确立了表面势与外加基极电压的关系。从而成功地解释了混合器件与相应双极器件在高基极电压下集电极电流趋向的一致的实现现象，模型计算结果与ＰＩＳＣＥＳ模拟结果及实验结果吻合较好。     

甚大规模集成电路制造中的离子注入技术

本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。     

TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究

本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引入的应力是产生上述现象的基本原因.     

北京大学国家集成电路人才培养基地建设思路

微电子是整个电子信息产业的基础，是一个国家综合实力的重要标志。在全球信息产业飞速发展、网络经济迅速兴起、知识经济初见端倪、现代国防和未来战争中尖端技术不断崛起的今天．微电子比以往任何时候都更显示出其重要的战略地位。据国际权威机构预测，到2012年，世界集成电路的年销售     

从硅集成电路技术到微系统技术

技术进步和市场需求促使ＶＬＳＩ从集成电路技术不断向微系统技术发展。本文将从微系统的一个分支－－硅微电子机械系统方面介绍和讨论有关这种发展的一些问题。     

离子注入对LPCVD淀积非晶硅固相外延的影响

应用高剂量(5×10~(15)/cm~2)的Si~+、P~+离子注入,成功地实现了LPCVD淀积在硅衬底上的非晶硅薄膜的固相外延。本文还研究了Si~+、P~+注入对低压气相淀积非晶硅薄膜固相外延的影响。实验发现,~(31)P~+能加速固相外延的速率,改善再结晶膜的质量,并能抑制SiO_2衬底上的成核,从而为固相生长绝缘衬底上的单晶薄膜(SOI)创造了条件。     

不同金属栅极的M-SiO_2-Si系统可动离子界面陷阱能量分布的研究

<正> 在当前大规模集成电路和微波、功率晶体管的发展中,电极已不复限于铝.诸如钛、铝、铜、金等已被广泛采用.特别是钼栅LSI的发展使人们对可动离子在M-SiO_2-Si系统中的运动动力学性质感兴趣.大量实验已证明可动离子在SiO_2中的输运性质和在界面陷阶中的分布,不能用单能极模型来描述,而是在陷阱中,按能量有一个分布.本文就是利用我们提出的,直接从实验TSIC曲线求出可动离子界面分布的近似方法,研究了用不同金属材料作为栅电极时,M-SiO_2-Si系统中可动离子的输运性质和它们在界面陷