枸杞多糖对小鼠肠道上皮内淋巴细胞和杯状细胞数量、分布及对IL-2水平影响

为了研究枸杞多糖(LBP)对肠黏膜屏障结构的影响,给10只C57BL/J健康小鼠连续灌服枸杞多糖7d后,显微镜观察小肠上皮内淋巴细胞(IEL)、杯状细胞(GC)数量和分布变化及测定肠黏膜白细胞介素-2(interleukin-2,IL-2)水平。结果表明,应用枸杞多糖小鼠的肠黏膜IEL数量和GC的数量明显增加,且有向肠内层移动趋势,同时肠黏膜IL-2水平升高。证实枸杞多糖在一定程度上可促进小鼠小肠黏膜屏障结构趋于完整并提高其免疫功能。     

全轴激发提升系综金刚石NV色心磁灵敏度

金刚石中系综氮空位（NV）中心作为高灵敏度磁强计得到了广泛的研究,并且在许多领域得到了应用。为解决传统的测量方式中仅利用了单个轴向的NV色心进行激发与检测使得荧光信号对比度较低以及磁检测灵敏度受限制的问题,本文使用了一种双频微波进行全轴激发的方法,通过特定[111]晶向的偏置磁场使得光探测磁共振谱线呈现出两对共振峰,并将对应的双频微波进行叠加完成同步调控。经过一系列实验验证,得到拉比振荡信号与自旋回波信号的荧光对比度分别比传统方法提高2.83倍和3.81倍,系统的极限磁噪声灵敏度提升了约14.3倍达到了0.76nT/√Hz,最终证明全轴激发对提升系统磁灵敏度的可行性。     

草坪腐霉枯萎病的防治

本文主要探讨了草坪腐霉枯萎病的症状、防治,以期为草坪的养护管理提供参考。     

太赫兹QCL技术研究进展

综述了太赫兹QCL(THzQCL)有源区结构设计与制备、波导结构设计和频率控制3方面的基本原理及研究进展.THzQCL有源区薄膜厚度、组分和掺杂浓度的精确控制是材料制备过程的关键.通过提高注入电流和器件温度的稳定性可以有效减小THzQCL线宽和提高频率稳定性.随着器件功率和频率特性的提升,THz QCL将在通讯、成像和谱分析等技术领域获得广泛的应用.     

脉冲激光沉积掺W类金刚石膜的性能

采用氟化氪（KrF）脉冲准分子激光烧蚀沉积（PLD）技术,在硅基体表面制备不同掺W时间的类金刚石薄膜（W-DLC）。利用AFM、XRD、Raman、纳米压痕等手段分析和研究薄膜的表面形貌、结构以及部分性能。结果表明：W掺入后形成了α-W2C和WC相,并且没有明显改变薄膜中sp2和sp3键的含量,薄膜的表面粗糙度基本不受W掺入时间的影响,残余应力降低约1个数量级（二十几个GPa下降到几个GPa）,硬度和弹性模量随W掺入时间的增加而逐渐降低。     

富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性

用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶,其电阻率为107Ω*cm量级,电子陷阱浓度为108cm-3量级,且能将注入其中的部分电荷储存起来.分析认为,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由Se空位引起的.     

GaAs外延薄膜的As缺位研究

研制太赫兹量子级联激光器的核心是制备以GaAs为代表的量子阱超晶格,在制备GaAs为代表的量子阱超晶格过程中,需要解决As缺位等基础性物理问题。采用激光分子束外延技术制备了GaAs外延薄膜,研究了实验参数对GaAs薄膜性能,特别是As缺位的影响。在线RHEED测试结果表明,GaAs可以实现外延生长。原位XPS和UPS等测试研究结果表明,激光分子束外延技术制备GaAs外延薄膜过程中存在As缺位问题,激光能量对GaAs薄膜中As含量具有明显的影响,要获得理想成分比的GaAs外延薄膜,需要较高的脉冲激光能量(600 mJ)。     

PLD制备FePt：MgO薄膜的结构及线性光学性能研究

采用脉冲激光沉积法（PLD）制备了FePt：MgO多层复合薄膜。采用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）分析了薄膜的结构;采用紫外可见分光光度计分析了薄膜的线性光学性能。HRTEM分析表明基质MgO在单晶MgO衬底上同质外延生长,而FePt纳米颗粒周期性均匀地自组织嵌埋在MgO基质中。HRTEM的快速傅里叶变换（FFT）图表明,FePt纳米颗粒为富Pt的面心立方（FCC）结构的FePt3,其晶格常数αFePt3=3.90 。（1。=0.1 nm）。MgO基质与FePt纳米颗粒的界面分析表明,它们的界面处几乎不存在非晶层,只在FePt纳米颗粒与MgO基质的晶界线附近有少量的刃型位错。薄膜的紫外可见吸收谱结果表明,低脉冲数样品具有远紫外增透作用,高脉冲数样品存在3个表面等离子激元共振吸收峰,随FePt沉积脉冲数增加,吸收峰位置均发生红移,峰强逐渐减弱,峰强比规律变化。     

GaN基异质外延生长的ZnO单晶电输运特性研究

报道了一种新方法生长的ZnO单晶的电输运特性,利用该方法在GaN外延膜表面生长了尺寸为25 mm×25 mm,平均厚度7 mm的ZnO单晶块。通过研究ZnO单晶不同深度处的电输运特性,判断了ZnO单晶内部不同位置的结晶质量。以GaN表面为起始面,沿[0002]方向,随着距GaN表面距离的增加,常温下的ZnO单晶载流子浓度从1.28×10¹⁹降到4.00×10¹⁷ cm^-3,载流子迁移率从64.9升至144 cm²/(V·s),电阻率从7.53×10^-3升至1.09×10^-1Ω·cm。位错密度计算结果表明,随着远离GaN衬底,晶体内位错密度逐渐减少,二次离子质谱测试结果中,Ga⁺等杂质含量随着远离GaN衬底逐渐减少,在距离GaN表面约4 mm以后,主要杂质含量明显降低。由此表明,采用价格相对较低的GaN衬底可以获得较大尺寸,品质较好的ZnO单晶。     

CdSe核辐射探测器的噪声与漏电流

对具有金属-半导体-金属(MSM)结构的CdSe探测器的噪声进行了实验观测,并对探测器中光生载流子的输运过程进行了分析,结果表明探测器的噪声是由从正极注入的空穴电流引起的.因此只有改变正极接触,才能有效地阻止空穴注入,从而消除探测器噪声.