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硅多条两维位置灵敏探测器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
描述了用平面工艺技术研制基于硅多条的两维位置灵敏探测器的制备工艺技术及性能测试初步结果.这种探测器的灵敏面积为50 mm×50 mm.P掺杂面被等分成相互平行的长度为50mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间隔为100μm.硅条P掺杂层是一层均匀分布的电阻层,利用电荷分除法,可以得到入射粒子在该条上的位置(Y位置).当探测器工作在全耗尽偏压下时,大部分单条的反向漏电流<30nA.对239Pu α粒子得到能量分辨率<2.5%,位置分辨<0.5 mm. 相似文献
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平面工艺空间带电粒子探测器的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
谭继廉 靳根明 段利敏 王宏伟 袁小华 卢子伟 张金霞 鲍志勒 王柱生 李存璠 宁宝俊 田大宇 王玮 张录 高萍 王月 王世金 朱光武 梁金宝 《核电子学与探测技术》2005,25(6):580-583
描述了用平面工艺+离子注入技术制备新型空间带电粒子探测器的工艺技术及器件的特性。探测器的灵敏层厚度为100、300、450和1000μm,灵敏面积为φ8和φ12mm等不同规格。在全耗尽偏压下,得到典型的反向漏电流范围为0.57~10.11nA,典型的能量分辨率为0.69%~0.86%(对^141 Amα粒子)。在60℃高温下,器件的性能变化在空间应用的允许范围之内。 相似文献
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PIN型辐射探测器的并联使用 总被引:2,自引:0,他引:2
由于高能电子的穿透能力较强,需要采用较厚的探测器进行探测.在中巴合作资源卫星上的星内粒子探测器,以往采用的是锂漂移型探测器.由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点,我们在新一代仪器上采用了离子注入型PIN探测器.但是,PIN探测器厚度有限,因而采用并联方法.本文就PIN探测器的并联应用进行实验和分析,证明其可行性. 相似文献
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紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管 总被引:2,自引:1,他引:2
描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻(111)N型硅片上研制高性能PIN光电二极管的工艺技术,测量并分析了光电二极管的I-V、C-V和光灵敏度等性能.有源区面积为16mm×17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下(Vd=70V),环境温度为25℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤5nA和≤120pF.探测器在波长区域(380~500nm)的光谱响应典型值:400nm为0.26A/W,500nm为0.33A/W.量子效率在400~900nm光谱范围内达到70%~80%.对于紫外光至蓝光区域,该器件是一种理想的光探测元件. 相似文献