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11.
本文介绍一种新的高压硅pn结表面电场的测试方法,即激光探针法,对该测试法的装置与测试原理以及在研究高压pn硅结表面中的应用做了介绍,并对实验结果进行了讨论.  相似文献   
12.
讨论了光驱动BMFET作为光控功率开关的工作原理,根据理论分析和计算机模拟讨论了器件结构参数和外加偏置电路与工作特性的关系,为器件优化设计提供依据。  相似文献   
13.
14.
功率肖特基二极管的优化设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文由描述功率肖特基势垒二极管电学特性的基本方程出发,结合对典型整流电路效率、器件正向压降、反向耐压及温度特性等参数的数值分析,给出器件设计折衷优化的理论依据.  相似文献   
15.
16.
由临界偏置下单结晶体管(UJT)组成的自激振荡器置于一交变磁场中时,如果两者的频率接近,则振荡器输出脉冲的幅度将急剧增加.实验结果说明,UJT这种磁敏特性远优于其它硅磁敏器件.本文讨论了UJT临界自振荡条件,以及在临界状态时磁敏机理.  相似文献   
17.
圆平膜压阻式力传感器的线性度与灵敏度分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
对圆平膜压阻式力传感器的线性度与灵敏度进行了比较详细地刨析。并通过计算,并举大量数据,指出影响压力传感器的线性度与灵敏度的因素及提高压力传感器的线性度与灵敏度的有效途径。  相似文献   
18.
非晶半导体材料由于制备工艺较简单,成本低且具有不同于晶态半导体的特殊的电学和光学性质,已成为发展半导体敏感器件一个新的动向.作为一种新型的电子材料,由硅烷辉光放电制备的氢化非晶硅(a-Si:H)膜是非晶半导体的典型代表.这是因为α-Si:H膜通过掺杂能够形成PN结,即能够实现价电子的控制.因此,本世纪70年代后期围绕α-Si:H的应  相似文献   
19.
ESP工艺制备SnO2—MnO薄膜的氢敏特性   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了用静电喷雾高温分解(ESP)工艺制备的SnO2-MnO薄膜在氢气氛下电阻的变化,结果表明它的电阻较高,对H2亦有较高的灵敏度;这种特性与MnO添加剂密切关系。  相似文献   
20.
金属氧化物SnO2半导体气敏传感器  相似文献   
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