复阻抗谱测量高阻硅单晶电阻率的研究

本文研究了根据样品交流复阻抗谱谱峰高民频率的函数关系测量片与块状高阻硅单晶电阻率的测试与分析方法，及各种效应对测试结果的影响，并与四探针和两探针方法的测量结果进行了比较。     

场效应气敏传感器的研究进展

叙述了场效应气敏器件的基本理论和重要研究方向－高温场效应气敏器件和阵列式智能气体传感器。     

新型的固态开关—光MOS继电器

讨论了一种新型的光ＭＯＳ继电器的电路结构及其工作原理,并对其电路特性进行了计算机模拟,设计了器件结构和版图。分析表明：光ＭＯＳ继电器具有优良的开关特性。     

电脑眼基于EZ—USB的单片方案

由于USB支持视频数据的实时传输，本文对CMOS视频传感器为核心的数字图像设备（电脑眼）与USB接口进行了研究，并利用Anchor公司的EZ-USB 2131Q芯片设计了一种基于外接RAM的单片方案，实现了电脑眼的USB接口。     

a－SiN∶H的退火处理及其对a－Si∶H TFT性能与可靠性的影响

研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响．实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理使ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升趋势，对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的工作特性和可靠性有明显的改善，温度进一步升高时，介电常数减小，ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性变坏．     

具有阴极短路点结构的快速软恢复整流管的研制

分析了具有阴极短路点结构的快速软恢复整流管的反向恢复过程，讨论了ｎ区中设置ｐ＾＋短路点使反向恢复时间明显缩短物理过程，指出重金属铂在ｎ区中的优化分布使反向恢复电流呈现软特性，实现通态下的低压降，小的反向漏电流和快速软恢复特性。     

ESP工艺制备SnO_2－MnO薄膜的氢敏特性

研究了用静电喷雾高温分解（ＥＳＰ）工艺制备的ＳｎＯ２－ＭｎＯ薄膜在氢气氛下电阻的变化结果表明它的电阻较高，对此亦有较高的灵敏度；这种特性与ＭｎＯ添加剂有密切关系     

SiC半导体材料与器件（2）

随着SiC单晶和薄膜制备技术日趋成熟以及相关器件工艺的显著进展,各种SiC器件如pn结与肖特基势垒整流器、JFET、MESFET、增强/耗尽型MOSFET、SiC-Si异质结高频双极晶体管(HBT)、高效太阳能电池等相继出现,Bhatnagar等人经计算分析,指出SiC功率器件(肖特基整流管,VMOSFET)相应同类Si器件的极大优越性在于SiC器件的导通电阻为相应Si器件的几百分之一,加之良好的散热性能,在同样封装条件、结温要求下、SiC功率器件的芯片面积仅为Si器件的二十分之一,从而会部分抵消材料制备等引入的较高成本.尽管SiC器件距商品化尚有一段距离,但已展现出诱人的发展前景.     

霍尔传感器在电力电子技术中的应用

讨论了霍尔传感器的工作原理与特性,重点介绍了在电力电子技术领域的测量、控制、整流、逆变和斩波等方面的应用。